【技术实现步骤摘要】
谐振式传感器
本技术涉及检测传感器
，具体地，涉及一种谐振式传感器。
技术介绍
谐振式传感器通过被测量调制谐振元件的谐振频率、幅值或者相位进行测量。谐振式传感器具有大的动态范围，很高的灵敏度、重复性和很小的滞后。利用谐振式传感器进行精密传感成为一个很有潜力的领域。专利文献CN208902313U公开了一种谐振式压力传感器，包括硅晶圆，薄膜部分，谐振部分，谐振部分固定点，背孔，盖帽，吸气剂层，支撑硅层，埋层氧化层，顶层硅薄膜，多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜；SOI晶圆是由顶层硅薄膜、埋层氧化层和支撑硅层组成；以硅晶圆或是SOI晶圆作为衬底，形成谐振式压力传感器的薄膜部分，或者在SOI晶圆衬底上由顶层硅薄膜和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜，形成谐振式压力传感器的薄膜部分。一种谐振式压力传感器的制作工艺，谐振部分是通过淀积外延/多晶硅层实现的，衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道-谐振式压力传感器的背孔。但该谐振式传感器加工复杂、成本高。专利文献CN105203234B公开了一种谐振式压力传感器。该包括：传感器本体，在该传感器本体的底部形成压力敏感膜；在该压力敏感膜上形成有两谐振器-第一谐振器和第二谐振器，其中，该两谐振器具有相同的固有频率，且两者对作用于压力敏感膜上的压力P的灵敏度大小相等，第一谐振器位于压力敏感膜的中央位置，第二敏感膜位于压力敏感膜的边缘位置，但该设计检测量单一。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种谐振式传感器。根据本技术提供...
【技术保护点】
1.一种谐振式传感器，其特征在于，包括谐振元件(1)、激励线圈(2)、敏感体(5)、壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)、占位圆柱(11)以及感测件(14)；/n所述壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)围成容纳空间(16)；/n谐振元件(1)、敏感体(5)、感测件(14)依次设置在容纳空间(16)中，感测件(14)延伸至前端盖(8)的外侧；/n占位圆柱(11)设置在容纳空间(16)中并设置在谐振元件(1)的外侧；/n激励线圈(2)缠绕在谐振元件(1)上；/n谐振元件(1)和敏感体(5)为同一元件或不同元件。/n
【技术特征摘要】
1.一种谐振式传感器，其特征在于，包括谐振元件(1)、激励线圈(2)、敏感体(5)、壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)、占位圆柱(11)以及感测件(14)；
所述壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)围成容纳空间(16)；
谐振元件(1)、敏感体(5)、感测件(14)依次设置在容纳空间(16)中，感测件(14)延伸至前端盖(8)的外侧；
占位圆柱(11)设置在容纳空间(16)中并设置在谐振元件(1)的外侧；
激励线圈(2)缠绕在谐振元件(1)上；
谐振元件(1)和敏感体(5)为同一元件或不同元件。
2.根据权利要求1所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括导磁后盖(9)、永磁体(13)、碟簧(15)；
导磁后盖(9)设置在谐振元件(1)与后端盖(10)之间；
导磁后盖(9)分别与谐振元件(1)与后端盖(10)接触连接；
永磁体(13)设置在谐振元件(1)和占位圆柱(11)之间并设置在导磁后盖(9)上；
碟簧(15)设置在前端盖(8)和感测件(14)之间；
碟簧(15)的两端分别与前端盖(8)和感测件(14)紧固连接。
3.根据权利要求2所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括感测体(4)和球形外壳(12)；
感测体(4)与感测件(14)紧固连接；
感测体(4)和球形外壳(12)共同围成球形；
壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)设置在感测体(4)和球形外壳(12)的内部。
4.根据权利要求1所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括传导件(6)，传导件(6)设置在占位圆柱(11)和感测件(14)之间并与敏感体(5)间隙连接。
5.根据权利要求4所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括感测体(4)和球形外壳(12)；
感测体(4)与感测件(14)紧固连接；
感测体(4)和球形外壳(12)共同围成球形；
壳体(7)、前端盖(...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌堂，刘鲁楠，杨诣坤，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：新型
国别省市：上海;31
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