【技术实现步骤摘要】
多自由度样品杆
本专利技术涉及电子显微镜、透射电镜下使用的样品杆。
技术介绍
透射电子显微镜(TEM)可以看到在普通光学显微镜下无法看清的小于0.2μm的细微结构,这些结构称为亚显微结构或超微结构。1932年Ruska专利技术了以电子束为光源的透射电子显微镜,目前TEM的分辨力可达0.2nm。原位观察技术在透射电子显微学研究中有着悠久的历史。通过在样品上施加各种物理作用,利用透射电子显微镜(透射电镜)来观察材料的微观结构和化学状态的变化,可以直观地研究材料或器件在实际使用过程中的性能表现,对于材料性能的研究有着重要的实际意义。透射电镜中的原位技术其难度在于不但要将物理作用准确地施加在样品上,同时还要满足一系列苛刻的条件,比如要维持电镜系统的超高真空度,保证样品台极高的稳定度,且不能干扰成像光路,整个结构必须紧凑以适用于透射电镜狭小的样品室等。因此,原位电镜技术的难点主要体现在原位样品杆的研究和制作上。瑞典K.Svensson等人在2003年发表的文章《Compactdesignofatransmissione ...
【技术保护点】
1.多自由度样品杆,包括骨架和转轴,转轴末端设有磁铁,骨架设有引出电路板,其特征在于:骨架开有缺口,引出电路板包括弯折部,弯折部位于缺口内,磁场传感器固定于弯折部。/n
【技术特征摘要】
1.多自由度样品杆,包括骨架和转轴,转轴末端设有磁铁,骨架设有引出电路板,其特征在于:骨架开有缺口,引出电路板包括弯折部,弯折部位于缺口内,磁场传感器固定于弯折部。
2.如权利要求1所述的多自由度样品杆,其特征在于:引出电路板包括平面部,平面部和弯折部弯折覆盖于骨架,平面部和弯折部通过导线连接,磁场传感器与弯折部焊锡连接。
3.如权利要求2所述的多自由度样品杆,其特征在于:引出电路板为PCB印制电路板。
4.如权利要求3所述的多自由度样品杆,其特征在于:平面部和弯折部呈“L”型,磁场传感器与磁铁相对。
5.如权利要求4所述的多自由度样品杆,其特征在于:骨架和转轴之间设有至少一组转轴驱动组件,每一组转轴驱动组件包括驱动单元,驱动单元包括基板和压电陶瓷片。
6.如权利要求5所述的多自由度样品杆,其特征在于:驱动单元的压电陶瓷片的剪切变形方向与转轴的轴向一致,压电陶瓷片粘接于基板,基板为绝缘体,压电陶瓷片的两侧表面涂敷...
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