一种消除比较器工艺误差的改善电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种消除比较器工艺误差的改善电路，芯片内部设有polyfuse，初始状态下polyfuse正常连接至VCC，M1管栅级被上拉致VCC，M1导通，此时Vout＝R2/(R2+R3)*VCC，当需要改变电压值时，触发M2导通，polyfuse被短路至VSS，polyfuse被短路电路烧断，M1管栅极被电阻R4下拉至VSS，M1管关闭，此时Vout＝VCC；通过一段polyfuse可使电阻分压值设定为VCC或R2/(R2+R3)*VCC，十段polyfuse可以实现1024级电压调整。本实用新型专利技术与现有技术相比的优点在于：polyfuse在芯片内部占用面积很小；ployfuse只需要输入clk信号控制大电流通过被熔断就可以实现Verf的改变；10段ployfuse就能实现1024级的电压，精确度能够满足绝大多数的产品的精密调整要求；生产成本降低。

An improved circuit to eliminate the process error of comparator

【技术实现步骤摘要】
一种消除比较器工艺误差的改善电路
本技术涉及比较器
，具体是指一种消除比较器工艺误差的改善电路。
技术介绍
比较器是通过比较两个输入端的电流或电压的大小，在输出端输出不同电压结果的电子元件。目前比较器对一致性改善的方式通常是采用FLASH或者EPROM来控制Verf变化，使输出信号与不同的Verf进行比较，但是其结构复杂，通常模拟器件无法制造的完全一致，每个器件生产出来都会存在一定偏差，尤其是当使用器件数量越多时，这些偏差会随机组合出现，就对产品的一致性造成严重影响，甚至有可能使产品失效，消除器件由于制造工艺本身带来的误差无法保证输出端的一致性；将FLASH或者EPROM加入到芯片中会使得芯片面积严重增大，从而导致成本过高；FLASH或者EPROM的控制端输入信号复杂；特殊场合及公安产品有部分不能采用内存式电路。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服以上技术缺陷，提供一种消除比较器工艺误差的改善电路。为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为：一种消除比较器工艺误差的改善电路，芯片内部设有polyfuse，初始状态下polyfuse正常连接至VCC，M1管栅级被上拉致VCC，M1导通，此时Vout＝R2/(R2+R3)*VCC，当需要改变电压值时，触发M2导通，polyfuse被短路至VSS，polyfuse被短路电路烧断，M1管栅极被电阻R4下拉至VSS，M1管关闭，此时Vout＝VCC；通过一段polyfuse可使电阻分压值设定为VCC或R2/(R2+R3)*VCC，十段polyfuse可以实现1024级电压调整。作为改进，polyfuse用于电气连接，通过大电流后永久性烧断，电气连接断开。作为改进，电阻阵列分压初始状态下，电阻通过polyfuse连接，获得一定分压值，当需要调整电压值时，将某个连接点上的polyfuse烧断，电阻比例发生改变，分压值随之改变。本技术与现有技术相比的优点在于：(1)polyfuse在芯片内部占用面积很小；(2)ployfuse只需要输入clk信号控制大电流通过被熔断就可以实现Verf的改变；(3)10段ployfuse就能实现1024级的电压，精确度能够满足绝大多数的产品的精密调整要求；(4)生产成本降低。附图说明图1是本技术一种消除比较器工艺误差的改善电路的电路图。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的详细说明。结合附图1，初始状态下polyfuse正常连接至VCC，M1管栅级被上拉致VCC，M1导通，此时Vout＝R2/(R2+R3)*VCC，当需要改变电压值时，触发M2导通，polyfuse被短路至VSS，polyfuse被短路电路烧断，M1管栅极被电阻R4下拉至VSS，M1管关闭，此时Vout＝VCC。polyfuse特性类似于保险丝，可以用于一般的电气连接，通过大电流后会永久性烧断，电气连接会被断开。以电阻阵列分压举例，初始状态下，电阻通过polyfuse连接，获得一定分压值，当需要调整电压值时，只需要将某个连接点上的polyfuse烧断即可，电阻比例发生改变，分压值随之改变。通过一段polyfuse可使电阻分压值设定为VCC或R2/(R2+R3)*VCC，只要使用足够多的polyfuse，就可以实现十分精密的电压调整，理论上10段polyfuse可以实现1024级电压调整，其精度足够满足大多数应用的精密调整需求。本技术在具体实施时，通常模拟器件无法制造的完全一致，每个器件生产出来都会存在一定偏差。尤其是当使用器件数量越多时，这些偏差会随机组合出现，就对产品的一致性造成严重影响，甚至有可能使产品失效，器件的偏差无法把控，只能通过后段调整手段改善一致性，通过芯片内部的polyfuse来修正产品最终的一致性。以上对本技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种消除比较器工艺误差的改善电路，其特征在于：芯片内部设有polyfuse，初始状态下polyfuse正常连接至VCC，M1管栅级被上拉致VCC，M1导通，此时Vout＝R2/(R2+R3)*VCC，当需要改变电压值时，触发M2导通，polyfuse被短路至VSS，polyfuse被短路电路烧断，M1管栅极被电阻R4下拉至VSS，M1管关闭，此时Vout＝VCC；通过一段polyfuse可使电阻分压值设定为VCC或R2/(R2+R3)*VCC，十段polyfuse可以实现1024级电压调整。/n

【技术特征摘要】
1.一种消除比较器工艺误差的改善电路，其特征在于：芯片内部设有polyfuse，初始状态下polyfuse正常连接至VCC，M1管栅级被上拉致VCC，M1导通，此时Vout＝R2/(R2+R3)*VCC，当需要改变电压值时，触发M2导通，polyfuse被短路至VSS，polyfuse被短路电路烧断，M1管栅极被电阻R4下拉至VSS，M1管关闭，此时Vout＝VCC；通过一段polyfuse可使电阻分压值设定为VCC或R2/(R2+R3)*VCC，十段p...

【专利技术属性】
技术研发人员：温彦衫，谢徐豪，吴建霖，
申请(专利权)人：芯鸿发厦门电子科技有限公司，温彦衫，谢徐豪，吴建霖，
类型：新型
国别省市：福建;35