一种有机电致发光器件及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及显示装置，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；所述有机层包括发光层、电子阻挡层和电子传输层，且不包括空穴阻挡层；所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；所述电子阻挡层中的电子阻挡材料中含有苯并呋喃基团，所述电子传输层中的电子传输材料的电子迁移率＞5×10

An organic electroluminescent device and display device

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件及显示装置
本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种有机电致发光器件及显示装置。
技术介绍
在热活化敏化荧光发光(TASF，ThermallyActivatedSensitizedFluorescence)体系中，当热活化延迟荧光(TADF)材料作为敏化剂使用时，主体材料能量传递给TADF材料，然后其三线态能量通过反向系间窜越(RISC)过程回到单线态，进而将能量传递给掺杂荧光染料发光，这样可以实现主体向染料分子完全的能量传递，使传统荧光掺杂染料也可以突破25％的内量子效率限制。但是在上述TASF电致发光器件中，存在器件效率滚降较大，寿命较低、驱动电压较高的情况。因此，本领域亟待开发一种新型的TASF有机电致发光器件，解决激子湮灭的问题，在保证适当的器件寿命发光效率的前提下，降低驱动电压。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件的发光机制为热活化敏化荧光发光，该器件较大程度的改善了激子湮灭的问题，保证不影响器件的效率及寿命前提下，达到了降低器件开启电压效果。为达此目的，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；所述有机层包括发光层(EML)、电子阻挡层(EBL)和电子传输层(ETL)，且不包括空穴阻挡层；所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；所述电子阻挡层中的电子阻挡材料中含有苯并呋喃基团，所述电子传输层中的电子传输材料的电子迁移率＞5×10-6cm2/V·s。优选地，所述电子传输材料的电子迁移率＞1×10-5cm2/V·s。优选地，所述电子阻挡材料包括如EB-1至EB-20所示的化合物中的任意一种或至少两种组合。优选地，所述电子传输材料选自如ET-1至ET-56所示的化合物中的任意一种或至少两种组合。优选地，所述电子阻挡层的厚度为1nm～300nm。优选地，所述热活化延迟荧光敏化剂的单线态能级和三线态能级差＜0.3eV。优选地，所述荧光染料占发光层材料的质量百分比为0.1wt％-20wt％；和/或，所述热活化延迟荧光敏化剂占发光层材料的质量百分比为1wt％-99wt％。优选地，所述热活化延迟荧光敏化剂占发光层材料的质量百分比为1wt％-50wt％。优选地，所述发光层的厚度为1-100nm。优选地，所述电子传输层的厚度为5-100nm。优选地，所述有机层还包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)和电子注入层(EIL)中的任意一种或至少两种组合。本专利技术的目的之二在于提供一种显示装置，所述显示装置中包含目的之一所述的有机电致发光器件。相较于现有技术，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术提供一种新型的有机电致发光器件，选用一类含有苯并呋喃基团的电子阻挡材料。这类电子阻挡材料有着较高的能级，可以有效阻挡激子进入空穴传输层。同时去除空穴阻挡层，将高能激子向电子传输层方向扩散，器件中搭配高电子迁移率(＞5×10-6cm2/V·s)的ETL材料，可以有效的将发光层扩散出来的激子，快速的分散开，这样不会产生载流子的聚集淬灭。通过这样的器件设计，保证器件效率、寿命不会损失太多的前提下，达到了降低热活化敏化荧光电致发光器件开启电压效果。此外，该技术在实际量产中，蒸镀制程可以减少一个蒸镀腔室，简化蒸镀工艺步骤，降低成本。附图说明图1是实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图。图2是对比例5-6提供的有机电致发光器件的结构示意图。具体实施方式为便于理解本专利技术，本专利技术列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。目前热活化延迟荧光电致发光器件中，往往存在器件效率滚降较大，寿命较低、驱动电压较高的情况，这一情况出现的原因较多，专利技术人发现一个主要原因是没有较好的方式疏散发光层存在的高能激子，从而产生了较强的激子湮灭，从而影响发光器件的寿命，同时也会存在驱动电压较高问题。为此，本专利技术提供一种有机电致发光器件，有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机层；有机层包括发光层(EML)、电子阻挡层(EBL)和电子传输层(ETL)，且不包括空穴阻挡层；发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；电子阻挡层中的电子阻挡材料中含有苯并呋喃基团，电子传输层中的电子传输材料的电子迁移率＞5×10-6cm2/V·s，例如3.5×10-5cm2/V·s、4.6×10-5cm2/V·s、5.6×10-5cm2/V·s、8.9×10-5cm2/V·s、1.3×10-4cm2/V·s、2.2×10-4cm2/V·s、2.7×10-4cm2/V·s等。本专利技术提供一种新型的有机电致发光器件，选用一类含有苯并呋喃基团的电子阻挡材料。这类电子阻挡材料有着较高的能级，可以有效阻挡激子进入空穴传输层。同时去除空穴阻挡层，将高能激子向电子传输层方向扩散，器件中搭配高电子迁移率(＞5×10-6cm2/V·s)的ETL材料，可以有效的将发光层扩散出来的激子，快速的分散开，这样不会产生载流子的聚集淬灭。通过这样的器件设计，保证器件效率、寿命不会损失太多的前提下，达到了降低热活化敏化荧光电致发光器件开启电压效果。此外，该技术在实际量产中，蒸镀制程可以减少一个蒸镀腔室，简化蒸镀工艺步骤，降低成本。进一步地，电子传输材料的电子迁移率＞1×10-5cm2/V·s。本专利技术优选电子传输材料具有更高的电子迁移率(＞1×10-5cm2/V·s)，可以更有效的将发光层的激子扩散出来，避免载流子的聚集淬灭问题，从而进一步降低器件驱动电压。进一步地，电子阻挡材料包括如EB-1至EB-20所示的化合物中的任意一种或至少两种组合(例如EB-1和EB-2的组合，EB-5、EB-7和EB-12的组合，EB-3、EB-19、EB-16和EB-20的组合等)：本专利技术优选上述特定结构的材料作为电子阻挡材料，能够更加有效的阻挡激子进入HTL，从而进一步的降低热活化敏化荧光电致发光器件开启电压。进一步地，电子传输材料选自如ET-1至ET-56所示的化合物中的任意一种或至少两种组合(例如ET-1和ET-2的组合，ET-5、ET-10和ET-16的组合，ET-3、ET-30、ET-27和ET-18的组合等)：进一步地，电子阻挡层的厚度为1nm～300nm，例如2nm、5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、150nm、200nm、250nm等。在特定结构的电子阻挡材料的基础上，优选电子阻挡本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；/n所述有机层包括发光层、电子阻挡层和电子传输层，且不包括空穴阻挡层；/n所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；/n所述电子阻挡层中的电子阻挡材料中含有苯并呋喃基团，所述电子传输层中的电子传输材料的电子迁移率＞5×10

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；
所述有机层包括发光层、电子阻挡层和电子传输层，且不包括空穴阻挡层；
所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；
所述电子阻挡层中的电子阻挡材料中含有苯并呋喃基团，所述电子传输层中的电子传输材料的电子迁移率＞5×10-6cm2/V·s。


2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输材料的电子迁移率＞1×10-5cm2/V·s。


3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡材料包括如EB-1至EB-20所示的化合物中的任意一种或至少两种组合：








4.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所电子传输材料包括如ET-1至ET-56所示的化合物中的任意一种或至少两种组合：








<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国孟，魏金贝，徐超，李梦真，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32