一种波导与微带过渡转换结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种波导与微带过渡转换结构，在波导腔体的末端设置有台阶型过渡转换体，位于波导腔体的中间且沿波导腔体方向延伸，优选包括四级台阶，其中最下部的一级台阶位于波导腔体内，最上部的一级台阶临近波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在最上部的一级台阶上，最下部的第一级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到波导腔体上壁面的距离为0.48mm，最上部的第四级台阶距到波导腔体上壁面的距离为0.23mm。本实用新型专利技术实现了在V波段上波导与微带之间的过渡，并且具有损耗小，频带宽，尺寸小的特点。

A transition structure between waveguide and microstrip

【技术实现步骤摘要】
一种波导与微带过渡转换结构
本技术涉及毫米波通信
，尤其涉及一种波导与微带过渡转换结构。
技术介绍
功率分配、合成网络通常以矩形波导作为接口，矩形波导的传输模式为TE模式，微带的传输模式为TEM模式，但是这两个模式之间的特性阻抗相差较大，并且还存在过渡转换的损耗大、频带窄的问题。为了实现在V波段上波导与微带之间的良好过渡，故需要提供一种波导与微带过渡转换结构，来满足这一需求。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种波导与微带过渡转换结构，解决V波段上波导与微带之间的过渡损耗大、频带窄的问题。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是提供一种波导与微带过渡转换结构，在波导腔体的末端设置有台阶型过渡转换体，所述台阶状型过渡转换体位于所述波导腔体的中间且沿所述波导腔体方向延伸，所述台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于所述波导腔体内，最上部的一级台阶临近所述波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在所述最上部的一级台阶上。优选的，所述台阶状型过渡转换体包括四级台阶，最下部的第一级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.48mm，最上部的第四级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.23mm。优选的，所述第一级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.2mm，所述第二级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.14mm，所述第三级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1mm，所述第四级台阶距沿所述波导腔体方向延伸至微带的长度是0.94mm。优选的，所述微带包括设置在介质板上的探针和微带线，所述探针和微带线之间通过高阻线连接。优选的，所述探针的宽度为1.02mm，所述微带线为宽度0.38毫米的50欧姆微带线。优选的，所述介质板的介电常数为2.2，基片厚度为0.127mm。优选的，所述波导腔体的末端设置有凸台，所述台阶状型过渡转换体的第四级台阶底部设置在所述凸台上。优选的，各级台阶的横向宽度为0.4mm。本技术的有益效果是：本技术公开了一种波导与微带过渡转换结构，在波导腔体的末端设置有台阶型过渡转换体，台阶状型过渡转换体位于波导腔体的中间且沿波导腔体方向延伸，台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于波导腔体内，最上部的一级台阶临近波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在最上部的一级台阶上。台阶状型过渡转换体包括四级台阶，最下部的第一级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.48mm，最上部的第四级台阶距到波导腔体上壁面的距离为0.23mm。本技术实现了在V波段上波导与微带之间的过渡，并且具有损耗小，频带宽，尺寸小的特点。附图说明图1是根据本技术波导与微带过渡转换结构一实施例的结构示意图；图2是根据本技术波导与微带过渡转换结构另一实施例中的结构示意图；图3是根据本技术波导与微带过渡转换结构另一实施例中的微带探针结构示意图；图4是根据本技术波导与微带过渡转换结构的仿真结果图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面结合附图和具体实施例，对本技术进行更详细的说明。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本技术。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在V波段上采用标准矩形波导WR15作为波导接口，对于矩形波导WR15，V波段的特性阻抗为310Ω，微带线为50Ω微带线，阻抗变化比R＝6.2，本技术通过波导与微带过渡转换结构实现波导与微带转换体之间的过渡。如图1所示，在波导腔体1的末端设置有台阶型过渡转换体2，台阶状型过渡转换体2位于波导腔体1的中间且沿波导腔体方向延伸，台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶21位于波导腔体1内，最上部的一级台阶24临近波导腔体1的末端壁面，并且微带3末端也设置在最上部的一级台阶24上。具体的，台阶状型过渡转换体包括四级台阶，第一级台阶21、第二级台阶22、第三级台阶23以及第四级台阶24。波导腔体1的末端设置有凸台4，台阶状型过渡转换体的第四级台阶24底部设置在凸台4上。如图2所示，最下部的第一级台阶21距到波导腔体上壁面101的距离L3为1.62mm，第二级台阶22距到波导腔体上壁面101的距离L2为1.12mm，第三级台阶23距到波导腔体上壁面101的距离L1为0.48mm，最上部的第四级台阶24距到波导腔体上壁面101的距离L0为0.23mm。第一级台阶距21沿波导腔体1方向的长度W3是1.2mm，第二级台阶22距沿波导腔体1方向的长度W2是1.14mm，第三级台阶23距沿波导腔体方向1的长度W1是1mm，第四级台阶24距沿波导腔体1方向延伸至微带3的长度W0是0.94mm。各级台阶的横向宽度为0.4mm。在图3中，微带3包括设置在介质板5上的探针301和微带线303，探针301和微带线303之间通过高阻线302连接。探针301的宽度为1.02mm，长度为0.4mm多少；微带线303为宽度0.38毫米的50欧姆微带线，长度为1.2mm；高阻线302的宽度为0.38mm，长度为1.23mm。介质板5的介电常数为2.2，基片厚度为0.127mm。如图4所示，对波导与微带过渡转换结构进行仿真，可以看出，在50GHz～75GHz范围内，该波导与微带过渡转换结构的插入损耗小于0.09dB,回波损耗基本在-20dB以下。并且该过渡结构的尺寸较小，有效的节省了加工材料。本技术的有益效果是：本技术公开了一种波导与微带过渡转换结构，在波导腔体的末端设置有台阶型过渡转换体，台阶状型过渡转换体位于波导腔体的中间且沿波导腔体方向延伸，台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于波导腔体内，最上部的一级台阶临近波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在最上部的一级台阶上。台阶状型过渡转换体包括四级台阶，最下部的第一级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到波导腔体上壁面的距离为1.48mm，最上部的第四级台阶距到波导腔体上壁面的距离为0.23mm。本技术实现了在V波段上波导与微带之间的过渡，并且具有损耗小，频带宽，尺寸小的特点。以上所述仅为本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波导与微带过渡转换结构，其特征在于，在波导腔体的末端设置有台阶状型过渡转换体，所述台阶状型过渡转换体位于所述波导腔体的中间且沿所述波导腔体方向延伸，所述台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于所述波导腔体内，最上部的一级台阶临近所述波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在所述最上部的一级台阶上。/n

【技术特征摘要】
1.一种波导与微带过渡转换结构，其特征在于，在波导腔体的末端设置有台阶状型过渡转换体，所述台阶状型过渡转换体位于所述波导腔体的中间且沿所述波导腔体方向延伸，所述台阶状型过渡转换体包括至少两级台阶，其中最下部的一级台阶位于所述波导腔体内，最上部的一级台阶临近所述波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在所述最上部的一级台阶上。


2.根据权利要求1所述的波导与微带过渡转换结构，其特征在于，所述台阶状型过渡转换体包括四级台阶，最下部的第一级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.48mm，最上部的第四级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.23mm。


3.根据权利要求2所述的波导与微带过渡转换结构，其特征在于，所述第一级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.2mm，所述第二级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.14m...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，王宸星，张玲玲，顾鹏，
申请(专利权)人：南京屹信航天科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32