【技术实现步骤摘要】
光掩膜版及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种光掩膜版及其制作方法。
技术介绍
光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上，而这些临时电路结构首先以图形形式制作在光掩膜版上，然后紫外光透过光掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。光掩膜版必须细心地清洗，以便多次重复曝光形成完美图像。使用光掩膜版时，存在很多可能的损伤来源，例如掉铬、表面擦伤、静电放电(ESD)和灰尘颗粒(Particle)等。在一块光掩膜版的电路图上，即使只有一个灰尘颗粒，它也会在硅片上的每个位置重复，而如果灰尘颗粒落在光掩膜版上的关键区域，就会损害电路并造成成像缺陷。解决光掩膜版上灰尘颗粒沾污的一个方法是采用保护膜(Pellicle)保护光掩膜版的版本体表面。如图1所示，保护膜2主要由一个极薄的透光薄膜21、一个密封的金属框架22以及底胶23构成，透光薄膜21被紧绷在金属框架22上，在制作光掩模板的最后一道工序时将金属框架22通过底胶23粘附在光掩模板的版本体1上，从而完成保护膜的安装，且透光薄膜21大约在...
【技术保护点】
1.一种光掩膜版，其特征在于，所述光掩膜版至少包括：版本体，保护膜；其中，所述保护膜可拆卸安装于所述版本体上，以保护所述版本体表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版，其特征在于，所述光掩膜版至少包括：版本体，保护膜；其中，所述保护膜可拆卸安装于所述版本体上，以保护所述版本体表面。
2.根据权利要求1所述的光掩膜版，其特征在于，所述保护膜与所述版本体之间相互卡合。
3.根据权利要求2所述的光掩膜版，其特征在于，所述保护膜至少包括：第一薄膜，第二薄膜，第一边框，以及第二边框；其中，所述第一薄膜和所述第二薄膜相对设置，所述第一边框和所述第二边框相对设置，所述第一边框的两端分别连接所述第一薄膜和所述第二薄膜的侧边，所述第二边框的两端分别连接所述第一薄膜和所述第二薄膜的另一侧边，所述第一边框和所述第二边框均具有凸形夹口；其中，所述保护膜通过所述第一薄膜、所述第二薄膜、所述第一边框和所述第二边框的组合形成中空通道，所述版本体从所述保护膜的中空通道插入，且所述版本体的两侧分别与所述第一边框和所述第二边框的凸形夹口通过过盈配合来相互卡合。
4.根据权利要求2所述的光掩膜版，其特征在于，所述保护膜至少包括：第一薄膜，第一边框，以及第二边框；其中，所述第一边框和所述第二边框相对设置，所述第一边框和所述第二边框分别连接在所述第一薄膜的两侧，且所述第一边框和所述第二边框均具有边轨；其中，所述版本体的两侧分别设有与所述第一边框和所述第二边框的边轨相适配的滑道，所述保护膜通过所述第一边框和所述第二边框的边轨同时从所述版本体的两侧滑道滑入，从而使所述保护膜与所述版本体之间相互卡合。
5.根据权利要求2所述的光掩膜版，其特征在于，所述保护膜至少包括：第一薄膜，第一边框，以及第二边框；其中，所述第一边框和所述第二边框相对设置，所述第一边框和所述第二边框分别连接在所述第一薄膜的两侧，且所述第一边框和所述第二边框上均设有卡勾；其中，所述版本体的两侧分别设有与所述第一边框和所述第二边框上的卡勾相适配的卡槽，所述保护膜覆于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈新晋，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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