导电性薄膜的制造方法技术

本发明专利技术提供导电性薄膜的制造方法，提供使用载体薄膜制作带金属层的导电性薄膜时，制造金属层的图案化精度良好的导电性薄膜的方法。导电性薄膜(1)的制造方法具备下述工序：准备层叠体(2)的准备工序，所述层叠体(2)具备：依次具备透明基材(5)、第1透明导电层(7)及第1金属层(8)的中间薄膜(3)、和配置于中间薄膜(3)的载体薄膜(4)；及去除工序，对第1金属层(8)实施干洗处理而去除源自载体薄膜(4)的成分。

Manufacturing method of conductive film

【技术实现步骤摘要】
导电性薄膜的制造方法
本专利技术涉及导电性薄膜的制造方法，详细而言涉及适合用于光学用途的导电性薄膜的制造方法。
技术介绍
以往以来，已知图像显示装置具备在透明基材上配置有铟锡复合氧化物(ITO)层等透明导电膜的透明导电性薄膜作为触摸面板用薄膜。近年来，对于这样的透明导电性薄膜，为了在触摸输入区域的外缘部形成引绕布线而实现窄边框化，提出了在透明导电膜的表面进而配置有电极用的铜膜的导电性薄膜。例如，专利文献1中公开了在透明基材片的两面分别依次层叠有经图案化的透明导电膜及电极用导电膜(铜膜等)的两面导电性的触摸输入片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-60146号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，对于导电性薄膜，在制造时，为了抑制导电性薄膜的品质降低(例如，应变、破损的产生)，研究使用载体薄膜。例如，在透明基材片的一个面形成第1透明导电膜及第1铜膜后、且在透明基材片的另一面形成第2透明导电膜及第2铜膜前，为了抑制在第1透明导电膜与第1铜膜之间产生的应变，研究在第1铜膜的表面临时配置载体薄膜。这样，在形成第2透明导电膜及第2铜膜、进而将载体薄膜剥离后，对第1铜膜进行图案化时，会产生图案化精度因载体薄膜所带来的污染而降低的不良情况。本专利技术提供在使用载体薄膜制作带金属层的导电性薄膜时，制造金属层的图案化精度良好的导电性薄膜的方法。用于解决问题的方案本专利技术[1]包含一种导电性薄膜的制造方法，其具备下述工序：准备层叠体的准备工序，所述层叠体具备：依次具备透明基材、第1透明导电层及第1金属层的中间薄膜、和配置于前述中间薄膜的载体薄膜；及去除工序，对前述第1金属层实施干洗处理而去除源自前述载体薄膜的成分。本专利技术[2]包含[1]所述的导电性薄膜的制造方法，其中，前述干洗处理为等离子体处理或电晕处理。本专利技术[3]包含[1]或[2]所述的导电性薄膜的制造方法，其中，前述去除工序后的前述第1金属层的水接触角为90度以下。本专利技术[4]包含[1]～[3]中任一项所述的导电性薄膜的制造方法，其中，前述去除工序后，满足下述(1)～(3)中的至少1个要件。(1)C15H23O+相对于Cu+的相对强度为7.8×10-2以下。(2)C6H13+相对于Cu+的相对强度为6.1×10-3以下。(3)C18H35O2-相对于Cu-的相对强度为4.3×10-2以下。本专利技术[5]包含[1]～[4]中任一项所述的导电性薄膜的制造方法，其中，前述准备工序依次具备下述工序：在前述透明基材的厚度方向一侧依次配置前述第1透明导电层及前述第1金属层的工序；在前述第1金属层的厚度方向一侧配置前述载体薄膜的工序；在前述透明基材的厚度方向另一侧依次配置第2透明导电层及第2金属层的工序；以及将前述载体薄膜去除的工序。本专利技术[6]包含[1]～[4]中任一项所述的导电性薄膜的制造方法，其中，前述准备工序依次具备下述工序：在前述透明基材的厚度方向另一侧配置前述载体薄膜的工序；在前述透明基材的厚度方向一侧依次配置第1透明导电层及第1金属层的工序。专利技术的效果根据本专利技术的导电性薄膜的制造方法，由于对第1金属层实施干洗处理，因此能够将源自载体薄膜的成分(残渣)去除。因此，能够抑制在对第1金属层进行图案化时在图案化用抗蚀膜与第1金属层的界面产生间隙。因此，第1金属层的图案化精度优异。附图说明图1的A-H示出本专利技术的导电性薄膜的制造方法的第1实施方式的工序图，图1的A示出准备透明基材的工序，图1的B示出配置硬涂层的工序，图1的C示出配置第1透明导电层的工序，图1的D示出配置第1金属层的工序，图1的E示出配置载体薄膜的工序，图1的F示出配置第2透明导电层的工序，图1的G示出配置第2金属层的工序，图1的H示出得到导电性薄膜的工序。图2的A-C示出等离子体处理的方式的立体图及其侧面图，图2的A示出远程方式，图2的B示出直接方式，图2的C示出探针方式。图3的A-F示出本专利技术的图案化导电性薄膜的制造方法的工序图，图3的A示出配置干膜抗蚀剂的工序，图3的B示出对干膜抗蚀剂进行图案化的工序，图3的C示出对第1金属层进行蚀刻的工序，图3的D示出去除干膜抗蚀剂的工序，图3的E示出对第2金属层进行蚀刻的工序，图3的F示出对第1透明导电层及第2透明导电层进行蚀刻的工序。图4的A-B示出图1的H所示的导电性薄膜的制造方法的变形例，图4的A示出配置光学调整层的工序，图4的B示出得到图1的H所示的导电性薄膜的变形例(具备光学调整层的方式)的工序。图5的A-F示出本专利技术的导电性薄膜的制造方法的第2实施方式的工序图，图5的A示出准备透明基材的工序，图5的B示出配置载体薄膜的工序，图5的C示出配置硬涂层的工序，图5的D示出配置第1透明导电层的工序，图5的E示出配置第1金属层的工序，图5的F示出得到导电性薄膜的工序。附图标记说明1导电性薄膜2层叠体3中间薄膜4载体薄膜5透明基材7第1透明导电层8第1金属层10第2透明导电层11第2金属层具体实施方式图1的A中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向，第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向一侧，第1方向一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧，第1方向另一侧)。另外，纸面左右方向及深度方向为与上下方向正交的面方向。具体而言，以各图的方向箭头为准。需要说明的是，并不意在通过这些方向的定义来限定本专利技术的导电性薄膜的制造时及使用时的方向。<第1实施方式>参照图1的A-图2的C，作为本专利技术的导电性薄膜的制造方法的第1实施方式，对两面带金属层的导电性薄膜1的制造方法进行说明。导电性薄膜1的制造方法的一实施方式例如具备准备工序和去除工序。优选该制造方法全部以辊对辊(rolltoroll)方式实施。1.准备工序准备工序中，如图1的A-G所示，准备层叠体2。层叠体2如图1的G所示，具备中间薄膜3和配置于其上表面的载体薄膜4。以下，对各薄膜进行说明。(中间薄膜)中间薄膜3具有薄膜形状(包含片形状)，沿面方向(第1方向及第2方向)延伸，具有平坦的上表面(厚度方向一个面)及平坦的下表面(厚度方向另一面)。中间薄膜3具备：透明基材5、配置于透明基材5的上侧的第1硬涂层6、配置于第1硬涂层6的上侧的第1透明导电层7、配置于第1透明导电层7的上侧的第1金属层8、配置于透明基材5的下侧的第2硬涂层9、配置于第2硬涂层9的下侧的第2透明导电层10、和配置于第2透明导电层10的下侧的第2金属层11。即，中间薄膜3自下方起依次具备：第2金属层11、第2透明导电层10、第2硬涂层9、透明基材5、第1硬涂层6、第1透明导电层7、及第1金属层8。即，中间薄膜3为在透明基材5的两侧依次具备硬涂层、透明导电层及金属层的两面导电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性薄膜的制造方法，其特征在于，具备下述工序：/n准备层叠体的准备工序，所述层叠体具备：依次具备透明基材、第1透明导电层及第1金属层的中间薄膜、和配置于所述中间薄膜的载体薄膜；及/n去除工序，对所述第1金属层实施干洗处理而去除源自所述载体薄膜的成分。/n

【技术特征摘要】
20181122 JP 2018-2188911.一种导电性薄膜的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
准备层叠体的准备工序，所述层叠体具备：依次具备透明基材、第1透明导电层及第1金属层的中间薄膜、和配置于所述中间薄膜的载体薄膜；及
去除工序，对所述第1金属层实施干洗处理而去除源自所述载体薄膜的成分。


2.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述干洗处理为等离子体处理或电晕处理。


3.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述去除工序后的所述第1金属层的水接触角为90度以下。


4.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述去除工序后，满足下述(1)～(3)中至少1个要件，
(1)C15H23O+相对于Cu+的相对强度为7.8×10...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹安智宏，鹰尾宽行，西岛仁志，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP