基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，包括二阶基片集成波导圆形腔，二阶基片集成波导圆形腔由单个基片集成波导圆形腔中心对称得到，二阶基片集成波导圆形腔包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿二阶基片集成波导圆形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔，同时介质基片中心和四周添加若干贯穿上金属层和下金属层的金属微扰通孔。相对于传统的基于基模的基片集成波导滤波器以及多层和多阶结构的基片集成波导滤波器，本发明专利技术结构简单，加工方便，体积更小，频率更高，适用于42～47GHz频段，可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。

Circular cavity filter of high order mode substrate integrated waveguide based on through-hole disturbance

【技术实现步骤摘要】
基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器
本专利技术涉及微波无源器件领域，特别是涉及一种基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器。
技术介绍
随着现代无线通信系统的高速发展和日臻成熟，作为其重要组成部分的滤波器也引起了广泛的关注和研究。传统的滤波器通常可以分为平面结构和非平面结构两大类。平面结构经常用到的诸如微带线、带状线和槽线等，而非平面结构主要由矩形波导、圆波导以及同轴线等结构构成。平面结构电路可以容易的将有源和无源等结构电路进行互连。然而，当频率增高到波长与传输线相比拟时，平面电路辐射损耗增加，传输效率降低导致这种结构不适合工作在毫米波波段，也无法构成高Q值的部件。相反，非平面结构具有损耗小、功率容量大等优点，但很难与其他电路如有源器件等有效的集成。基片集成波导则同时融合了波导和微带线的优点，例如高Q值、辐射损耗小、功率容量较大、易与平面电路集成和加工、成本低等优点，使得它得到了广泛的研究与应用。基片集成波导技术是最近十几年来出现的低插入损耗、高品质因数、高功率容量的一种新型的波导器件，基于PCB和LTCC等工艺实现的各种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，其特征在于，包括二阶基片集成波导圆形腔(3)，二阶基片集成波导圆形腔(3)由单个基片集成波导圆形腔(31)和单个基片集成波导圆形腔(32)中心对称，并由共面波导(7)相连得到；二阶基片集成波导圆形腔(3)包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿二阶基片集成波导圆形腔(3)的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔(4)，介质基片中心设有贯穿上金属层和下金属层的第一类金属微扰通孔(8)，介质基片四周预设位置添加两对贯穿上金属层和下金属层的第二类金属微扰通孔(9)和第三类金属微扰通孔(10)，...

【技术特征摘要】
1.一种基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，其特征在于，包括二阶基片集成波导圆形腔(3)，二阶基片集成波导圆形腔(3)由单个基片集成波导圆形腔(31)和单个基片集成波导圆形腔(32)中心对称，并由共面波导(7)相连得到；二阶基片集成波导圆形腔(3)包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿二阶基片集成波导圆形腔(3)的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔(4)，介质基片中心设有贯穿上金属层和下金属层的第一类金属微扰通孔(8)，介质基片四周预设位置添加两对贯穿上金属层和下金属层的第二类金属微扰通孔(9)和第三类金属微扰通孔(10)，二阶基片集成波导圆形腔(3)两侧分别通过基片集成波导圆形腔(31)左侧的共面波导(11)和基片集成波导圆形腔(32)右侧的共面波导(12)接有输入微带线(5)和输出微带线(6)。


2.根据权利要求1所述的基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，其特征在于：所述第一类金属扰动通孔(8)位于基片集成波导圆形腔(31)的中心处；所述第二类金属扰动通孔(9)包括位于基片集成波导圆形腔(31)左侧的金属扰动通孔(91)和位于基片集成波导圆形腔(31)右侧的金属扰动通孔(92)，两金属扰动通孔沿基片集成波导圆形腔(31)的直径镜像对称，且位于基片集成波导圆形腔(31)左侧的共面波导(11)与腔体连接处共面波导(7)所在半径所形成夹角的内侧；所述第三类金...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓维，杨献龙，王翔，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32