【技术实现步骤摘要】
三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法
本专利技术涉及自旋电子学领域，具体涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法。
技术介绍
三维拓扑绝缘体是一种新型的量子物质态，在其表面具有自旋动量锁定的无能隙狄拉克电子态。该特点为拓扑绝缘体带来许多奇异的性质，使其在自旋电子学和量子计算领域具有很大的应用潜力。Bi2Te3是三维拓扑绝缘体的典型代表，具有较为简单的能带结构。目前，在自旋电子学领域有许多工作围绕碲化铋展开。光致反常霍尔电流通过圆偏振光激发样品产生自旋极化的载流子，这些载流子在纵向电场的作用下发生移动。由于自旋霍尔效应，这些载流子将受到与运动方向垂直的力的作用，而且自旋向上的电子和自旋向下的电子受到的力的方向是相反的。从而在垂直于电场的方向上产生电流，即光致反常霍尔电流。光致反常霍尔电流是研究材料自旋霍尔效应的有力手段，同时也是研制新型自旋光电子器件的有力工具。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方...
【技术保护点】
1.一种三维拓扑绝缘体Bi
【技术特征摘要】
1.一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于,包括以下步骤：
步骤S1：选择符合条件的衬底材料；
步骤S2:用分子束外延设备，在预设衬底上，生长三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；
步骤S3：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜上用电子束蒸发制备两对钛/金电极，其中一对为圆形电极，另一对为条形电极；
步骤S4：根据增强系统，选取特定波长的激光器，增强步骤S2中不同厚度三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜的光致反常霍尔电流。
2.根据权利要求1所述的三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于，所述衬底材料为沿（111）晶面生长的绝缘Si衬底，且没有掺杂，费米能级在带隙中间。
3.根据权利要求1所述的三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于，所述激光器采用1064nm的激光器。
4.根据权利要求1所述的三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于，所述步骤S4具体为：
步骤S41:将样品贴在杜瓦瓶的样品座上;
用银浆和银丝将样品上四个电极引线到杜瓦瓶的接线柱上,并将杜瓦瓶抽真空；
步骤S42：激光器出来的光依次通过衰减片、起偏器、光弹性调制器后垂直入射在样品四个电极的中心；样品上的两个条形电极与直流电压源相连；通过直流电压源对样品施加稳定的纵向电场E；样品上的两个圆形电极与前置放大器相连，进行光电流的收集；光电流经过前置放大器放大后进入锁相放大器；光电流经过锁相放大器放大后进入数据采集卡进行采集；
步骤S43：将样品上左侧的条形电极接直流电压源的正电压输出端，将样品上右侧的条形电极接直流电压源的负电压输出端，通过电脑控制直流电压源输出-3V至3V的电压，步长为0.2V；在每一个直流电压下，按步骤S42由圆形电极采集与光弹性调制器一倍频同频率的光电流，记为I1；
步骤S44：将样品上两对条形电极的接线对调，即将样品上右侧的条形电极接直流电压源的正电压输出端，将样品上左侧的条形电极接直流电压源的负电压输出端；通过电脑控制直流电压源输出-3V至3V的电压，步长为0.2V；在每一个直...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞金玲，武文逸，程树英，赖云锋，郑巧，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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