【技术实现步骤摘要】
屏蔽型IGBT结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件及制造方法，具体地说是一种屏蔽型IGBT结构及其制造方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT）作为绝缘栅控制的双极型器件，其体内的非平衡载流子浓度越高则其电导调制效应越显著，其电流密度越高。为了提高非平衡载流子浓度，通常的做法是在P型体区下方设置一层高浓度N型杂质掺杂的积累层，这种做法增强了漂移区的电导调制效应，减小了正向压降，但是这种方法会明显增加器件的开关损耗，同时非平衡载流子浓度提高后，在IGBT短路过程中，非平衡载流子会影响栅极电位，导致栅极电位出现剧烈震荡，影响了器件的可靠性。现有的IGBT结构如附图14所示，它包括集电极金属1，集电极金属1上依次设置有P型集电极区2、N型缓冲层3和N型外延层4，N型外延层4的上表面间隔设置有栅极沟槽，N型外延层4的上表面设有N型积累层5，在N型积累层5的上表面设有P型体区6，在P型体区6的上表面设有N型源区12，栅极沟槽从N型外延层4的上表面...
【技术保护点】
1.一种屏蔽型IGBT结构，其特征是：它包括集电极金属（1）、P型集电极区（2）、N型缓冲层（3）、N型外延层（4）、N型积累层（5）、P型体区（6）、第一类沟槽（7）、第二类沟槽（8）、第一类导电多晶硅（9）、第二类导电多晶硅（10）、栅氧层（11）、N型源区（12）、绝缘介质层（13）与发射极金属（14）；/n在集电极金属（1）的上表面设有P型集电极区（2），在P型集电极区（2）的上表面设有N型缓冲层（3），在N型缓冲层（3）的上表面设有N型外延层（4），在N型外延层（4）的上表面设有N型积累层（5），在N型积累层（5）的上表面设有P型体区（6），在P型体区（6）的上表...
【技术特征摘要】
1.一种屏蔽型IGBT结构，其特征是：它包括集电极金属（1）、P型集电极区（2）、N型缓冲层（3）、N型外延层（4）、N型积累层（5）、P型体区（6）、第一类沟槽（7）、第二类沟槽（8）、第一类导电多晶硅（9）、第二类导电多晶硅（10）、栅氧层（11）、N型源区（12）、绝缘介质层（13）与发射极金属（14）；
在集电极金属（1）的上表面设有P型集电极区（2），在P型集电极区（2）的上表面设有N型缓冲层（3），在N型缓冲层（3）的上表面设有N型外延层（4），在N型外延层（4）的上表面设有N型积累层（5），在N型积累层（5）的上表面设有P型体区（6），在P型体区（6）的上表面设有N型源区（12），在N型源区（12）的上表面设有绝缘介质层（13），在绝缘介质层（13）的上表面设有发射极金属（14）；
所述第一类沟槽（7）与第二类沟槽（8）呈间隔设置，第一类沟槽（7）从N型源区（12）的上表面依次穿透P型体区（6）与N型积累层（5）并最后进入N型外延层（4）内，在第一类沟槽（7）的侧面与底面设有栅氧层（11），栅氧层（11）包裹所述第一类导电多晶硅（9）；第二类沟槽（8）从N型源区（12）的上表面穿透P型体区（6）与并最后进入N型积累层（5）内，在第二类沟槽（8）的侧面与底面设有栅氧层（11），栅氧层（11）包裹所述第二类导电多晶硅（10）；
所述发射极金属（14）通过相邻两个沟槽之间的第一发射极金属连接柱与N型源区（12）以及P型体区（6）欧姆接触，发射极金属（14）通过第二发射极金属连接柱与第一类导电多晶硅（9）欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的屏蔽型IGBT结构，其特征是：相邻两个第二类沟槽（8）之间至少设置有一个第一类沟槽（7）。
3.根据权利要求1所述的屏蔽型IGBT结构，其特征是：相邻两个第一类沟槽（7）之间至少设置有一个第二类沟槽（8）。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，周锦程，李宗清，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。