晶圆清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括：旋转室；基座，其设置于所述旋转室内；旋转组件，其设置于所述基座上，用于放置晶圆，并带动所述晶圆旋转；清洗液回收组件，所述清洗液回收组件包括：第一阻挡件，其以包围所述旋转组件的方式设置；加热器件，其嵌设于所述第一阻挡件内，用于对所述第一阻挡件加热。

Wafer cleaning device

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置
本专利技术涉及一种半导体
，特别涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
晶圆在清洗过程中通常需要使用到化学物质，晶圆清洗装置在对晶圆进行清洗的过程中，随着旋转台的旋转，化学物质因受到离心力的作用会往四周溅射，从而附着在旋转室的内壁。为了防止化学物质的四处溅射，通常会使用挡板进行遮挡，但是，这些化学物质附着在挡板上容易出现化学物质掉落到晶圆上等问题，从而导致晶圆的良率降低。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种晶圆清洗装置，以快速去除附着在挡板上的化学物质。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括：旋转室；基座，其设置于所述旋转室内；旋转组件，其设置于所述基座上，用于放置晶圆，并带动所述晶圆旋转；清洗液回收组件，所述清洗液回收组件包括：第一阻挡件，其以包围所述旋转组件的方式设置；加热器件，其嵌设于所述第一阻挡件内，用于对所述第一阻挡件加热。相较于现有技术，本专利技术提供的晶圆清洗装置通过在第一阻挡件内嵌设加热器件以对第一阻挡件进行加热，如此，在清洗过程中，由于第一阻挡件具有一定的温度，清洗液溅射到第一阻挡件上时会保持为液体的状态而不易附着在第一阻挡件上，从而有效防止清洗液附着在第一阻挡件上而落到晶圆上，如此，能够有效地提高晶圆的良率。附图说明图1是本专利技术实施方式的晶圆清洗装置的示意图。图2是本专利技术实施方式的晶圆清洗装置中的第一阻挡件的立体示意图。图3A是表示第一阻挡件内未嵌设有加热器件时，第一阻挡件中的第一挡板所附着的化学物质的情况的图。图3B是表示第一阻挡件内嵌设由加热器件时，第一阻挡件中的第一挡板所附着的化学物质的情况的图。主要元件符号说明晶圆清洗装置100晶圆200旋转室10基座20旋转组件30支撑件31驱动组件32旋转台33喷嘴41管道42第一阻挡件51第一挡板511第二挡板512第二阻挡件52加热器件53电源54具体实施方式附图中示出了本专利技术的实施例，本专利技术可以通过多种不同形式实现，而并不应解释为仅局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本专利技术更为全面和完整的公开，并使本领域的技术人员更充分地了解本专利技术的范围。为了清晰可见，在图中，层和区域的尺寸被放大了。除非另外定义，这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所述领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解，比如在通用的辞典中所定义的那些的术语，应解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义相一致的含义，而不应以过度理想化或过度正式的含义来解释，除非在本文中明确地定义。请参阅图1，本专利技术提供一种晶圆清洗装置100，用于对晶圆200进行清洗。该晶圆清洗装置100包括旋转室10、基座20、旋转组件30、清洗液供给组件以及清洗液回收组件。基座20设置于旋转室10内。旋转组件30设置于基座20上，用于放置晶圆200，并带动晶圆200旋转从而进行清洗。本实施方式中，旋转组件30包括支撑件31、驱动件32以及旋转台33。支撑件31设置于基座20上，用于支撑驱动件32以及旋转台33。驱动件32设置于支撑件31上，用于提供驱动力，以驱动旋转台33旋转，进而带动晶圆200旋转。本实施方式中，驱动件32可以为电动马达。旋转台33设置于驱动件32上，并在驱动件32的驱动作用下旋转。旋转台33用于承载晶圆200。更详细地，旋转台33上设置有吸盘(未图示)，用于吸住晶圆200以使晶圆200随着旋转台33旋转。其中，吸盘与抽吸装置(未图示)连通，如此，利用该抽吸装置产生的负压来将晶圆200保持在吸盘上，进而随着旋转台33旋转。可以理解，吸盘可以是由多孔性材料制成。可以理解，晶圆200在清洗过程中，旋转组件200在控制装置(未图示)的控制作用下旋转，从而带动晶圆200旋转，以对晶圆200进行清洗。清洗液供给组件用于提供清洗液，以对晶圆200进行清洗。本实施方式中，清洗液通常为化学清洗液等。清洗液供给组件包括喷嘴41，该喷嘴41设置于晶圆200的上方，以向晶圆200溅射清洗液而进行清洗。本实施方式中，清洗液供给组件设置于旋转室10外，并通过管道42等将清洗液引入并喷洒到晶圆200上。当然，在其他实施方式中，清洗液供给组件还可以通过其他方式实现，在此不作限定。本实施方式中，清洗液的温度范围为60～70℃，例如60℃、65℃或70℃等。可以理解，与现有技术中清洗液为常温的情况相比，通过将清洗液的温度范围设置在60～70℃，可以快速去除晶圆200上的残留杂质，提高晶圆200的清洗效率。清洗液回收组件包围旋转组件30而设置，以在清洗过程中阻挡晶圆200的边缘所溅射的清洗液而污染外围环境，并回收清洗液。具体地，清洗液回收组件包括第一阻挡件51、第二阻挡件52、加热器件53以及电源54。第一阻挡件51以包围旋转组件30的方式设置。在本实施方式中，第一阻挡件51包括第一挡板511及第二挡板512，第一挡板511设置于基座20上，第二挡板515设置于第一挡板511远离基座20的一端。本实施方式中，第一挡板511及第二挡板512构成的形状为杯状，即，第一挡板511为空心的圆柱状，而第二挡板512沿着从连接第一挡板511的一端到远离第一挡板511的一端的方向上内径逐渐变小。此外，第一挡板511的高度不低于晶圆200所处的高度。如此，通过设置这样结构的第一阻挡件51，能够有效防止清洗液溅射到旋转室10的内壁上。当然，在其他实施方式中，第一挡板511及第二挡板512构成的形状还可以是其他的形状，在此不作限定。本实施方式中，第一阻挡件51由聚四氟乙烯材料制成。当然，在其他实施方式中，还可以由其他的材料制成，在此不作限定。请参阅图2，本实施方式中，加热器件53嵌设于第一阻挡件51内，即，加热器件53嵌设于第一挡板511及第二挡板512内，用于对第一阻挡件51加热，使得第一阻挡件51的温度处于50～70℃的范围内，例如50℃、60℃或70℃等。当然，在其他实施方式中，加热器件53也可以仅嵌设于第一挡板511或第二挡板512内，在此不作限定。进一步地，请对比参阅图3A及图3B，其中，图3A是表示第一阻挡件51内未嵌设有加热器件53时，第一阻挡件51中的第一挡板511所附着的化学物质的情况的图，图3B是表示第一阻挡件51内嵌设由加热器件53时，第一阻挡件51中的第一挡板511所附着的化学物质的情况的图。经对比图3A和图3B可知，图3A中有化学物质附着在第一挡板511上，而图3B中没有化学物质附着在第一挡板511上。由此可知，通过将加热器件53嵌设于第一阻挡件51内，由于加热器件53能够对第一阻挡件51进行加热，如此，第一阻挡件51处于50～70℃的范围内时，化学物质保持为液体的状态而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括：/n旋转室；/n基座，其设置于所述旋转室内；/n旋转组件，其设置于所述基座上，用于放置晶圆，并带动所述晶圆旋转；/n清洗液回收组件，所述清洗液回收组件包括：/n第一阻挡件，其以包围所述旋转组件的方式设置；/n加热器件，其嵌设于所述第一阻挡件内，用于对所述第一阻挡件加热。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/7731991.一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括：
旋转室；
基座，其设置于所述旋转室内；
旋转组件，其设置于所述基座上，用于放置晶圆，并带动所述晶圆旋转；
清洗液回收组件，所述清洗液回收组件包括：
第一阻挡件，其以包围所述旋转组件的方式设置；
加热器件，其嵌设于所述第一阻挡件内，用于对所述第一阻挡件加热。


2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，
所述加热器件使得所述第一阻挡件的温度处于50～70℃的范围内。


3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，
所述第一阻挡件由聚四氟乙烯材料制成。


4.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，
所述第一阻挡件包括第一挡板及第二挡板，所述第一挡板及所述第二挡板构成的形状为杯状。


5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗液回收组件还包括：
第...

【专利技术属性】
技术研发人员：慎吉晟，南昌铉，吕寅准，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37