磁头及磁记录再现装置制造方法及图纸

提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层及第2导电层。磁性层设置于磁极与第1屏蔽件之间。第1导电层设置于第1屏蔽件与磁性层之间，与第1屏蔽件及磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。第2导电层设置于磁极与磁性层之间。第2导电层包括第1区域及第2区域。第1区域与磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。第2区域设置于第1区域与磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。

Magnetic head and magnetic recording and reproducing device

【技术实现步骤摘要】
磁头及磁记录再现装置本申请以日本专利申请2018-219270(申请日2018年11月22日)为基础，根据该申请而享受优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁头及磁记录再现装置。
技术介绍
使用磁头向HDD(HardDiskDrive：硬盘驱动器)等磁存储介质记录信息。在磁头及磁记录再现装置中，期望记录密度的提高。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据本专利技术的实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层及第2导电层。所述磁性层设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间。所述第1导电层设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，与所述第1屏蔽件及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。第2导电层设置于所述磁极与所述磁性层之间。所述第2导电层包括第1区域及第2区域。所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。所述第2区域设置于所述第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁头，具备：/n磁极；/n第1屏蔽件；/n磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；/n第1导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，与所述第1屏蔽件及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种；及/n第2导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。/n

【技术特征摘要】
20181122 JP 2018-2192701.一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件；
磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；
第1导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，与所述第1屏蔽件及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种；及
第2导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。


2.根据权利要求1所述的磁头，
从所述第1屏蔽件向所述磁极流动电流。


3.一种磁头，具备：
磁极；
第1屏蔽件；
磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；
第1导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，与所述磁极及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种；及
第2导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构...

【专利技术属性】
技术研发人员：首藤浩文，成田直幸，永泽鹤美，高岸雅幸，前田知幸，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP