一种波导与微带过渡转换结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种波导与微带过渡转换结构，在波导腔体的末端设置有台阶型过渡转换体，位于波导腔体的中间且沿波导腔体方向延伸，优选包括四级台阶，其中最下部的一级台阶位于波导腔体内，最上部的一级台阶临近波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在最上部的一级台阶上，最下部的第一级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到波导腔体上壁面的距离为0.48mm，最上部的第四级台阶距到波导腔体上壁面的距离为0.23mm。本实用新型专利技术实现了在V波段上波导与微带之间的过渡，并且具有损耗小，频带宽，尺寸小的特点。

A transition structure between waveguide and microstrip

【技术实现步骤摘要】
一种波导与微带过渡转换结构
本技术涉及毫米波通信
，尤其涉及一种波导与微带过渡转换结构。
技术介绍
功率分配、合成网络通常以矩形波导作为接口，矩形波导的传输模式为TE模式，微带的传输模式为TEM模式，但是这两个模式之间的特性阻抗相差较大，并且还存在过渡转换的损耗大、频带窄的问题。为了实现在V波段上波导与微带之间的良好过渡，故需要提供一种波导与微带过渡转换结构，来满足这一需求。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种波导与微带过渡转换结构，解决V波段上波导与微带之间的过渡损耗大、频带窄的问题。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是提供一种波导与微带过渡转换结构，在波导腔体的末端设置有台阶型过渡转换体，所述台阶状型过渡转换体位于所述波导腔体的中间且沿所述波导腔体方向延伸，所述台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于所述波导腔体内，最上部的一级台阶临近所述波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在所述最上部的一级台阶上。优选的，所述台阶状型过渡转换体包括四级台阶，最下部的第一级本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波导与微带过渡转换结构，其特征在于，在波导腔体的末端设置有台阶状型过渡转换体，所述台阶状型过渡转换体位于所述波导腔体的中间且沿所述波导腔体方向延伸，所述台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于所述波导腔体内，最上部的一级台阶临近所述波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在所述最上部的一级台阶上。/n

【技术特征摘要】
1.一种波导与微带过渡转换结构，其特征在于，在波导腔体的末端设置有台阶状型过渡转换体，所述台阶状型过渡转换体位于所述波导腔体的中间且沿所述波导腔体方向延伸，所述台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于所述波导腔体内，最上部的一级台阶临近所述波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在所述最上部的一级台阶上。


2.根据权利要求1所述的波导与微带过渡转换结构，其特征在于，所述台阶状型过渡转换体包括四级台阶，最下部的第一级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.48mm，最上部的第四级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.23mm。


3.根据权利要求2所述的波导与微带过渡转换结构，其特征在于，所述第一级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.2mm，所述第二级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.14m...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，王宸星，张玲玲，顾鹏，
申请(专利权)人：南京屹信航天科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32