一种基于固态离子导体的场效应器件制造技术

公开了一种基于固态离子导体的场效应器件。根据一实施例，基于固态离子导体的场效应器件包括：目标材料、源/漏电极、固态离子导体、栅压电极；其中，所述目标材料形成于所述固态离子导体之上，所述源/漏电极位于所述目标材料的两侧，所述栅压电极位于所述固态离子导体表面。本申请实施例的场效应器件，相较于传统的利用氧化物介电层的场效应器件对载流子浓度调控能力有较大的提升，场效应调控能力上限更高。

A field effect device based on solid-state ionic conductor

【技术实现步骤摘要】
一种基于固态离子导体的场效应器件
本申请总体上涉及电子元器件或者微电子
，更具体地，涉及一种基于固态离子导体的场效应器件。
技术介绍
场效应是一种利用电场调节材料界面的载流子浓度从而实现对电导率的调制，目前最常见的应用是半导体场效应晶体管，利用栅压可以调控半导体的电导率在多个量级的变化，实现电学上的开关状态。常用的栅极材料为氧化物如SiO2、HfO2，其调控能力主要由栅极材料的介电常数k衡量。场效应器件原理上与电容器类似，绝缘层越薄，对载流子的调控能力就越强。然而绝缘层太薄(大约10nm)容易漏电，施加的调控电压也容易超过栅极击穿电压。总得来使用较高介电常数的材料，最佳厚度约为100nm，对载流子调控能力的上限大约为1e13cm-2。这就使得适用范围限于较低载流子浓度的半导体材料，对于高浓度载流子的金属型材料调制能力很弱(大约0.1％)。
技术实现思路
然而，本专利技术人在实验中发现，目前常用的氧化物栅极材料电极化形成的电场效应调制能力存在局限，针对本领域的该技术问题和其他问题，提出了本专利技术。<br>根据一实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于固态离子导体的场效应器件，包括：/n目标材料；/n源/漏电极；/n固态离子导体；/n栅压电极；/n其中，所述目标材料形成于所述固态离子导体之上，所述源/漏电极位于所述目标材料的两侧，所述栅压电极位于所述固态离子导体表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于固态离子导体的场效应器件，包括：
目标材料；
源/漏电极；
固态离子导体；
栅压电极；
其中，所述目标材料形成于所述固态离子导体之上，所述源/漏电极位于所述目标材料的两侧，所述栅压电极位于所述固态离子导体表面。


2.根据权利要求1所述的场效应器件，其中，所述目标材料为半导体材料薄膜、金属性材料薄膜或者化合物金属薄膜。


3.根据权利要求1所述的场效应器件，其中，所述目标材料的薄膜厚度为1nm～100nm。


4.根据权利要求1、2或3所述的场效应器件，其中，
所述目标材料通过原位生长和/或沉积的方式形成于所述固态离子导体之上；或者，
所述目标材料通过转移的方法直接被放置在所述固态离子导体之上。

【专利技术属性】
技术研发人员：周璋，鲍丽宏，高鸿钧，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11