顶发光型的有机电致发光元件、有机电致发光装置、和电子设备制造方法及图纸

一种顶发光型的有机EL元件阳极，其依次具备空穴传输区域、发光层、电子传输区域和阴极，空穴传输区域具有在阳极和发光层之间配置的第一层、以及在第一层和发光层之间配置的第二层，第一层包含第一化合物，第二层包含第二化合物，第一层的膜厚d1满足式(1)，第二层的膜厚d2满足式(2)，第一化合物的空穴迁移率μ

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】顶发光型的有机电致发光元件、有机电致发光装置、和电子设备
本专利技术涉及顶发光型的有机电致发光元件、有机电致发光装置和电子设备。
技术介绍
有机电致发光元件(以下有时称作有机EL元件)形成在阳极和阴极之间夹着发光层的结构，从阳极和阴极分别将空穴和电子注入发光层，在发光层中空穴与电子发生复合，由此发光。正在积极进行为了在有机EL元件中提高发光效率的研究。例如专利文献1公开了一种特定的材料作为有机EL元件材料，其中，将具有取代基的二苯并杂环基经由连接基团而导入胺。并且，专利文献1公开了一种技术，在发光层和阳极之间具有2层以上的空穴传输层，并且使用上述特定的材料，由此能够提高发光效率。另外，有机EL元件分类为将发出的光从下部电极侧提取的底发光型、和从上部电极侧提取的顶发光型。作为顶发光型的有机EL元件，已知具有利用光干涉调整所提取的光的强度的共振器结构(微腔结构)的有机EL元件。例如专利文献2公开了一种上部发光型有机EL元件，其依次具备基板、第1电极、包含蓝色发光层的1个以上的有机层、第2电极和覆盖层(Cappinglayer)，覆盖层由具有特定光学特性的材料所构成。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2016/0079542号说明书专利文献2：国际公开第2011/043083号
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在顶发光型的有机EL元件中，从进行共振腔调整的观点出发，通常将空穴传输区域(例如空穴传输层)设置得比较厚。因此，为了实现提高发光效率的目标，寻求能够在考虑空穴传输区域的膜厚的基础上，更有效地体现出来自发光层的出射光与因出射光的反射所致的反射光之间的光干涉效应的构成。近年来的顶发光型的有机EL元件中，发光效率正在逐渐得到改善，但是寻求使发光更进一步高效率化。另外，在有机EL元件的领域中，认为蓝色发光区域(通常为430nm以上且480nm以下的波长区域)中的发光的控制是困难的，因此尤其寻求蓝色发光的高效率化。本专利技术的目的是：提供以高效率发光的顶发光型的有机EL元件、提供搭载了该有机EL元件的有机电致发光装置(以下有时称为有机EL发光装置)、以及提供搭载了该有机电致发光元件的电子设备。用于解决问题的手段根据本专利技术的一个方案，提供一种顶发光型的有机电致发光元件，其具备阳极、阴极、在上述阳极和上述阴极之间配置的发光层、在上述阳极和上述发光层之间配置的空穴传输区域、和在上述阴极和上述发光层之间配置的电子传输区域，上述空穴传输区域具有在上述阳极和上述发光层之间配置的第一层、和在上述第一层和上述发光层之间配置的第二层，上述第一层包含第一化合物，上述第二层包含第二化合物，上述第一层的膜厚d1满足下述式(1)，上述第二层的膜厚d2满足下述式(2)，上述第一化合物的空穴迁移率μH1满足下述式(3)，上述第二化合物的空穴迁移率μH2满足下述式(4)。100nm≤d1≤300nm···(1)1nm≤d2≤20nm···(2)1.0×10-4[cm2/Vs]≤μH1≤1.0×10-1[cm2/Vs]···(3)1.0×10-10[cm2/Vs]≤μH2≤1.0×10-6[cm2/Vs]···(4)根据本专利技术的一个方案，提供一种有机电致发光装置，其具有上述的本专利技术的一个方案涉及的顶发光型的有机电致发光元件即第1元件、发荧光的与上述第1元件不同的有机电致发光元件即第2元件、和基板，上述第1元件和上述第2元件并列配置于上述基板之上，上述第1元件的上述第一层和上述第二层中的至少1层是以上述第1元件和上述第2元件共有的方式配置的共有层。根据本专利技术的一个方案，提供搭载了上述的本专利技术的一个方案涉及的顶发光型的有机电致发光元件的电子设备。根据本专利技术的一个方案，可以提供以高效率发光的顶发光型的有机EL元件。根据本专利技术的一个方案，可以提供搭载了以高效率发光的顶发光型的有机EL元件的有机EL发光装置。根据本专利技术的一个方案，可以提供搭载了以高效率发光的顶发光型的有机EL元件的电子设备。附图说明图1是表示本专利技术的第一个实施方式的顶发光型的有机EL元件的一例的图。图2是表示本专利技术的第二实施方式的顶发光型的有机EL元件的一例的图。图3是表示本专利技术的第三实施方式的有机EL发光装置的一例的图。图4是图3的蓝色像素的主体放大图。具体实施方式[顶发光型的有机EL元件]<第一个实施方式>图1是表示本专利技术的第一个实施方式的一例的顶发光型的有机EL元件的结构示意图。图1所示的有机EL元件100具有基板1、阳极2、在阳极2和阴极8之间配置的发光层6、在阳极2和发光层6之间配置的空穴传输区域12、以及在阴极8和发光层6之间配置的电子传输区域7。在有机EL元件100中，它们相互相邻。阳极2由反射层21和导电层22构成。空穴传输区域12由在阳极2和发光层6之间配置的作为第一层的空穴传输层4和在空穴传输层4和发光层6之间配置的作为第二层的电子阻挡层5构成。电子传输区域7优选包含电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层之中的至少任一者。此外，有机EL元件100中，空穴传输层4(第一层)的膜厚d1满足下述式(1)，电子阻挡层5(第二层)的膜厚d2满足下述式(2)。100nm≤d1≤300nm···(1)1nm≤d2≤20nm···(2)另外，空穴传输层4(第一层)包含第一化合物，第一化合物的空穴迁移率μH1满足下述式(3)。电子阻挡层5(第二层)包含第二化合物，第二化合物的空穴迁移率μH2满足下述式(4)。即，在有机EL元件100中，进行调整使得在空穴传输层4中移动的空穴的迁移率大于在电子阻挡层5中移动的空穴的迁移率。需要说明的是，空穴迁移率设为在本说明书所述的实施例的电场强度下测定的值。1.0×10-4[cm2/Vs]≤μH1≤1.0×10-1[cm2/Vs]···(3)1.0×10-10[cm2/Vs]≤μH2≤1.0×10-6[cm2/Vs]···(4)在顶发光型的有机EL元件中，由于通常将空穴传输区域的厚度设定得比较厚，因此具有驱动电压上升的倾向。为了抑制驱动电压的上升，考虑增大空穴传输区域中所包含的空穴传输性材料的迁移率。然而，即使仅增大空穴传输性材料的迁移率，但发光层内的空穴与电子的复合区域在发光层的厚度方向(从发光层的阳极侧朝向阴极侧的方向)上扩展而难以得到所期望的发光效率。因此，图1所示的有机EL元件100中，设置构成空穴传输区域12的空穴传输层4的膜厚d1和电子阻挡层5的膜厚d2使得分别满足上述式(1)和上述式(2)。另外，以空穴传输层4中所包含的第一化合物的空穴迁移率μH1大于电子阻挡层5中所包含的第二化合物的空穴迁移率μH2的方式(μH1＞μH2)选择第一化合物和第二化合物。认为通过将第一化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种顶发光型的有机电致发光元件，其具备：阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间配置的发光层、在所述阳极和所述发光层之间配置的空穴传输区域、和在所述阴极和所述发光层之间配置的电子传输区域，/n所述空穴传输区域具有在所述阳极和所述发光层之间配置的第一层、和在所述第一层和所述发光层之间配置的第二层，/n所述第一层包含第一化合物，/n所述第二层包含第二化合物，/n所述第一层的膜厚d1满足下述式(1)，/n所述第二层的膜厚d2满足下述式(2)，/n所述第一化合物的空穴迁移率μ

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171101 JP 2017-2122871.一种顶发光型的有机电致发光元件，其具备：阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间配置的发光层、在所述阳极和所述发光层之间配置的空穴传输区域、和在所述阴极和所述发光层之间配置的电子传输区域，
所述空穴传输区域具有在所述阳极和所述发光层之间配置的第一层、和在所述第一层和所述发光层之间配置的第二层，
所述第一层包含第一化合物，
所述第二层包含第二化合物，
所述第一层的膜厚d1满足下述式(1)，
所述第二层的膜厚d2满足下述式(2)，
所述第一化合物的空穴迁移率μH1满足下述式(3)，
所述第二化合物的空穴迁移率μH2满足下述式(4)，
100nm≤d1≤300nm…(1)
1nm≤d2≤20nm…(2)
1.0×10-4[cm2/Vs]≤μH1≤1.0×10-1[cm2/Vs]…(3)
1.0×10-10[cm2/Vs]≤μH2≤1.0×10-6[cm2/Vs]…(4)。


2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，
所述第二层与所述发光层相邻。


3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件，其中，
所述第一层与所述第二层相邻。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光元件，其中，
所述空穴传输区域进一步在所述第一层和所述阳极之间具有包含第三化合物的第三层。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机电致发光元件，其中，
所述电子传输区域具有在所述阴极和所述发光层之间配置的第四层、和在所述第四层和所述发光层之间配置的第五层，
所述第四层包含第四化合物，
所述第五层包含第五化合物，
所述第四化合物的电子迁移率μE4大于所述第五化合物的电子迁移率μE5。


6.根据权利要求5所述的有机电致发光元件，其中，
所述第四化合物的电子亲和势Af为2.0eV以上。


7.根据权利要求6所述的有机电致发光元件，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：佐土贵康，增田哲也，高桥良明，神户江美子，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP