晶体取向图生成装置、带电粒子射线装置、晶体取向图生成方法以及程序制造方法及图纸

一种晶体取向图生成装置(10)，被用于向样品的表面入射带电粒子射线的带电粒子射线装置(100)，装置(10)是用于生成晶体取向图的装置，该晶体取向图是表示相对于带电粒子射线的入射方向的、在样品表面的选择出的位置处的晶体的晶体坐标系的图，该装置(10)具备：取向信息获取部(1)，其获取选择出的位置处的晶体相对于入射方向的取向信息；入射方向信息获取部(2)，其获取与带电粒子射线相对于样品的入射方向有关的信息；以及晶体取向图生成部(3)，其基于由取向信息获取部(1)获取到的晶体的取向信息、由入射方向信息获取部(2)获取到的与获取到晶体的取向信息时的入射方向有关的信息以及与变更后的入射方向有关的信息，来生成选择出的位置处的变更后的入射方向下的晶体取向图。

Crystal orientation diagram generating device, charged particle ray device, crystal orientation diagram generating method and program

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体取向图生成装置、带电粒子射线装置、晶体取向图生成方法以及程序
本专利技术涉及一种晶体取向图生成装置以及具备该晶体取向图生成装置的带电粒子射线装置、晶体取向图生成方法以及程序。
技术介绍
扫描电子显微镜(SEM：ScanningElectronMicroscope)是如下的装置：将被加速的电子射线会聚为电子射线束，一边在样品表面上周期性地扫描一边进行照射，并检测从样品的被照射的局部区域产生的反射电子和/或二次电子等，将这些电信号转换为材料组织像，由此观察材料的表面形态、晶粒以及表面附近的位错等。在真空中从电子源引出的电子射线立即被加速，根据观察目的来以从1kV以下的低加速电压到30kV左右的高加速电压的不同的能量进行加速。然后，被加速的电子射线被聚光镜及物镜等磁场线圈聚焦为纳米级的极微小直径而成为电子射线束，同时通过偏转线圈进行偏转，由此使会聚的电子射线束在样品表面上扫描。另外，最近在使电子射线聚焦时，还采用也组合电场线圈这种形式。由于分辨率的限制，以往的SEM的主要功能是通过二次电子像来观察样品的表面形态，通过反射电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体取向图生成装置，被用于向样品的表面入射带电粒子射线的带电粒子射线装置，所述晶体取向图生成装置是用于生成晶体取向图的装置，该晶体取向图是表示相对于所述带电粒子射线的入射方向的、在所述表面的选择出的位置处的晶体的晶体坐标系的图，所述晶体取向图生成装置具备：/n取向信息获取部，其获取所述选择出的位置处的晶体相对于所述入射方向的取向信息；/n入射方向信息获取部，其获取与所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向有关的信息；以及/n晶体取向图生成部，其基于由所述取向信息获取部获取到的所述晶体的取向信息、由所述入射方向信息获取部获取到的与获取到所述晶体的取向信息时的入射方向有关的信息、以及在所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171025 JP 2017-2064571.一种晶体取向图生成装置，被用于向样品的表面入射带电粒子射线的带电粒子射线装置，所述晶体取向图生成装置是用于生成晶体取向图的装置，该晶体取向图是表示相对于所述带电粒子射线的入射方向的、在所述表面的选择出的位置处的晶体的晶体坐标系的图，所述晶体取向图生成装置具备：
取向信息获取部，其获取所述选择出的位置处的晶体相对于所述入射方向的取向信息；
入射方向信息获取部，其获取与所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向有关的信息；以及
晶体取向图生成部，其基于由所述取向信息获取部获取到的所述晶体的取向信息、由所述入射方向信息获取部获取到的与获取到所述晶体的取向信息时的入射方向有关的信息、以及在所述入射方向被变更后由所述入射方向信息获取部获取到的与变更后的入射方向有关的信息，来生成所述选择出的位置处的所述变更后的入射方向下的晶体取向图。


2.根据权利要求1所述的晶体取向图生成装置，其特征在于，
还具备输出部，
所述输出部将由所述晶体取向图生成部生成的、所述选择出的位置处的所述变更后的入射方向下的所述晶体取向图以显示于外部的显示装置的方式进行输出。


3.根据权利要求1所述的晶体取向图生成装置，其特征在于，
还具备输出部，
所述输出部将由所述带电粒子射线装置测定出的所述变更后的入射方向下的所述表面的带电粒子射线像、以及由所述晶体取向图生成部生成的所述选择出的位置处的所述变更后的入射方向下的所述晶体取向图以同时显示于外部的显示装置的方式进行输出。


4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶体取向图生成装置，其特征在于，
所述取向信息获取部分别获取所述表面的多个位置处的晶体的取向信息，
所述晶体取向图生成部分别生成所述多个位置处的晶体取向图。


5.一种带电粒子射线装置，具备根据权利要求1～4中的任一项所述的晶体取向图生成装置。


6.一种晶体取向图生成方法，被用于向样品的表面入射带电粒子射线的带电粒子射线装置，所述晶体取向图生成方法是用于生成晶体取向图的方法，该晶体取向图是表示相对于所述带电粒子射线的入射方向的、在所述表面的选择出的位置处的晶体的晶体坐标系的图，所述晶体取向图生成方法包括以下步骤：
(a)获取所述选择出的位置处的晶体相对于所述入射方向的取向信息；
(b)获取与所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向有关的信息；以及
(c)基于在所述(a)的步骤中获取到的所述晶体的取向信息、在所述(b)的步骤中获取到的与获取到所述晶体的取向信息时的入射方向有关的信息、以及在所述入射方向被变更后在所述(...

【专利技术属性】
技术研发人员：网野岳文，森孝茂，丸山直纪，
申请(专利权)人：日本制铁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP