【技术实现步骤摘要】
功率变压器及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种功率变压器及其制造方法。
技术介绍
由于开关频率的提升能显著的减小磁性元件的体积，目前的IC封装集成电源为了提高电源的整体功率密度，不停的向高频化发展。磁性元件的厚度是磁性元件的一个重要指标，相同的损耗，相同材质的情况下，厚度越薄磁性元件的热阻越小，温度越低，整个器件的可靠性越高。然而传统变压器的厚度，其实并不能通过开关频率的提高而有效地改善。目前通常采用的变压器主要分为两种，第一种是绕线式变压器，这种变压器是通过将铜线绕制在磁芯上形成的变压器。第二种是PCB绕组变压器，铜线由印刷电路板来替代。对于绕线式变压器。变压器的厚度是由上，下磁芯盖板的厚度，绕线窗口的厚度，绕线底座厚度的累加。而变压器的最低厚度是被材料本身物理特性，加工工艺和制程限制的，无论开关频率如何提升都无法改变。如绕线单股漆包线的直径低于0.09mm时，绕线会容易折断。当需要特定匝比时n:1时，变压器至少需要n+1匝。因此窗口的高度，即使在1:1最极端的情况下也需要0.11mm*...
【技术保护点】
1.一种功率变压器，其特征在于，包括：/n有且仅有一个磁体层；以及，/n至少一个初级绕组层和至少一个次级绕组层，其所在的平面均与所述磁体层平行；/n其中，在所述变压器的垂直方向上，所述初级绕组层以及所述次级绕组层位于所述磁体层的同一侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率变压器，其特征在于，包括：
有且仅有一个磁体层；以及，
至少一个初级绕组层和至少一个次级绕组层，其所在的平面均与所述磁体层平行；
其中，在所述变压器的垂直方向上，所述初级绕组层以及所述次级绕组层位于所述磁体层的同一侧。
2.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述磁体层为片状的薄膜磁体。
3.根据权利要求2所述的功率变压器，其特征在于，所述片状的薄膜磁体为流延铁氧体薄膜。
4.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述初级绕组层和次级绕组层利用IC封装工艺实现。
5.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述初级绕组层和次级绕组层利用PCB板工艺实现。
6.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述次级绕组层临近所述磁体层，所述初级绕组层临近所述次级绕组层。
7.根据权利要求6所述的功率变压器，其特征在于，在所述变压器的垂直方向上，所述磁体层位于所述次级绕组层的第一侧，所述初级绕组层位于所述次级绕组层的第二侧，其中，所述次级绕组层的第一侧与第二侧相对。
8.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述初级绕组层和次级绕组层的出线端均设在远离所述磁体层的一侧。
9.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述磁体层的面积不小于所述初级绕组层中线圈的主体部分的面积，且不小于所述次级绕组层中线圈的主体部分的面积。
10.根据权利要求1所述的功率变压...
【专利技术属性】
技术研发人员：代克，危建，颜佳佳，
申请(专利权)人：南京矽力微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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