免保持动态D触发器、数据运算单元、芯片、算力板及计算设备制造技术

技术编号:24502410 阅读:35 留言:0更新日期:2020-06-13 05:45
本实用新型专利技术提供一种免保持动态D触发器、数据运算单元、芯片、算力板及计算设备。免保持动态D触发器包括输入端、输出端以及时钟信号端;输入驱动单元,用于反相传输所述输入端的数据;第一锁存单元,用于在时钟信号控制下锁存经所述输入驱动单元反相的所述数据;第二锁存单元,用于锁存所述输出端的数据并在时钟信号控制下将所述第一锁存单元锁存的所述数据反相传输;输出驱动单元,用于反相并输出从所述第二锁存单元接收到的所述数据;其中,所述第一锁存单元、所述第二锁存单元在时钟信号控制下通过单一元件实现高电平、低电平和高阻三种状态的输出。可以简化后端布局布线流程,降低设计难度,提高性能,增加实用性。

No hold dynamic D flip-flop, data computing unit, chip, force plate and computing equipment

【技术实现步骤摘要】
免保持动态D触发器、数据运算单元、芯片、算力板及计算设备
本技术涉及一种受时钟控制的存储器件,尤其涉及一种在计算设备中应用的免保持动态D触发器、数据运算单元、芯片、算力板及计算设备。
技术介绍
虚拟货币(如比特币、以太币)是一种P2P形式的数字货币,自2009年比特币系统推出以来就受到了广泛关注。该系统是基于区块链构建分布式共享总账,从而保证系统运行的安全、可靠以及去中心化。在哈希运算和工作量证明上,比特币是基于计算得到的唯一正确的哈希值,来证明工作量从而获得记账打包区块权,因此获得奖励,这就是工作量证明(Pow)。目前除了暴力计算外,还没有有效的算法进行哈希运算。比特币挖矿开始于CPU或者GPU这种低成本的硬件,不过随着比特币的流行,挖矿的过程出现较大变化。如今,挖矿活动转移到现场可编程门阵列(FPGA)或专用芯片(ASIC)上来,这种FPGA或ASIC挖矿模式的挖矿效率非常高。D触发器应用非常广泛,可用做数字信号的寄存,移位寄存,分频和波形发生器等。D触发器具有数据(Data)和时钟(CLK)两个输入,具有一个输出(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种免保持动态D触发器,其特征在于,包括:/n一输入端、一输出端以及一时钟信号端;/n一输入驱动单元,用于反相传输所述输入端的数据;/n一第一锁存单元,用于在时钟信号控制下锁存经所述输入驱动单元反相的所述数据;/n一第二锁存单元,用于锁存所述输出端的数据并在时钟信号控制下将所述第一锁存单元锁存的所述数据反相传输;/n一输出驱动单元,用于反相并输出从所述第二锁存单元接收到的所述数据;/n所述输入驱动单元、所述第一锁存单元、所述第二锁存单元以及所述输出驱动单元依次串接在所述输入端和所述输出端之间;/n其中,所述第一锁存单元、所述第二锁存单元在时钟信号控制下通过单一元件实现高电平、低电平和高阻三...

【技术特征摘要】
1.一种免保持动态D触发器,其特征在于,包括:
一输入端、一输出端以及一时钟信号端;
一输入驱动单元,用于反相传输所述输入端的数据;
一第一锁存单元,用于在时钟信号控制下锁存经所述输入驱动单元反相的所述数据;
一第二锁存单元,用于锁存所述输出端的数据并在时钟信号控制下将所述第一锁存单元锁存的所述数据反相传输;
一输出驱动单元,用于反相并输出从所述第二锁存单元接收到的所述数据;
所述输入驱动单元、所述第一锁存单元、所述第二锁存单元以及所述输出驱动单元依次串接在所述输入端和所述输出端之间;
其中,所述第一锁存单元、所述第二锁存单元在时钟信号控制下通过单一元件实现高电平、低电平和高阻三种状态的输出。


2.如权利要求1所述的免保持动态D触发器,其特征在于:所述第一锁存单元和/或所述第二锁存单元为三态反相器。


3.如权利要求2所述的免保持动态D触发器,其特征在于:所述三态反相器进一步包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管以及第二NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管以及所述第二NMOS晶体管依次串接在电源、地之间。


4.如权利要求3所述的免保持动态D触发器,其特征在于:更包括一时钟缓冲器,用于向所述时钟信号端提供时钟信号,所述时钟信号包括一第一时钟信号及一第二时钟信号,所述第一时钟信号与所述第二时钟信号反相。


5.如权利要求4所述的免保持动态D触发器,其特征在于:所述第一锁存单元的所述第一PMOS晶体管、所述第二锁存单元的所述第二NMOS晶体管根据所述第一时钟信号进行开关控制;所述第一锁存单元的所述第二NMOS晶体管、所述第二锁存单元的所述第一PMOS晶体管根据所述第二时钟信号进行开关控制。


6.如权利要求4所述的免保持动态D触发器,其特征在于:所述第一锁存单元的所述第一PMOS晶体管、所述第二锁存单元的所述第一NMOS晶体管根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘杰尧张楠赓马晟厚吴敬杰
申请(专利权)人:北京嘉楠捷思信息技术有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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