【技术实现步骤摘要】
基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片及其设计方法
本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片及其设计方法。
技术介绍
随着现代天线通信系统的飞速发展，频谱拥挤的矛盾日益突出。由于手持便携设备的普及，接收机向小型化和集成化发展，多种通信指标并存的情况日益明显。现在的便携设备需要能够适应不同频段的移动通信。传统做法是设计多个接收机，他们共用天线，每个接收机通过一个滤波器来选择信号，然后通过开关来进行频带之间的切换。但是这样的设计需要较多的开关和滤波器。然而可调滤波器的出现，为这个难题提供了一个很好的解决办法，通过在通信设备中添加频率可调滤波器，可以实现对不同频率信号的接收。可调滤波器具有中心频率可调、通带带宽可调和传输零点可调等功能。可以根据系统要求指标，通过外部控制电路进行相应的改变，其频率和带宽对于整个系统具有很好的灵活性，同时可以有效的减少接收机中使用的滤波器数量、系统损耗和整体费用，很好的适应了天线通信系统的发展要求。对于集成在微带线结构上的微带可调滤波器，因其拥有加工工艺方便快捷、...
【技术保护点】
1.基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片，其特征在于：包括半集总拓扑、GaAs FET管拓扑、输入端PAD和输出端PAD；/n所述半集总拓扑包括依次串联连接的第一串联耦合电容、第二串联耦合电容、第三串联耦合电容、第四串联耦合电容、并联在第一串联耦合电容和第二串联耦合电容之间的节点上的第一组半集总谐振器、并联在第二串联耦合电容与第三串联耦合电容之间的节点上的第二组半集总谐振器以及并联在第三串联耦合电容与第四串联耦合电容之间的节点上的第三组半集总谐振器；所述第一组半集总谐振器包括并联连接的第一并联MIM电容和第一MET短截线；所述第二组半集总谐振器包括并联连接的第二并联MIM电...
【技术特征摘要】
1.基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片，其特征在于：包括半集总拓扑、GaAsFET管拓扑、输入端PAD和输出端PAD；
所述半集总拓扑包括依次串联连接的第一串联耦合电容、第二串联耦合电容、第三串联耦合电容、第四串联耦合电容、并联在第一串联耦合电容和第二串联耦合电容之间的节点上的第一组半集总谐振器、并联在第二串联耦合电容与第三串联耦合电容之间的节点上的第二组半集总谐振器以及并联在第三串联耦合电容与第四串联耦合电容之间的节点上的第三组半集总谐振器；所述第一组半集总谐振器包括并联连接的第一并联MIM电容和第一MET短截线；所述第二组半集总谐振器包括并联连接的第二并联MIM电容和第二MET短截线；所述第三组半集总谐振器包括并联连接的第三并联MIM电容和第三MET短截线；
所述GaAsFET管拓扑包括并联在第一串联耦合电容与第二串联耦合电容之间的节点上的第一GaAsFET管、并联在第二串联耦合电容与第三串联耦合电容之间的节点上的第二GaAsFET管和并联在第三串联耦合电容与第四串联耦合电容之间的节点上的第三GaAsFET管。
2.根据权利要求1所述的基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片，其特征在于：所述第一MET短截线，第二MET短截线，第三MET短截线的长度均小于四分之一波长。
3.根据权利要求1所述的基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片，其特征在于：所述第一并联MIM电容、第二并联MIM电容和第三并联MIM电容均采用平行板电容，所述平行板电容由金属-绝缘体-金属堆叠而成。
4.根据权利要求1所述的基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片，其特征在于：所述输入端PAD、输出端PAD、半集总拓扑和GaAsFET管拓扑均采用微波单片集成电路工艺中的0.25umGaAspHEMT工艺制造，所述0.25umGaAspHEMT工艺中的GaAs衬底的介电常数为12.9，损耗角正切值为0.001，厚度为0.1mm；所述GaAs衬底上设有接地焊盘。
5.根据权利要求1所述的基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片，其特征在于：所述第一串联耦合电容和第二串联耦合电容之间、第二串联耦合电容和第三串联耦合电容之间、第三串联耦合电容和第四串联耦合电容之间均通过50欧姆MET传输线相连。
6.根据权利要求1所述的基于半集总拓扑的可重构带通滤波器芯片，其特征在于：所述第一GaAsFET管、第二GaAsFET管和第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱浩然，黄志祥，宁欣宇，吴博，吴先良，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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