一种电阻式功率分配器及其制作工艺制造技术

技术编号:24416125 阅读:41 留言:0更新日期:2020-06-06 11:35
本发明专利技术公开了一种电阻式功率分配器及其制作工艺,其包括:基底;设于所述基底的表面且位于所述基底中部的电阻层;设于所述基底的表面的微带层,所述电阻层上依次设有介质层、电极层,通过采用多层膜的复合结构,从而拓展了功率分配器的使用频带范围。

A resistance power distributor and its manufacturing process

【技术实现步骤摘要】
一种电阻式功率分配器及其制作工艺
本专利技术属于功率分配器领域,具体涉及一种电阻式功率分配器及其制作工艺。
技术介绍
功率分配器是一种将一路输入信号能量分成两路或多路输出相等或不相等能量的器件,其属于无源微波器件,主要用于功率分配或功率合成。在相控阵雷达、多路中继通信机等微波设备中,功率分配器得到越来越广泛的应用,用户对于功率分配器的性能也提出了越来越高的要求,而对功率分配器的一般性能要求有:频带宽、插入损耗小、电压驻波比小、承受功率大、各端口间的隔离度高、输出端口间的幅度和相位一致性好、电路形式简单、体积小等。目前市场上常见的Wilkinson功率分配器,多采用印制电路板工艺制造,具有使用频率低(≤2.5GHz),体积大等缺点。相比于Wilkinson功率分配器,电阻式功率分配器具有频带宽(DC~12GHz)、电路形式简单、体积小等优点。但在更高频段(12~18GHz),现有的电阻式功率分配器由于电阻的寄生电容效应,其插入损耗和电压驻波比等关键性能都会明显变差,从而严重地限制了电阻式功率分配器的应用范围。<br>
技术实现思路
<本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种电阻式功率分配器,其特征在于,其包括:/n基底;/n设于所述基底表面的电阻层;/n设于所述基底表面的微带层,所述微带层由若干微带线构成,所述微带线围绕所述电阻层排布;/n设于所述电阻层表面的介质层;/n设于所述介质层表面的电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种电阻式功率分配器,其特征在于,其包括:
基底;
设于所述基底表面的电阻层;
设于所述基底表面的微带层,所述微带层由若干微带线构成,所述微带线围绕所述电阻层排布;
设于所述电阻层表面的介质层;
设于所述介质层表面的电极层。


2.如权利要求1所述的电阻式功率分配器,其特征在于,所述基底为氧化铝陶瓷基片、氮化铝陶瓷基片或蓝宝石陶瓷基片。


3.如权利要求1所述的电阻式功率分配器,其特征在于,所述基底的厚度为0.2~0.6mm。


4.如权利要求1所述的电阻式功率分配器,其特征在于,所述电阻层为镍铬合金层或氮化钽层,所述介质层为氮化硅层或二氧化硅层,所述电极层为金层或铜层。


5.如权利要求1所述的电阻式功率分配器,其特征在于,所述电阻层的方阻介于50~100Ω/□,所述介质层的厚度在0.3~0.8μm,所述电极层的厚度在1.0~3.0μm。


6.如权利要求1所述的电阻式功率分配器,其特征在于,所述微带层为金层或铜层。

【专利技术属性】
技术研发人员:刘牛车江波夏寅徐浩然吴波
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十三研究所
类型:发明
国别省市:安徽;34

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