【技术实现步骤摘要】
包括竖直堆叠层面的集成式组合件
集成式组合件包括竖直堆叠层面。
技术介绍
现代计算架构中利用存储器来存储数据。一种类型的存储器是动态随机存取存储器(DynamicRandom-AccessMemory；DRAM)。与替代类型的存储器相比，DRAM可提供结构简单、低成本且速度快的优点。DRAM可利用存储器单元，所述存储器单元具有一个电容器与一个晶体管(所谓的1T-1C存储器单元)，其中电容器与晶体管的源极/漏极区耦合。图1中展示实例1T-1C存储器单元2，其中晶体管标记为T且电容器标记为C。电容器具有与晶体管的源极/漏极区耦合的一个节点，且具有与共同板CP耦合的另一节点。共同板可与如介于大于或等于接地到小于或等于VCC的范围内的电压的任何适合电压耦合(即，接地≤CP≤VCC)。在一些应用中，共同板处于约二分之一VCC(即，约VCC/2)的电压下。晶体管具有耦合到字线WL(即，存取线)的栅极，且具有耦合到位线BL(即，数字线或感测线)的源极/漏极区。在操作中，由沿着字线的电压产生的电场可在读取/写入操作期间以选通方式将位线耦合到电容器。在图2中展示另一现有技术1T-1C存储器单元配置。图2的配置展示两个存储器单元2a和2b；其中存储器单元2a包括晶体管T1和电容器C1，且其中存储器单元2b包括晶体管T2和电容器C2。字线WL0和WL1分别与晶体管T1和T2的栅极电耦合。与位线BL的连接由存储器单元2a和2b共享。上文所描述的存储器单元可并入到存储器阵列中，且在一些应用中，存储器阵列可具有开放式位线...
【技术保护点】
1.一种集成式组合件，其包括：/n基底，其包括第一电路；/n第一导电线，其由所述基底支撑且与所述第一电路相关联，所述第一导电线沿着第一方向延伸；/n层面，其位于所述基底上方且包括存储器单元阵列；/n第二导电线，其由所述层面支撑且与所述存储器单元阵列相关联，所述第二导电线沿着大体上与所述第一方向正交的第二方向延伸；以及/n竖直互连件，其从所述层面延伸到所述基底且将所述第一导电线耦合到所述第二导电线，所述竖直互连件中的每一个将所述第一导电线中的一个耦合到所述第二导电线中的一个；所述第二导电线中的每一个与所述第一导电线中的仅一个耦合。/n
【技术特征摘要】
20181207 US 16/213,2571.一种集成式组合件，其包括：
基底，其包括第一电路；
第一导电线，其由所述基底支撑且与所述第一电路相关联，所述第一导电线沿着第一方向延伸；
层面，其位于所述基底上方且包括存储器单元阵列；
第二导电线，其由所述层面支撑且与所述存储器单元阵列相关联，所述第二导电线沿着大体上与所述第一方向正交的第二方向延伸；以及
竖直互连件，其从所述层面延伸到所述基底且将所述第一导电线耦合到所述第二导电线，所述竖直互连件中的每一个将所述第一导电线中的一个耦合到所述第二导电线中的一个；所述第二导电线中的每一个与所述第一导电线中的仅一个耦合。
2.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第一导电线和所述第二导电线具有彼此相同的间距。
3.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第一电路是感测放大器电路，且其中所述第二导电线是数字线的延伸部。
4.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第一电路是字线驱动器电路，且其中所述第二导电线是字线的延伸部。
5.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述存储器单元阵列是第一存储器单元阵列，且其中所述竖直互连件是第一竖直互连件；且所述集成式组合件进一步包括：
第三导电线，其由所述基底支撑且与所述第一电路相关联；
第二存储器单元阵列，其具有与其相关联的第四导电线；以及
第二竖直互连件，其将所述第四导电线耦合到所述第三导电线，所述第二竖直互连件中的每一个将所述第四导电线中的一个耦合到所述第三导电线中的一个；所述
第四导电线中的每一个与所述第三导电线中的仅一个耦合。
6.根据权利要求5所述的集成式组合件，其中所述第二存储器单元阵列由所述层面支撑且横向邻近于所述第一存储器单元阵列。
7.根据权利要求6所述的集成式组合件，其中：
所述第一电路是感测放大器电路；
所述第二导电线是数字线的延伸部；且
所述第四导电线是数字线的延伸部。
8.根据权利要求6所述的集成式组合件，其中：
所述第一电路是字线驱动器电路；
所述第二导电线是字线的延伸部；且
所述第四导电线是字线的延伸部。
9.根据权利要求5所述的集成式组合件，其中所述层面是第一层面；且其中所述第二存储器单元阵列由所述第一层面上方的第二层面支撑。
10.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中：
所述第一电路是感测放大器电路；
所述第二导电线是数字线的延伸部；且
所述第四导电线是数字线的延伸部。
11.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中：
所述第一电路是字线驱动器电路；
所述第二导电线是字线的延伸部；且
所述第四导电线是字线的延伸部。
12.一种集成式组合件，其包括：
基底，其包括字线驱动器电路和感测放大器电路；
第一导电线，其与所述基底相关联且延伸到所述感测放大器电路；
第二导电线，其与所述基底相关联且延伸到所述字线驱动器电路；
层面，其位于所述基底上方且包括存储器单元阵列；
数字线，其由所述层面支撑且与所述存储器单元阵列相关联，所述数字线中的每一个具有横越所述第一导电线且与所述第一导电线正交的延伸部；
字线，其由所述层面支撑且与所述存储器单元阵列相关联；所述字线中的每一个具有横越所述第二导电线且与所述第二导电线正交的延伸部；
第一竖直互连件，其从所述层面延伸到所述基底且将所述第一导电线耦合到数字线延伸部；所述第一竖直互连件中的每一个将所述第一导电线中的一个耦合到所述数字线延伸部中的一个；所述第一导电线中的每一个与所述数字线延伸部中的仅一个耦合；以及
第二竖直互连件，其从所述层面延伸到所述基底且将所述第二导电线耦合到字线延伸部；所述第二竖直互连件中的每一个将所述第二导电线中的一个耦合到所述字线延伸部中的一个；所述第二导电线中的每一个与所述字线延伸部中的仅一个耦合。
13.根据权利要求12所述的集成式组合件，其中所述数字线延伸部与所述字线延伸部正交。
14.根据权利要求12所述的集成式组合件，其中所述数字线延伸部平行于所述字线延伸部且具有与所述字线延伸部相同的间距。
15.根据权利要求12所述的集成式组合件，其中所述感测放大器电路和所述字线驱动器电路位于所述存储器单元阵列正下方。
16.根据权利要求12所述的集成式组合件，其中存储器单元阵列是第一存储器单元阵列，其中所述数字线是第一数字线，其中所述数字线延伸部是第一数字线延伸部，其中所述字线是第一字线，且其中所述字线延伸部是第一字线延伸部；且所述集成式组合件进一步包括：
第三导电线，其与所述基底相关联且延伸到所述感测放大器电路；
第四导电线，其与所述基底相关联且延伸到所述字线驱动器电路；
第二存储器单元阵列，其具有第二数字线和与其相关联的第二字线；所述第二数字线具有横越所述第三导电线的第二数字线延伸部；所述第二字线具有横越所述第四导电线的第二字线延伸部；
第三竖直互连件，其将所述第三导电线耦合到所述第二数字线延伸部；所述第三竖直互连件中的每一个将所述第三导电线中的一个耦合到所述第二数字线延伸部中的一个；所述第三导电线中的每一个与所述第二数字线延伸部中的仅一个耦合；以及
第四竖直互连件，其将所述第四导电线耦合到所述第二字线延伸部；所述第...
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