一种特殊无铝焊接键合工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种特殊无铝焊接键合工艺，包括如下步骤：步骤一：对芯片进行外观检查；步骤二：使用焊线嘴在焊接区域进行摩擦得到铝键合区域；步骤三：将去离子的纯水与磷酸混合得到第一溶液；步骤四：将第一溶液喷涂在键合区域上，用去离子的纯水将键合区域进行两次冲洗和干燥。步骤五：使用焊线嘴在焊接区域上进行摩擦同时对焊接区域吹氮气得到焊接键合区域；步骤六：将去离子的纯水和稀盐酸进行混合得到第二溶液；步骤七：将第二溶液喷涂在焊接键合区域上，用去离子的纯水对喷涂的第二溶液清洗、干燥，然后继续清洗焊接键合区域、干燥，然后放入氮气柜中；步骤八：使用焊线嘴在焊接键合区域上进行摩擦同时吹氮气，使用金线进行焊接键合。

A special non aluminum welding bonding process

【技术实现步骤摘要】
一种特殊无铝焊接键合工艺
本专利技术涉及一种焊接领域，特别涉及一种特殊无铝焊接键合工艺。
技术介绍
目前在封装的行业内，用于实现批量生产的焊接键合工艺根据原理来分主要有两种，一种是基于金线(含铜线、合金线)的键合工艺，另一种是基于铝线的键合工艺，但这两种键合工艺的焊接对象为芯片上的焊接区(PAD)，对于焊接区的基本要求是焊接区表面是铝层，该铝层用于与焊接线(金、铜、合金、铝)形成合金，从而用于导通与键合固化，所以铝层对于现有的键合工艺是关键和必不可少的，而在实际的晶圆制造过程中，还是会有由于工艺、设备及人员等原因会导致出现铝焊接表面的异常问题，例如出现铝层损坏或不稳定等，这样就会影响铝层与金属连线的结合情况，使其连接力下降，也就不符合现有的键合工艺要求，无法对这一些芯片实现焊接键合连线，导致产品的报废，影响了最终产品的验证，大大延长了产品的研发交期。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种减少焊接时的气孔、增大焊接的接触面积、焊接牢固、稳定并符合键合工艺要求的特殊无铝焊接键合工艺。本专利技术解决其技术问题所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种特殊无铝焊接键合工艺，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤一：对无铝或铝层破损的芯片进行外观检查；/n步骤二：使用焊线嘴在无铝或者铝层破损的焊接区域的表面进行反复摩擦得到铝层与硅结合力减弱的键合区域；/n步骤三：将去离子的纯水与磷酸混合得到第一溶液；/n步骤四：将步骤三中得到的第一溶液喷涂在步骤二中得到的键合区域上，用去离子的纯水将键合区域冲洗然后干燥，然后再次进行冲洗和干燥得到去除铝的洁净的焊接区域；/n步骤五：使用焊线嘴在步骤四中得到的焊接区域上进行反复摩擦同时对焊接区域吹氮气得到焊接键合面积增大且氧化少的焊接键合区域；/n步骤六：将去离子的纯水和稀盐酸进行混合得到第二溶液；/n步骤...

【技术特征摘要】
1.一种特殊无铝焊接键合工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一：对无铝或铝层破损的芯片进行外观检查；
步骤二：使用焊线嘴在无铝或者铝层破损的焊接区域的表面进行反复摩擦得到铝层与硅结合力减弱的键合区域；
步骤三：将去离子的纯水与磷酸混合得到第一溶液；
步骤四：将步骤三中得到的第一溶液喷涂在步骤二中得到的键合区域上，用去离子的纯水将键合区域冲洗然后干燥，然后再次进行冲洗和干燥得到去除铝的洁净的焊接区域；
步骤五：使用焊线嘴在步骤四中得到的焊接区域上进行反复摩擦同时对焊接区域吹氮气得到焊接键合面积增大且氧化少的焊接键合区域；
步骤六：将去离子的纯水和稀盐酸进行混合得到第二溶液；
步骤七：将步骤六中得到的第二溶液喷涂在步骤五中得到的焊接键合区域上，然后用去离子的纯水对喷涂在焊接键合区域上的第二溶液进行清洗、干燥，然后继续用去离子的纯水清洗焊接键合区域、干燥，然后放入氮气柜中得到氧化少的焊接键合区域；
步骤八：使用焊线嘴在步骤七中得到的焊接键合区域上进行反复摩擦同时对焊接键合区域吹氮气，然后使用金线进行焊接键合得到连线与导通的引脚。


2.如权利要求1所述的一种特殊无铝焊接键合工艺，其特征在于：所述步骤二、步骤五和步骤八中的焊线嘴的材质均为陶瓷。


3.如权利要求1所述的一种特殊无铝焊接键合工艺，其特征在于：所述步骤二中焊线嘴在焊接区域的表面进行反复摩擦的时间为5-15S。


4.如权利要求1所述的一种特殊无铝焊接键合工艺，其特征在于：所述步骤三中磷酸的浓度为85％。...

【专利技术属性】
技术研发人员：万新欣，韩金龙，
申请(专利权)人：格物感知深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44