太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统，刻蚀设备包括：传输组件；氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；传输组件用于将太阳能硅片传送至臭氧水反应槽，使太阳能硅片的表面形成氧化膜；水膜组件，设置在氧化组件后方，用于在氧化膜的上表面形成水膜；刻蚀组件，设置在水膜组件后方，用于对太阳能硅片的下表面进行蚀刻；传输组件的传送方向为从前向后。本实用新型专利技术所提供的刻蚀设备采用了湿法柔性的方式给太阳能硅片的表面生成一层氧化膜，相比于相关技术中的热氧化设备而言，氧化设备成本低，且无需高温反应降低了能耗，同时缩短了氧化制程，进而提高了太阳能硅片的制备效率。

Etching equipment and preparation system of solar silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统
本技术涉及太阳能硅片的刻蚀技术装置领域，具体而言，尤其涉及一种刻蚀设备和包括上述刻蚀设备的太阳能硅片的制备系统。
技术介绍
目前，在光伏激光SE和无机碱抛光的硅片制程中，经过激光SE制程后的硅片表面的氧化层会被严重的破坏，而这一层氧化层在做无机碱抛光是非常关键，氧化层受到严重破坏后无法保证硅片表面不被有机碱腐蚀，从而无法保证硅片的转换效率。目前常规的做法是硅片在经过激光SE制程后，通过热氧化，重新再硅片的表面生成一层氧化层，需要通过采用一个高温炉管设备完成，但该高温炉管设备存在成本高、能耗高的问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题至少之一，本技术的一个目的在于提供一种太阳能硅片的刻蚀设备。本技术的另一个目的在于提供一种上述刻蚀设备的太阳能硅片的制备系统。为了实现上述目的，本技术第一方面的技术方案提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备，包括：传输组件，用于传送所述太阳能硅片；氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；所述臭氧发生装置与所述气液混合装置相连接，所述气液混合装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能硅片的刻蚀设备，其特征在于，包括：/n传输组件，用于传送所述太阳能硅片；/n氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；所述臭氧发生装置与所述气液混合装置相连接，所述气液混合装置与所述臭氧水反应槽相连接，所述传输组件用于将所述太阳能硅片传送至所述臭氧水反应槽，使所述太阳能硅片的表面形成氧化膜；/n水膜组件，设置在所述氧化组件后方，用于在所述氧化膜的上表面形成水膜；/n刻蚀组件，设置在所述水膜组件后方，用于对所述太阳能硅片的下表面进行蚀刻；/n其中，所述传输组件的传送方向为从前向后。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能硅片的刻蚀设备，其特征在于，包括：
传输组件，用于传送所述太阳能硅片；
氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；所述臭氧发生装置与所述气液混合装置相连接，所述气液混合装置与所述臭氧水反应槽相连接，所述传输组件用于将所述太阳能硅片传送至所述臭氧水反应槽，使所述太阳能硅片的表面形成氧化膜；
水膜组件，设置在所述氧化组件后方，用于在所述氧化膜的上表面形成水膜；
刻蚀组件，设置在所述水膜组件后方，用于对所述太阳能硅片的下表面进行蚀刻；
其中，所述传输组件的传送方向为从前向后。


2.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，
所述臭氧水反应槽包括反应区和与所述反应区相邻的溢流区，所述溢流区用于收集溢出所述反应区的臭氧水，所述氧化组件包括臭氧水循环槽，所述溢流区和所述臭氧水循环槽之间设有至少一条排水管路，所述反应区和所述臭氧水循环槽之间设有至少一条进水管路，使得所述反应区、所述溢流区和所述臭氧水循环槽形成循环流路。


3.根据权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于，
所述进水管路包括并联的第一进水管和第二进水管，所述第一进水管和所述第二进水管连接所述臭氧水循环槽的出口端；所述第一进水管上设置有所述气液混合装置和第一控制阀，所述第二进水管上设置有第二控制阀，所述第一控制阀和所述第二控制阀用于控制所述臭氧水反应槽内的臭氧浓度；和/或
所述氧化组件包括臭氧浓度传感器，所述臭氧浓度传感器设置于所述臭氧水循环槽与所述气液混合装置之间。


4.根据权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于，
所述进水管路上设置有臭氧水提升泵和臭氧水调节阀，所述臭氧水提升泵设于所述臭氧水循环槽的出口端，用于将所述臭氧水循环槽内的臭氧水输送至所述反应区内，所述臭氧水调节阀...

【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，成旭，柯国英，任金枝，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32