介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供了介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器，其可有效解决负耦合的问题，并可避免谐振峰的影响，且减弱寄生耦合，具有更加对称的频率响应特性；其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，所述耦合结构包括长形的盲槽，所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述盲槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的40％～100％，所述盲槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％～95％。

Negative coupling structure of dielectric resonator and its application to dielectric waveguide filter

【技术实现步骤摘要】
介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器
本技术涉及通信设备组件
，具体为介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器。
技术介绍
随着移动通信技术的发展，小型化、集成化成为通信设备的发展趋势，其中，介质波导滤波器以介质谐振器为基础，通过谐振器之间的耦合实现滤波性能，其相比传统的金属腔体滤波器具有体积小、插损低、成本低、易集成化等优势，而为了实现越来越严格的性能要求，如要具有陡峭的过渡带和较低的插入损耗，通常就需要谐振器之间具有负耦合，目前介质波导谐振器之间的负耦合方式主要是在谐振器之间设置盲孔实现，如现有的一种介质波导滤波器，如图1所示，其在介质谐振器上包括至少一个负耦合盲孔3，负耦合盲孔3位于介质谐振器1、介质谐振器2连接位置的本体表面，且两种结构要求负耦合盲孔3深度至少是介质谐振器上调谐孔4深度的两倍以上，因此负耦合盲孔底部距离谐振器底面很近，从而形成强电容效应实现负耦合；但是也由于负耦合盲孔深度较深，孔身形成了电感效应，而孔底又形成了电容效应，从而形成了类似串联谐振电路的谐振效应，会在滤波器滤波曲线上形成谐振峰而导致滤波器的抑制性能无法满足特定频段的要求，一般地，谐振峰在频域上的位置是由负耦合盲孔的深度决定，深度越深频率越低，反之越高，而负耦合盲孔的深度又根据客户指标设计的耦合量决定，也就是说一旦客户指标确定，则负耦合盲孔的深度也就确定了，由负耦合盲孔引起的谐振峰在频域上的位置也就无法调整，也就会导致谐振峰落在具有较高抑制要求的频段内时，该负耦合结构无法满足滤波器性能要求；另外，由于负耦合盲孔轴向横截面较小，而谐振器之间的连接区域较大，则其他介质谐振器很容易通过此连接区域产生寄生耦合，从而导致结构对称的介质滤波器频率响应特性一边高一边低，也就无法得到需要的对称特性。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器，其可有效解决负耦合的问题，并可避免谐振峰的影响，且减弱寄生耦合，具有更加对称的频率响应特性。其技术方案是这样的：介质谐振器负耦合结构，其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，其特征在于：所述耦合结构包括长形的盲槽，所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述盲槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的40％～100％，所述盲槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％～95％。其进一步特征在于：所述介质谐振器的材质为陶瓷介质材料或高分子材料；所述介质谐振器的形状为圆形或是多边形块；在每个所述介质谐振器表面中心均设有谐振盲孔，所述谐振盲孔的深度小于所述盲槽的深度；所述盲槽自所述介质谐振器之间的所述连接处的一侧伸入，且未贯穿所述介质谐振器，所述盲槽壁面与所述连接处的另一侧之间留有距离，在所述介质谐振器之间的所述连接处上未隔开的部分形成耦合部，所述耦合部呈L型；所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处的中间位置，且所述盲槽两侧壁面与所述连接处的两侧均留有距离，以形成封闭槽结构，在所述介质谐振器之间的所述连接处上未隔开的部分形成耦合部，所述耦合部呈冂型；所述耦合部水平部分的高度不大于所述介质谐振器之间所述连接处高度的一半。介质波导滤波器，其包括所述的介质谐振器负耦合结构。本技术的有益效果是，通过在介质谐振器之间的连接处开设盲槽，而盲槽的长度为介质谐振器之间连接处长度的40％～100％，盲槽的深度为介质谐振器之间连接处高度的50％～95％，则通过相应调节设置盲槽的长度和深度，即可实现既保证负耦合量，又保证滤波器性能满足抑制要求，避免谐振峰的影响，且通过开设的盲槽的横截面积相较现有介质谐振器上负耦合盲孔的轴向横截面积大，则可对其他介质谐振器通过连接处的耦合有阻挡作用，从而减弱了寄生耦合影响，可以得到更加对称的频率响应特性。附图说明图1是现有介质谐振器的立体结构示意图；图2是本技术实施例一的立体结构示意图；图3是本技术实施例一的俯视结构示意图；图4是本技术实施例一的纵剖结构示意图；图5是本技术实施例一的横剖结构示意图；图6是现有的介质波导滤波器通带频率响应曲线图；图7是本技术实施例一的介质波导滤波器通带频率响应曲线图；图8是图6与图7的介质波导滤波器通带频率响应比较曲线图；图9是本技术实施例二的结构示意图；图10是本技术实施例二的俯视结构示意图；图11是本技术实施例二的纵剖结构示意图；图12是本技术中实施例一和实施例二频率响应比较曲线图；图13是本技术中实施例一、实施例二以及现有介质波导滤波器频率响应比较曲线图。具体实施方式本技术的介质谐振器耦合结构，其包括相连接的介质谐振器1、介质谐振器2，即介质谐振器1、介质谐振器2连接作为一个整体，在介质谐振器1、介质谐振器2之间的连接处5设有耦合结构，耦合结构包括长形的盲槽6，盲槽6开设于介质谐振器1、介质谐振器2之间的连接处5，盲槽6的长度为介质谐振器1、介质谐振器2之间连接处5长度的40％～100％，盲槽6的深度为介质谐振器1、介质谐振器2之间连接处5高度的50％～95％。介质谐振器1、介质谐振器2的材质均为陶瓷介质材料或高分子材料制成；介质谐振器1、介质谐振器2的形状均为圆形或是多边形块，本技术实施例中采用的正方形块；在介质谐振器1、介质谐振器2表面中心均设有谐振盲孔7，谐振盲孔7既可设于介质谐振器上表面，也可以设于介质谐振器下表面，或者介质谐振器侧面，谐振盲孔7的深度小于盲槽6的深度。介质波导滤波器，其包括介质谐振器负耦合结构，具体由多个介质谐振器连接而成。实施例一如图2～图8所示，盲槽6自介质谐振器1、介质谐振器2之间的连接处5的一侧伸入，且未贯穿介质谐振器，盲槽6壁面与连接处5的另一侧之间留有距离，相当于盲槽6的长度为介质谐振器1、介质谐振器2之间连接处5长度的80％，在介质谐振器1、介质谐振器2之间的连接处5上未隔开的部分形成耦合部8，耦合部8呈L型，也可说成是呈7字型；耦合部8水平部分的高度较低，耦合部8水平部分的高度不大于介质谐振器1、介质谐振器2之间连接处5高度的一半，从而形成容性耦合窗口；该L型的耦合部8的垂直部分起到了增强连接强度的加强筋作用，可避免当耦合部8的水平部分高度较小时，相连的介质谐振器1、介质谐振器2之间容易在连接处5出现断裂的问题。其中，调节耦合部8的水平部分的高度和长度均可以起到调节负耦合量，具体地，长度越长，高度越高，负耦合越强，反之负耦合越弱，而调节耦合部8的水平部分的高度和长度，也就是调节设置盲槽6的长度和深度，介质谐振器1、介质谐振器2之间的耦合为负耦合，调整盲槽6的深度可调节负耦合量，盲槽6越深耦合越弱，反之越强。L型的耦合部8也会在介质波导滤波器滤波曲线上形成谐振峰，但谐振峰在频域上的位置可以通过调节耦合部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.介质谐振器负耦合结构，其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，其特征在于：所述耦合结构包括长形的盲槽，所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述盲槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的40％～100％，所述盲槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％～95％。/n

【技术特征摘要】
1.介质谐振器负耦合结构，其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，其特征在于：所述耦合结构包括长形的盲槽，所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述盲槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的40％～100％，所述盲槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％～95％。


2.根据权利要求1所述的介质谐振器负耦合结构，其特征在于：所述介质谐振器的材质为陶瓷介质材料或高分子材料；所述介质谐振器的形状为圆形或是多边形块。


3.根据权利要求1所述的介质谐振器负耦合结构，其特征在于：在每个所述介质谐振器表面中心均设有谐振盲孔，所述谐振盲孔的深度小于所述盲槽的深度。


4.根据权利要求1所述的介质谐振器负耦合结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡辉，梁宇栋，徐国强，吕家泉，
申请(专利权)人：江苏亨鑫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32