【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态薄膜混合电化学电池相关申请的交叉引用本专利申请要求于2017年8月14日提交的早前申请RU2017128904的优先权,其全部内容通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及全固态薄膜电源,尤其涉及具有固体无机Li+离子电解质的薄膜赝电容器,其旨在用于微型电子设备(包括微型传感器、微型机电系统、微流体芯片、RFID标签)、各种微电采集解决方案和超轻储能设备、医疗设备和集成解决方案如单片和芯片实验室解决方案。
技术介绍
电子设备的小型化和降低其功耗产生了适合直接嵌入微型电子设备中的新兴超小型电源。锂离子电池组和超级电容器(即双电层电容器(EDLC)或离子电容器)成为了广泛使用的嵌入式二次电源。第一代锂离子电池组和离子电容器基于液体电解质,这导致了许多严重缺点,诸如工作温度范围的严格限制,即使在有限的温度范围内也存在明显的参数漂移,性能中等,在严格操作条件下性能随时间推移而快速降低,有电解质渗漏的风险以及封装被解开的风险(有时会导致爆炸事件)。试图克服上面提到的缺点导致了具有凝胶状电解质、聚合物电解质还有无机固体电解质的锂离子电池组和超级电容器的到来。固态锂离子电池组和超级电容器的技术整合带来了混合电源,这些混合电源结合了锂离子电池组和超级电容器的特征并且具有改进的性能和更大的工作温度范围。一方面,在过去的几十年里开发了各种固态电化学电源。通常,基于已知的工作原理和已知的材料将它们实现为薄膜锂离子电池组。另一方面,据专利技术人所知,市场上并未提供任何可商购获得的含真正无机固态电解质的具有可接 ...
【技术保护点】
1.一种电化学电源,其包括:/n一基板;/n两个集电器层;/n两个缓冲/缓存层;/n一固态电解质层,/n其中所述两个缓冲/缓存层中的每一层均为Li
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170814 RU 20171289041.一种电化学电源,其包括:
一基板;
两个集电器层;
两个缓冲/缓存层;
一固态电解质层,
其中所述两个缓冲/缓存层中的每一层均为LiXMYO3层,其中
M是Nb、Ta、Ti、V中的任何一种;
X在0.8至1.4的范围内;并且
Y在1.2至0.6的范围内。
2.如权利要求1所述的电源,其还包括外保护层。
3.如权利要求1所述的电源,其中所述缓冲/缓存层中的每一层的厚度均在15至1000nm的范围内。
4.如权利要求1所述的电源,其中每一层均为薄膜。
5.如权利要求1所述的电源,其中所述固态电解质层是全固态电解质层。
6.如权利要求1所述的电源,其还包括至少一个法拉第层。
7.如权利要求6所述的电源,其中所述法拉第层是WO2.4–2.9:M1:M2:E1:E2:E3层,其中
M1是选自Mo、Ti、Ni、V、Cr、Al、Nb、Ta、Co、Mn的掺杂元素;
M2是选自Mo、Ti、Ni、V、Cr、Al、Nb、Ta、Co、Mn的掺杂元素;
E1是选自H、N、C、Si、Ge、P、B的掺杂元素;
E2是选自H、N、C、Si、Ge、P、B的掺杂元素;
E3是选自H、N、C、Si、Ge、P、B的掺杂元素,
M1与M2不同,并且E1、E2、E3彼此不同。
8.如权利要求6所述的电源,其中所述法拉第层是MoO2.4–2.9:M1:M2:E1:E2:E3层,其中
M1是选自Ti、Ni、V、Cr、Al、Nb、Ta、Co、Mn的掺杂元素;
M2是选自Ti、Ni、V、Cr、Al、Nb、Ta、Co、Mn的掺杂元素;
E1是选自H、N、C、Si、Ge、P、B的掺杂元素;
E2是选自H、N、C、Si、Ge、P、B的掺杂元素;
E3是选自H、N、C、Si、Ge、P、B的掺杂元素,
M1与M2不同,并且E1、E2、E3彼此不同。
9.如权利要求6所述的电源,其中所述法拉第层的厚度在100至1000nm的范围内。
10.如前述权利要求中任一项所述的电源,其中所述缓冲/缓存层中的每一层均置于所述固态电解质层与所述集电器层之间或所述固态电解质层与所述法拉第层之间。
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【专利技术属性】
技术研发人员:弗拉基米尔·伊戈列维奇·梅谢里亚科夫,阿诺克斯·罗索夫,安东·米哈伊洛维奇·马纳克霍夫,尼古拉·安纳托列维奇·波戈洛勒夫,埃琳娜·维克托罗芙娜·科尔斯尼科娃,弗拉基米尔·亚历山德罗维奇·丘贡诺夫,
申请(专利权)人:思尼卡有限公司,
类型:发明
国别省市:俄罗斯;RU
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