介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供了介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器，其可有效解决负耦合的问题，并可避免谐振峰的影响，且减弱寄生耦合，具有更加对称的频率响应特性；其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，所述耦合结构包括长形的盲槽，所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述盲槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的40％～100％，所述盲槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％～95％。

Negative coupling structure of dielectric resonator and its application to dielectric waveguide filter

【技术实现步骤摘要】
介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器
本技术涉及通信设备组件
，具体为介质谐振器负耦合结构及应用其的介质波导滤波器。
技术介绍
随着移动通信技术的发展，小型化、集成化成为通信设备的发展趋势，其中，介质波导滤波器以介质谐振器为基础，通过谐振器之间的耦合实现滤波性能，其相比传统的金属腔体滤波器具有体积小、插损低、成本低、易集成化等优势，而为了实现越来越严格的性能要求，如要具有陡峭的过渡带和较低的插入损耗，通常就需要谐振器之间具有负耦合，目前介质波导谐振器之间的负耦合方式主要是在谐振器之间设置盲孔实现，如现有的一种介质波导滤波器，如图1所示，其在介质谐振器上包括至少一个负耦合盲孔3，负耦合盲孔3位于介质谐振器1、介质谐振器2连接位置的本体表面，且两种结构要求负耦合盲孔3深度至少是介质谐振器上调谐孔4深度的两倍以上，因此负耦合盲孔底部距离谐振器底面很近，从而形成强电容效应实现负耦合；但是也由于负耦合盲孔深度较深，孔身形成了电感效应，而孔底又形成了电容效应，从而形成了类似串联谐振电路的谐振效应，会在滤波器滤波曲线上形成谐振峰而导致滤波器的抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.介质谐振器负耦合结构，其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，其特征在于：所述耦合结构包括长形的盲槽，所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述盲槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的40％～100％，所述盲槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％～95％。/n

【技术特征摘要】
1.介质谐振器负耦合结构，其包括至少两个相连接的介质谐振器，在所述介质谐振器之间的连接处设有耦合结构，其特征在于：所述耦合结构包括长形的盲槽，所述盲槽开设于所述介质谐振器之间的所述连接处，所述盲槽的长度为所述介质谐振器之间所述连接处长度的40％～100％，所述盲槽的深度为所述介质谐振器之间所述连接处高度的50％～95％。


2.根据权利要求1所述的介质谐振器负耦合结构，其特征在于：所述介质谐振器的材质为陶瓷介质材料或高分子材料；所述介质谐振器的形状为圆形或是多边形块。


3.根据权利要求1所述的介质谐振器负耦合结构，其特征在于：在每个所述介质谐振器表面中心均设有谐振盲孔，所述谐振盲孔的深度小于所述盲槽的深度。


4.根据权利要求1所述的介质谐振器负耦合结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡辉，梁宇栋，徐国强，吕家泉，
申请(专利权)人：江苏亨鑫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32