OLED显示器件的像素结构、制备方法及OLED显示结构技术

提供一种OLED像素结构的制备方法，包括步骤：制备阳极(24)，阳极(24)上划分有一第一次像素区(21)、一第二次像素区(22)与一第三次像素区(23)；在阳极(24)上蒸镀形成一空穴传输层(26)；在空穴传输层(26)对应第一次像素区(21)的位置蒸镀形成第一单原色空穴传输层(27)；制备阴极(31)；以及在阴极(31)上对应第二次像素区(22)与第三次像素区(23)的位置分布形成第二单原色滤光片(321)及第三单原色滤光片(322)。还提供一种OLED像素结构及一种OLED显示结构。OLED像素结构、方法及OLED显示结构，同时具有较高的分辨率及较高的发光效率。

Pixel structure, preparation method and OLED display structure of OLED display device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】OLED显示器件的像素结构、制备方法及OLED显示结构
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示器件的像素结构、制备方法及OLED显示结构。
技术介绍
有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是下一代新型显示技术和照明技术，应用前景巨大。已经量产的中小尺寸有源矩阵有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)的红绿蓝(RGB)子像素都采用蒸镀技术，其分辨率受到掩膜板制备工艺限制很难提高，而白光OLED加彩色滤光片方式的OLED屏幕则可提供较高的分辨率，但其通常有2/3的光强都被滤光片吸收掉，因而整体功耗很高，未能在中小尺寸AMOLED应用中实现量产。
技术实现思路
本专利技术实施例公开一种OLED显示器件的像素结构、制备方法及OLED显示结构，其同时具有较高的分辨率及较高的发光效率。一种OLED像素结构，划分有一第一次像素区、一第二次像素区和一第三次像素区；所述OLED像素结构的阳极与阴极之间蒸镀形成有空穴传输层及第一单原色空穴传输层，所述阴极远离所述阳极的一侧形成有第二单原色滤光片及第三单原色滤光片；其中，所述第一单原色空穴传输层形成于所述空穴传输层对应所述第一次像素区的位置，所述第二单原色滤光片形成于对应所述第二次像素区的位置，所述第三单原色滤光片形成于对应所述第三次像素区的位置。一种OLED像素结构的制备方法，包括步骤：制备阳极，所述阳极上划分有一第一次像素区、一第二次像素区与一第三次像素区；在所述阳极上蒸镀形成一空穴传输层；在所述空穴传输层对应所述第一次像素区的位置蒸镀形成第一单原色空穴传输层；制备阴极；以及在所述阴极上对应所述第二次像素区与所述第三次像素区的位置分布形成第二单原色滤光片及第三单原色滤光片。一种OLED显示结构，包括成行列排布的多个像素，所述像素具有如上所述的像素结构。本专利技术的OLED像素结构、制备方法及OLED显示结构，仅在第一次像素区对应的位置通过蒸镀形成单原色光，在第二及第三次像素区通过滤光片形成单原色光，从而使制程良率较高，OLED显示结构的出光效率较高、分辨率也较高，且成本较低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一实施例中的OLED像素结构的制备方法流程图。图2至图9是本专利技术的第一较佳实施例的制作OLED像素结构的方法示意图；其中，图2为提供的基板的剖视示意图，图3为在基板上形成阳极的示意图，图4为形成空穴注入层的示意图，图5为形成空穴传输层及第一单原色空穴传输层的示意图，图6为形成白光层的示意图，图7为形成电子传输层及电子注入层的示意图，图8为形成阴极的示意图，图9为形成第二单原色滤光片及第三单原色滤光片后得到的OLED像素结构的示意图。图10为本专利技术另一实施例中的OLED像素结构的示意图。图11为本专利技术又一实施例中的OLED像素结构的示意图。图12为基于上述实施例的OLED像素结构的OLED显示结构的平面示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术技术方案实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1。图1是本专利技术的OLED像素结构的制备方法流程图，本案的OLED像素结构的制备方法主要包括下列流程：步骤101：提供一基板，并于基板上定义出一第一次像素区、一第二次像素区与一第三次像素区；步骤102：于基板上对应第一次像素区、二次像素区与第三次像素区的位置形成阳极；步骤103：在阳极上依次蒸镀形成空穴注入层(HIL)；步骤104：在HIL层上形成一空穴传输层(HTL)，及在HTL层对应第一次像素区的位置蒸镀形成第一单原色HTL层；步骤105：在HTL层上对应第二次像素区与第三次像素区的位置及第一单原色HTL层上形成白光层；步骤106：在白光层上形成电子传输层(ETL)及电子注入层(EIL)；步骤107：形成阴极；以及步骤108：在阴极上对应第二次像素区与第三次像素区的位置分布形成第二单原色滤光片及第三单原色滤光片。其中，第一单原色、第二单原色及第三单原色为不同的原色，且分别为红、绿、蓝色中的一种。请参考图2至图9。图2至图9是本专利技术的第一较佳实施例的制作OLED像素结构的方法示意图。如图2所示，首先提供基板20，基板20划分有第一次像素区21、第二次像素区22与第三次像素区23，分别用以显示不同的原色光。如图3所示，接着，分别于基板20的第一次像素区21、第二次像素区22与第三次像素区23内形成阳极24。本实施例中，所述阳极24分设为第一阳极241、第二阳极242与第三阳极243，所述第一阳极241、第二阳极242与第三阳极243可利用蒸镀工艺搭配精细金属掩膜(finemetalmask，FMM)加以形成，但不以此为限。例如，第一阳极241、第二阳极242与第三阳极243亦可使用化学气相沉积工艺并配合显影及蚀刻工艺加以形成。在本实施例中，OLED显示器件可为上发光型(topemissiontype)电激发光显示面板，因此第一阳极241、第二阳极242与第三阳极243可为反射电极，例如厚金属电极，但不以此为限。如图4所示，随后，于基板20的第一次像素区21、第二次像素区22与第三次像素区23内形成一空穴注入层25。其中，空穴注入层25可以利用例如蒸镀工艺形成，但不以此为限。如图5所示，随后，于基板20的所述空穴注入层25上形成一空穴传输层26，及在所述空穴传输层26对应第一次像素区的位置蒸镀形成第一单原色空穴传输层27；其中，空穴传输层26可以利用例如蒸镀工艺形成，第一单原色空穴传输层27可以利用例如蒸镀工艺搭配精细金属掩膜加以形成，但不以此为限。通过上述方式，于第一次像素区21内，空穴传输层26与堆叠在所述空穴传输层26上的第一单原色空穴传输层27可形成第一空穴传输层261，于第二次像素区22内，空穴传输层26可形成第二空穴传输层262，于第三次像素区23内，空穴传输层26可形成第三空穴传输层263，其中，第一空穴传输层261的厚度大于所述第二空穴传输层262的厚度，也大于所述第三空穴传输层263的厚度。如图6所示，在空穴传输层26上对应第二次像素区22与第三次像素区23的位置及第一单原色空穴传输层27上形成白光层28。其中，白光层28可以利用例如蒸镀工艺形成，但不以此为限。因第一空穴传输层261本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED像素结构，其特征在于，所述OLED像素结构划分有一第一次像素区、一第二次像素区和一第三次像素区；所述OLED像素结构的阳极与阴极之间蒸镀形成有空穴传输层及第一单原色空穴传输层，所述阴极远离所述阳极的一侧形成有第二单原色滤光片及第三单原色滤光片；其中，所述第一单原色空穴传输层形成于所述空穴传输层对应所述第一次像素区的位置，所述第二单原色滤光片形成于对应所述第二次像素区的位置，所述第三单原色滤光片形成于对应所述第三次像素区的位置；所述OLED像素结构还包括白光层，所述白光层形成于所述空穴传输层上对应所述第二次像素区与所述第三次像素区的位置及所述第一单原色空穴传输层上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种OLED像素结构，其特征在于，所述OLED像素结构划分有一第一次像素区、一第二次像素区和一第三次像素区；所述OLED像素结构的阳极与阴极之间蒸镀形成有空穴传输层及第一单原色空穴传输层，所述阴极远离所述阳极的一侧形成有第二单原色滤光片及第三单原色滤光片；其中，所述第一单原色空穴传输层形成于所述空穴传输层对应所述第一次像素区的位置，所述第二单原色滤光片形成于对应所述第二次像素区的位置，所述第三单原色滤光片形成于对应所述第三次像素区的位置；所述OLED像素结构还包括白光层，所述白光层形成于所述空穴传输层上对应所述第二次像素区与所述第三次像素区的位置及所述第一单原色空穴传输层上。


如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，于所述第一次像素区内，所述空穴传输层与堆叠在所述空穴传输层上的第一单原色空穴传输层形成第一空穴传输层，于第二次像素区内，所述空穴传输层形成第二空穴传输层，于第三次像素区内，所述空穴传输层形成第三空穴传输层，其中，第一空穴传输层的厚度大于所述第二空穴传输层的厚度，也大于所述第三空穴传输层的厚度。


如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，还包括电子传输层及电子注入层，所述电子传输层形成于所述白光层远离所述阳极的一侧，所述电子注入层形成于所述电子传输层与所述阴极之间。


如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，还包括空穴注入层，形成于所述空穴传输层与所述阳极之间。


如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，所述阳极为反射电极，所述阴极为半穿透半反射电极。


如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，所述第二次像素区和第三次像素区分别位于所述第一次像素区的两侧。


如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，所述第一次像素区和第三次像素区分别位于第二次像素区的两侧。



如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，所述第一次像素区、所述第二次像素区以及所述第三次像素区显示的颜色相异，且分别对应红色、绿色和蓝色三种单原色中的一种。


一种OLED像素结构的制备方法，包括步骤：
制备阳极，所述阳极上划分有...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘孟宇，秦嬉嬉，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44