导电性薄膜的制造方法技术

技术编号:24332839 阅读:65 留言:0更新日期:2020-05-29 20:34
本发明专利技术提供导电性薄膜的制造方法,提供使用载体薄膜制作带金属层的导电性薄膜时,制造金属层的图案化精度良好的导电性薄膜的方法。导电性薄膜(1)的制造方法具备下述工序:准备层叠体(2)的准备工序,所述层叠体(2)具备:依次具备透明基材(5)、第1透明导电层(7)及第1金属层(8)的中间薄膜(3)、和配置于中间薄膜(3)的载体薄膜(4);及去除工序,对第1金属层(8)实施干洗处理而去除源自载体薄膜(4)的成分。

Manufacturing method of conductive film

【技术实现步骤摘要】
导电性薄膜的制造方法
本专利技术涉及导电性薄膜的制造方法,详细而言涉及适合用于光学用途的导电性薄膜的制造方法。
技术介绍
以往以来,已知图像显示装置具备在透明基材上配置有铟锡复合氧化物(ITO)层等透明导电膜的透明导电性薄膜作为触摸面板用薄膜。近年来,对于这样的透明导电性薄膜,为了在触摸输入区域的外缘部形成引绕布线而实现窄边框化,提出了在透明导电膜的表面进而配置有电极用的铜膜的导电性薄膜。例如,专利文献1中公开了在透明基材片的两面分别依次层叠有经图案化的透明导电膜及电极用导电膜(铜膜等)的两面导电性的触摸输入片。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-60146号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而,对于导电性薄膜,在制造时,为了抑制导电性薄膜的品质降低(例如,应变、破损的产生),研究使用载体薄膜。例如,在透明基材片的一个面形成第1透明导电膜及第1铜膜后、且在透明基材片的另一面形成第2透明导电膜及第2铜膜前,为了抑制在第1透明导电膜与第1铜膜之间产生的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性薄膜的制造方法,其特征在于,具备下述工序:/n准备层叠体的准备工序,所述层叠体具备:依次具备透明基材、第1透明导电层及第1金属层的中间薄膜、和配置于所述中间薄膜的载体薄膜;及/n去除工序,对所述第1金属层实施干洗处理而去除源自所述载体薄膜的成分。/n

【技术特征摘要】
20181122 JP 2018-2188911.一种导电性薄膜的制造方法,其特征在于,具备下述工序:
准备层叠体的准备工序,所述层叠体具备:依次具备透明基材、第1透明导电层及第1金属层的中间薄膜、和配置于所述中间薄膜的载体薄膜;及
去除工序,对所述第1金属层实施干洗处理而去除源自所述载体薄膜的成分。


2.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,所述干洗处理为等离子体处理或电晕处理。


3.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,所述去除工序后的所述第1金属层的水接触角为90度以下。


4.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,所述去除工序后,满足下述(1)~(3)中至少1个要件,
(1)C15H23O+相对于Cu+的相对强度为7.8×10...

【专利技术属性】
技术研发人员:竹安智宏鹰尾宽行西岛仁志
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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