一种改善相位特性的共射共基放大电路及信号处理系统技术方案

本发明专利技术公开了一种改善相位特性的共射共基放大电路及信号处理系统，该放大电路包括共射三极管Q1、共基三极管Q2和电容C1，所述共射三极管Q1的基极作为该放大电路的信号输入端，所述共射三极管Q1的集电极与所述共基三极管Q2的发射极连接，所述共射三极管Q1的发射极接地；所述共基三极管Q2的基极上加载控制信号，所述共基三极管Q2的集电极作为该放大电路的信号输出端；所述电容C1的第一极板与所述共基三极管Q2的基极，第二极板与所述共射三极管Q1的发射极共地；所述电容C1用于稳定在射频频段所述共基三极管Q2的基极电压。该电路消除了因共基三极管的基极电压变化而导致寄生电容（Cbc）变化进而影响放大器相位特性的情况，改善了放大电路的相位特性。

A common base amplifier circuit and signal processing system for improving phase characteristics

【技术实现步骤摘要】
一种改善相位特性的共射共基放大电路及信号处理系统
本专利技术属于电子电路领域，尤其是涉及一种改善相位特性的共射共基放大电路及信号处理系统。
技术介绍
放大电路亦称为放大器，它是使用最为广泛的电子电路之一、也是构成其他电子电路的基础单元电路。所谓放大，就是将输入的微弱信号(简称信号，指变化的电压、电流等)放大到所需要的幅度值且与原输入信号变化规律一致的信号，即进行不失真的放大，只有在不失真的情况下放大才有意义。放大电路的本质是能量的控制和转换，根据输入回路和输出回路的公共端不同，放大电路有三种基本形式:共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路。目前，共射放大电路为常用的放电电路之一，其电路结构如图1所示，共射放大电路结构中，基极与集电极之间的寄生电容（Cbc），对放大器的相位特性有直接影响。为解决共射放大电路基极与集电极之间的寄生电容对放大器相位特性造成的影响，电路设计人员采用共射共基放大电路，共射共基放大电路是由一个共射三极管和一个共基三极管构成，与由一个三极管构成的放大器相比，共射共基放大电路的有点在于：更高的输入-输出隔离度，更高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善相位特性的共射共基放大电路，其特征在于：该放大电路包括共射三极管Q1、共基三极管Q2和电容C1，所述共射三极管Q1的基极作为该放大电路的信号输入端，所述共射三极管Q1的集电极与所述共基三极管Q2的发射极连接，所述共射三极管Q1的发射极接地；所述共基三极管Q2的基极上加载控制信号，所述共基三极管Q2的集电极作为该放大电路的信号输出端；/n所述电容C1的第一极板连接所述共基三极管Q2的基极，第二极板与所述共射三极管Q1的发射极共地，用于保证所述共基三极管Q2的偏置信号是以共射三极管Q1的地作为参考点；/n所述电容C1用于稳定在射频频段所述共基三极管Q2的基极电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善相位特性的共射共基放大电路，其特征在于：该放大电路包括共射三极管Q1、共基三极管Q2和电容C1，所述共射三极管Q1的基极作为该放大电路的信号输入端，所述共射三极管Q1的集电极与所述共基三极管Q2的发射极连接，所述共射三极管Q1的发射极接地；所述共基三极管Q2的基极上加载控制信号，所述共基三极管Q2的集电极作为该放大电路的信号输出端；
所述电容C1的第一极板连接所述共基三极管Q2的基极，第二极板与所述共射三极管Q1的发射极共地，用于保证所述共基三极管Q2的偏置信号是以共射三极管Q1的地作为参考点；
所述电容C1用于稳定在射频频段所述共基三极管Q2的基极电压。


2.根据权利要求1所述的改善相位特性的共射共基放大电路，其特征在于：所述电容C1的电容值小于10pF。


3.根据权利要求1所述的改善相位特性的共射共基放大电路，其特征在于：还包括三极管Q3，所述三极管Q3的信号输出端接电源及接所述共射三极管Q1的基极，控制端用于信号输入，低电源端接地。


4.根据权利要求3所述的改善相位特性的共射共...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪楠，雷传球，胡自洁，曹原，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44