像素驱动电路及显示面板制造技术

本申请提供的像素驱动电路及显示面板，采用5T1C结构的像素驱动电路对每一像素中的驱动晶体管的阈值电压进行有效补偿，能够有效降低像素驱动电路在提取阈值电压时的漏电功耗，进而提高像素驱动电路的补偿精度。

Pixel driving circuit and display panel

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路及显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种像素驱动电路及显示面板。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay，有源矩阵有机发光二极管)作为新一代显示技术，具有更高的对比度、更快反应速度和更广视角，目前已被广泛地应用于高性能显示领域中。在驱动方式上，AMOLED属于电流驱动型，对晶体管的电性变异较为敏感，晶体管的阈值电压Vth的均匀性和飘移均影响画面显示的准确性和均匀性，为了解决这一问题，通常会引入像素补偿电路。印刷式显示技术是AMOLED显示发展的重要方向之一，然而印刷式OLED器件的启亮电压较低，采用传统的像素补偿电路，漏电功耗较高，补偿精度较低。
技术实现思路
本申请实施例提供一种像素驱动电路及显示面板，以解决现有技术中像素驱动电路的漏电功耗高，补偿精度低的技术问题。本申请提供了一种像素驱动电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、电容以及发光器件；所述第一晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第一晶体管的源极电性连接于第二节点，所述第一晶体管的漏极接入电源电压；所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号，所述第二晶体管的源极接入数据信号，所述第二晶体管的漏极电性连接于所述第一节点；所述第三晶体管的栅极接入第二扫描信号，所述第三晶体管的源极接入参考信号，所述第三晶体管的漏极电性连接于所述第二节点；所述第四晶体管的栅极接入重置信号，所述第四晶体管的源极接入复位信号，所述第四晶体管的漏极电性连接于所述第一节点；所述第五晶体管的栅极接入控制信号，所述第五晶体管的源极电性连接于所述第二节点，所述第五晶体管的漏极电性连接于所述发光器件的阳极；所述电容的第一端电性连接于所述第一节点，所述电容的第二端电性连接于所述第二节点；所述发光器件的阳极电性连接于所述第五晶体管的漏极，所述发光器件的阴极接地。在本申请提供的像素驱动电路中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管均为同种类型的晶体管。在本申请提供的像素驱动电路中，所述像素驱动电路的驱动时序包括：第一复位阶段，对所述第二节点的电位进行复位；第二复位阶段，对所述第一节点的电位进行复位；阈值电压提取阶段，提取所述第一晶体管的阈值电压并存储至所述电容上；数据写入阶段，将所述数据信号写入所述电容的第一端，并根据所述电容的耦合作用，所述电容的第二端的电位跳变至相应电位。在本申请提供的像素驱动电路中，在所述第一复位阶段，所述第二扫描信号和所述控制信号为高电位，所述第一扫描信号及所述重置信号为低电位，所述参考信号通过所述第三晶体管传输至所述第二节点。在本申请提供的像素驱动电路中，在所述第二复位阶段，所述第二扫描信号和所述重置信号为高电位，所述第一扫描信号和所述控制信号为低电位，所述复位信号通过所述第四晶体管传输至所述第一节点。在本申请提供的像素驱动电路中，在所述阈值电压获取阶段，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号及所述控制信号为低电位，所述重置信号为高电位，所述复位信号通过所述第四晶体管对所述电容进行充电，直至所述第一晶体管的栅极与源极之间的压差等于所述第一晶体管的阈值电压时截止。在本申请提供的像素驱动电路中，在所述数据写入阶段，所述第一扫描信号为高电位，所述第二扫描信号和所述重置信号为低电位，所述数据信号通过所述第二晶体管传输至所述电容的第一端，所述第二节点的电位根据所述电容的耦合作用跳变为相应电位。在本申请提供的像素驱动电路中，在所述数据写入阶段，所述控制信号由低电位转换为高电位，所述电源电压通过所述发光器件的阳极传输至所述发光器件的阴极，所述发光器件发光。在本申请提供的像素驱动电路中，流经所述发光器件的电流与所述第一晶体管的阈值电压无关。相应地，本申请还提供一种显示面板，该显示面板包括以上所述的像素驱动电路。本申请实施例提供的像素驱动电路及显示面板，采用5T1C结构的像素驱动电路对每一像素中的驱动晶体管的阈值电压进行有效补偿，该像素驱动电路能够有效降低显示面板在提取阈值电压时的漏电功耗，进而提高像素驱动电路的补偿精度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的像素驱动电路的结构示意图；图2是本申请实施例提供的像素驱动电路的时序示意图；图3是本申请实施例提供的像素驱动电路在图2所示的驱动时序下的第一复位阶段的通路示意图；图4是本申请实施例提供的像素驱动电路在图2所示的驱动时序下的第二复位阶段的通路示意图；图5是本申请实施例提供的像素驱动电路在图2所示的驱动时序下的阈值电压获取阶段的通路示意图；图6是本申请实施例提供的像素驱动电路的阈值电压补偿精度偏差值的变化曲线。图7是本申请实施例提供的像素驱动电路在图2所示的驱动时序下的数据写入阶段的第一通路示意图；图8是本申请实施例提供的像素驱动电路在图2所示的驱动时序下的数据写入阶段的第二通路示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。本申请所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本申请实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定开关晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、输出端为漏极。此外本申请实施例所采用的晶体管可以包括P型晶体管和/或N型晶体管两种，其中，P型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。请参阅图1，图1为本申请实施例提供的像素驱动电路的结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的像素驱动电路包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、电容C以及发光器件D。该发光器件D可以为有机发光二极管。也即，本申请实施例采用5T1C结构的像素驱动电路对每本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、电容以及发光器件；/n所述第一晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第一晶体管的源极电性连接于第二节点，所述第一晶体管的漏极接入电源电压；/n所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号，所述第二晶体管的源极接入数据信号，所述第二晶体管的漏极电性连接于所述第一节点；/n所述第三晶体管的栅极接入第二扫描信号，所述第三晶体管的源极接入参考信号，所述第三晶体管的漏极电性连接于所述第二节点；/n所述第四晶体管的栅极接入重置信号，所述第四晶体管的源极接入复位信号，所述第四晶体管的漏极电性连接于所述第一节点；/n所述第五晶体管的栅极接入控制信号，所述第五晶体管的源极电性连接于所述第二节点，所述第五晶体管的漏极电性连接于所述发光器件的阳极；/n所述电容的第一端电性连接于所述第一节点，所述电容的第二端电性连接于所述第二节点；/n所述发光器件的阳极电性连接于所述第五晶体管的漏极，所述发光器件的阴极接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、电容以及发光器件；
所述第一晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第一晶体管的源极电性连接于第二节点，所述第一晶体管的漏极接入电源电压；
所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号，所述第二晶体管的源极接入数据信号，所述第二晶体管的漏极电性连接于所述第一节点；
所述第三晶体管的栅极接入第二扫描信号，所述第三晶体管的源极接入参考信号，所述第三晶体管的漏极电性连接于所述第二节点；
所述第四晶体管的栅极接入重置信号，所述第四晶体管的源极接入复位信号，所述第四晶体管的漏极电性连接于所述第一节点；
所述第五晶体管的栅极接入控制信号，所述第五晶体管的源极电性连接于所述第二节点，所述第五晶体管的漏极电性连接于所述发光器件的阳极；
所述电容的第一端电性连接于所述第一节点，所述电容的第二端电性连接于所述第二节点；
所述发光器件的阳极电性连接于所述第五晶体管的漏极，所述发光器件的阴极接地。


2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管均为同种类型的晶体管。


3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路的驱动时序包括：
第一复位阶段，对所述第二节点的电位进行复位；
第二复位阶段，对所述第一节点的电位进行复位；
阈值电压提取阶段，提取所述第一晶体管的阈值电压并存储至所述电容上；
数据写入阶段，将所述数据信号写入所述电容的第一端，并根据所述电容的耦合作用，所述电容的第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛炎，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44