含铜酸性蚀刻液循环再生的方法技术

一种含铜酸性蚀刻液循环再生的方法，通过将已经达到寿命的所述第一含铜酸性蚀刻溶液、所述第一化合物按照一定的比例混合、搅拌、过滤，得到所述第二含铜酸性蚀刻溶液和吸附有铜离子的所述第一化合物；再分别在吸附有铜离子的所述第一化合物中按比例添加一定量的水和乙二胺四乙酸二钠得到所述第一化合物和含有铜离子的溶液；最后再在所述第二含铜酸性蚀刻溶液中按比例加入一定量的添加剂，获得可重新使用的所述第一含铜酸性蚀刻溶液；有益效果：投入较小的成本，以使得所述第一化合物与所述第一含铜酸性蚀刻溶液循环再生的方法，不仅降本增效，而且使得更有利于环保。

Recycling method of acid etching solution containing copper

【技术实现步骤摘要】
含铜酸性蚀刻液循环再生的方法
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种含铜酸性蚀刻液循环再生的方法。
技术介绍
铜酸蚀刻液是半导体和显示技术中一类重要的原材料。半导体、TFT-LCD(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)、OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光半导体)等微电路原件首先由铜、钼或其合金在玻璃基板或者绝缘层上形成一定厚度的膜层，再用光刻胶形成图案，然后用铜酸蚀刻液将图案外的金属蚀刻掉，最后再用去光阻液将光刻胶去掉，以进行金属膜层的图案化，形成电极电路。随着显示器的大型化以及画质高清化，需要电阻率更低的金属来做电子传输导线，目前铜金属可以满足电导率高、价格相对较低等要求，但由于其与玻璃基板的粘附性较差以及铜元素易于向氧硅或者氮硅膜内进行扩散，所以会在其与玻璃之间加一层很薄的缓冲层，一般选用钼或者钼合金。通常用于金属层蚀刻的铜酸蚀刻溶液主要成分为过氧化氢和一些添加剂；过氧化氢用于对金属进行氧化，而添加剂则主要将氧化物酸化成离子态，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含铜酸性蚀刻液循环再生的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：/nS10，提供预设体积的已经达到寿命的第一含铜酸性蚀刻溶液；/nS20，在所述第一含铜酸性蚀刻溶液中加入预设质量的第一化合物；/nS30，混合、搅拌所述第一化合物和所述第一含铜酸性蚀刻溶液，得到第一混合溶液，并采用电感耦合等离子体发射光谱仪检测反应后的所述第一混合溶液中铜离子的浓度是否下降到预设的浓度范围；/nS40，当检测到反应后的所述第一混合溶液的浓度下降到预设的浓度范围内后，对反应后的所述第一混合溶液进行过滤，获得第二含铜酸性蚀刻溶液和吸附有铜离子的所述第一化合物；/nS50，在所述吸附有铜离子的所述第一化合物中添加...

【技术特征摘要】
1.一种含铜酸性蚀刻液循环再生的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
S10，提供预设体积的已经达到寿命的第一含铜酸性蚀刻溶液；
S20，在所述第一含铜酸性蚀刻溶液中加入预设质量的第一化合物；
S30，混合、搅拌所述第一化合物和所述第一含铜酸性蚀刻溶液，得到第一混合溶液，并采用电感耦合等离子体发射光谱仪检测反应后的所述第一混合溶液中铜离子的浓度是否下降到预设的浓度范围；
S40，当检测到反应后的所述第一混合溶液的浓度下降到预设的浓度范围内后，对反应后的所述第一混合溶液进行过滤，获得第二含铜酸性蚀刻溶液和吸附有铜离子的所述第一化合物；
S50，在所述吸附有铜离子的所述第一化合物中添加预设比例的乙二胺四乙酸二钠和水，得到第二混合溶液，并搅拌过滤得到所述第一化合物和含有铜离子的溶液；
S60，再在所述第二含铜酸性蚀刻溶液中加入预设体积的添加剂，获得可重新使用的所述第一含铜酸性蚀刻溶液。


2.根据权利要求1所述的含铜酸性蚀刻液循环再生的方法，其特征在于，步骤“S20”中所述预设质量的第一化合物与步骤“S10”中所述预设体积的已经达到寿命的第一含铜酸性蚀刻溶液之间的比例范围为：20-80克每升；步骤“S50”中，所述水占所述第一混合溶液的质量范围为：0.2496～0.6224克；所述乙二胺四乙酸二钠占所述第一混合溶液的质量范围为：0.0017～0.0042克；吸附有铜离子的所述第一化合物占所述第一混合溶液的质量范围为：0.3734～0.7487克。


3.根据权利要求1所述的含铜酸性蚀刻液循...

【专利技术属性】
技术研发人员：张月红，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44