全息图介质和光学元件制造技术

本公开内容涉及一种全息图介质和光学元件，所述全息图介质包括：聚合物基底，该聚合物基底包含硅烷类官能团位于主链或支链中的聚合物树脂，其中，在所述聚合物基底的至少一个表面上形成精细图案。

Hologram media and optical elements

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】全息图介质和光学元件
相关申请的交叉引用本申请要求基于2018年9月14日提交的韩国专利申请No.10-2018-0110419的优先权，该专利申请的全部公开内容包含在本说明书中作为本说明书的一部分。本公开内容涉及一种全息图介质和光学元件。
技术介绍
全息图记录介质通过曝光工艺改变介质中的全息记录层的折射率来记录信息，读取由此记录的介质中的折射率的变化，并且再现信息。当使用光聚合物(光敏树脂)时，通过低分子量单体的光聚合可以容易地将光干涉图案存储为全息图。因此，光聚合物可以用于各种领域，如光学透镜、反光镜、偏转镜、滤光片、漫射屏、衍射元件、光导、波导、具有投影屏和/或掩模功能的全息光学元件、光学存储系统的介质和光扩散板、光波长多工器、反射型和透射型滤色器等。通常，用于全息图生产的光聚合物组合物包含聚合物粘合剂、单体和光引发剂，并且用激光干涉光照射由这种组合物制备而成的光敏膜来诱导局部单体光聚合。在这种光聚合过程中，在存在相对大量的单体的部分中，折射率变高。并且在存在相对大量的聚合物粘合剂的部分中，折射率相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全息图介质，包括：聚合物基底，该聚合物基底包含硅烷类官能团位于主链或支链中的聚合物树脂，/n其中，在所述聚合物基底的至少一个表面上形成精细图案。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180914 KR 10-2018-01104191.一种全息图介质，包括：聚合物基底，该聚合物基底包含硅烷类官能团位于主链或支链中的聚合物树脂，
其中，在所述聚合物基底的至少一个表面上形成精细图案。


2.根据权利要求1所述的全息图介质，
其中，所述精细图案具有包括两个或更多个精细突起的形状，所述精细突起的高度的最大值和高度的最小值基于所述聚合物基底的横截面交替重复，
其中，一个精细突起的高度的最大值与相邻精细突起的高度的最小值之间在所述聚合物基底的横截面方向上的距离的标准误差为20nm以下。


3.根据权利要求2所述的全息图介质，
其中，一个精细突起的高度的最大值与相邻精细突起的高度的最小值之间在所述聚合物基底的横截面方向上的距离为0.2μm至2μm。


4.根据权利要求2所述的全息图介质，
振幅为5nm至50nm，所述振幅为一个精细突起的高度的最大值与相邻精细突起的高度的最小值之间的差。


5.根据权利要求1所述的全息图介质，
其中，所述聚合物基底包含含有硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的聚合物基质和硅烷交联剂之间的交联产物；和光反应性单体。


6.根据权利要求5所述的全息图介质，
其中，在所述(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物中，所述硅烷类官能团的当量为300g/eq至2000g/eq。


7.根据权利要求5所述的全息图介质，
其中，基于100...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宪，张锡勋，权洗铉，张影来，边真锡，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR