【技术实现步骤摘要】
一种金属支架陶瓷电容器及其制备方法
本专利技术涉及一种金属支架陶瓷电容器及其制备方法。
技术介绍
为了使电容器从电路板上撑起、使电容器的耐电路板弯曲性提高，以及使电容器因功耗产生的大量热量能够快速地传导出去，通常会在电容器上焊接金属支架，使用时，将金属支架焊接在电路板上，但现有技术中，电容器与电极片通常采用焊锡量较高的镀层，如纯锡镀层或者SnPb10镀层，如此，在焊接过程中，即使采用高温高铅的焊料进行焊接，焊料与镀层重熔后形成合金相液化温度通常低于240℃，使得支架电容器在使用过程易出现二次重熔导致电容器与金属支架分离，严重时还会因焊料在芯片之间或者相邻产品之间搭接短路而导致产品失效，另一方面，金属支架的焊盘通常为一整块金属板，焊接结合强度不高，再者现有金属支架在与电容器焊接过程中，电容器容易掉落，不仅影响电容器正常使用，还影响工程进度。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提出一种金属支架陶瓷电容器及其制备方法，形成的合金相液化温度高，避免使用过程出现二次重熔，还能够提高电容器与电路板的...
【技术保护点】
1.一种金属支架陶瓷电容器的制备方法，金属支架陶瓷电容器包括电容器和两电极片，电容器包括本体和设置在本体两端的端头电极，其特征在于：包括如下步骤：/nA、在电容器端头电极上依次电镀上第一镍层和第一锡铅镀层，第一锡铅镀层含铅量不小于80％，第一锡铅镀层厚度为2-20μm；/nB、通过将金属整条冲压或者蚀刻的方法制成电极片基材，并采用挂镀工艺在电极片基材上依次电镀上第二镍层和第二锡铅镀层，第二锡铅镀层含铅量不小于80％，第二锡铅镀层厚度为2-20μm；/nC、步骤B所述的电极片基材包括间隔布置的第一矩形片、第二矩形片、连接在第一、第二矩形片之间的连接片和分别设置在第二矩形片两端...
【技术特征摘要】
1.一种金属支架陶瓷电容器的制备方法，金属支架陶瓷电容器包括电容器和两电极片，电容器包括本体和设置在本体两端的端头电极，其特征在于：包括如下步骤：
A、在电容器端头电极上依次电镀上第一镍层和第一锡铅镀层，第一锡铅镀层含铅量不小于80％，第一锡铅镀层厚度为2-20μm；
B、通过将金属整条冲压或者蚀刻的方法制成电极片基材，并采用挂镀工艺在电极片基材上依次电镀上第二镍层和第二锡铅镀层，第二锡铅镀层含铅量不小于80％，第二锡铅镀层厚度为2-20μm；
C、步骤B所述的电极片基材包括间隔布置的第一矩形片、第二矩形片、连接在第一、第二矩形片之间的连接片和分别设置在第二矩形片两端且向第一矩形片延伸的两条形片，将第二矩形片和两条形片分别折弯90°形成引脚和支撑脚，在第二矩形片上间隔设置若干个通孔；
D、将两电极片的第一矩形片分别焊接在电容器的两端头电极上；
E、将电容器和电极片浸入电镀液中，使电极片电镀上一层低铅的锡铅合金层；
F、在电容器本体上涂上防飞弧的绝缘漆，并进行烘焙固化。
2.根据权利要求1所述的一种金属支架陶瓷电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤A中，第一镍层厚度为1-5μm，第一镍层电镀时间为30-150min，电镀第一镍层电流为4-14A，第一锡铅镀层具体为SnPb(80-95)，第一锡铅镀层电镀时间为45-150min，电镀第一锡铅镀层的电流为3-10A。
3.根据权利要求1所述的一种金属支架陶瓷电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤B中，电极片基材厚度为0.1-0.5mm，第二镍层厚度为1-5μm，第二镍层电镀时间为4-15min，电镀第二镍层电流为2-7A，第二锡铅镀层具体为SnPb(80-95)，第二锡铅镀层电镀时间为5-30min，电镀第二锡铅镀层的电流是2-8A。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种金属支架陶瓷电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤C中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴文辉，蔡约轩，王凯星，林志盛，张子山，
申请(专利权)人：福建火炬电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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