【技术实现步骤摘要】
一种铌三锡超导接头的压接模具
本专利技术涉及一种铌三锡超导接头的压接模具。
技术介绍
能够产生强磁场的超导磁体是超导技术的一个重要应用场合,诸如核磁共振谱仪、磁共振成像等需要超导磁体提供背景磁场。以金属间化合物为基本的超导材料铌三锡(Nb3Sn)是常用的低温超导材料,具有较高的上临界磁场和临界电流密度,超导转变温度达18.3K,在4.2K时上临界磁场可达25T,4.2K/10T磁场下承载的临界电流密度约为5×105A/cm2。铌三锡超导体是制作10T以上高场超导磁体的最理想的低温超导材料之一。铌三锡超导体具有典型的A15结构,铌三锡超导磁体需要首先将未超导的导线绕制成磁体,然后经过高温扩散热处理,生成具有超导性能的铌三锡相。铌三锡超导体形成后,塑性差,脆性强,很难进行机械操作。因此,首先需要在热处理前操作。铌三锡接头是铌三锡超导磁体的关键,接头质量直接影响整个铌三锡超导磁体的性能。在降温和通电过程中,铌三锡超导接头是整个磁体系统的易破坏点。目前制备的Nb3Sn超导接头的接头电阻较大,如美国华盛顿大学采 ...
【技术保护点】
1.一种铌三锡超导接头的压接模具,其特征在于,所述的压接模具为圆柱形结构,包括底座、模具外筒、中心筒、芯轴和上盖,底座、模具外筒、中心筒、芯轴和上盖同轴;底座为圆形,中心有凸台,凸台侧面有销钉孔;模具外筒套装在底座上,模具外筒的内壁和底座的凸台外侧面贴合固定;外筒底部侧面有销钉孔,采用销钉将外筒固定在底座上;外筒套装在中心筒外,芯轴位于中心筒内的中心部位;上盖在模具外筒的上部,上盖的内侧有螺纹,与模具外筒上沿通过螺纹配合,使上盖推动芯轴向下运动;上盖中心开有通孔,用于进出铌三锡超导线;上盖位于芯轴的正上方,上盖向下旋转过程中,上盖的顶部下端面接触芯轴的顶面,推动芯轴向下运动。/n
【技术特征摘要】
1.一种铌三锡超导接头的压接模具,其特征在于,所述的压接模具为圆柱形结构,包括底座、模具外筒、中心筒、芯轴和上盖,底座、模具外筒、中心筒、芯轴和上盖同轴;底座为圆形,中心有凸台,凸台侧面有销钉孔;模具外筒套装在底座上,模具外筒的内壁和底座的凸台外侧面贴合固定;外筒底部侧面有销钉孔,采用销钉将外筒固定在底座上;外筒套装在中心筒外,芯轴位于中心筒内的中心部位;上盖在模具外筒的上部,上盖的内侧有螺纹,与模具外筒上沿通过螺纹配合,使上盖推动芯轴向下运动;上盖中心开有通孔,用于进出铌三锡超导线;上盖位于芯轴的正上方,上盖向下旋转过程中,上盖的顶部下端面接触芯轴的顶面,推动芯轴向下运动。
2.根据权利要求1所述的铌三锡超导接头的压接模具,其特征在于,所述的芯轴为T形结构,顶面开有线槽;芯轴顶面下方的圆柱面的一侧有定位块。
3.根据权利要求1所述的铌三锡超导接头的压接模具,其特征在于,所述的中心筒是由三个瓣拼接成的中空圆柱;三个瓣中的第一瓣(1)和第二瓣(2)的内壁上各开有一个线槽,线槽的截面为圆形,线槽的半径大于铌三锡超导线的半径,线槽深度与第一瓣(1)的高度相等;铌三锡超导线从线槽中通过;第三瓣(3)的内壁中间处有一个定位槽,芯轴一侧的定位块插入此定位槽用于芯轴的定位和导向;第三瓣(3)的外壁中间位置有一个定位块,所述定位块插入位于模具外筒内壁的定位槽中,与外筒内壁上的定位槽配合定位,防止中心筒和外筒之间相对运动。
4.根据权利要求1所述的铌三锡超导接头的压接模具,其特征在于,所述上盖的内侧和模具外筒上沿螺纹的螺距为0.5mm-1.5mm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的铌三锡超导接头的压接模具,其特征在于,所述的压接模具工作时,首先水平固定底座,转动...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙万硕,王秋良,程军胜,戴银明,胡新宁,王晖,刘建华,
申请(专利权)人:中国科学院电工研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。