【技术实现步骤摘要】
电极结构和其制造方法以及包括该电极结构的二次电池
本公开涉及电极结构、制造该电极结构的方法和包括该电极结构的二次电池。
技术介绍
与不可再充电的一次电池不同，二次电池是可再充电和可放电的，特别是，锂二次电池可以具有比镍镉电池或镍氢电池更高的电压和更高的比能量。尽管如此，仍然需要改善的电池材料。
技术实现思路
提供了电极结构、制造该电极结构的方法和包括该电极结构的二次电池。额外的方面将在下面的描述中部分地阐述且将部分自该描述明显，或者可以通过实践所给出的实施方式而获知。根据一实施方式的一方面，一种电极结构包括：基础层，包括第一活性材料；以及多个活性材料板，提供在基础层的第一表面上并且彼此间隔开，所述多个活性材料板包括第二活性材料，其中基础层的活性材料密度小于所述多个活性材料板中的活性材料板的活性材料密度。该电极结构还可以包括在基础层的第二表面上的电极集流体层，第二表面与基础层的第一表面相反。电极集流体层可以包括在20℃下具有约103西门子每米至约107西门子每米的电导率的金属。
【技术保护点】
1.一种电极结构，包括：/n基础层，包括第一活性材料；以及/n多个活性材料板，提供在所述基础层的第一表面上并且彼此间隔开，所述多个活性材料板包括第二活性材料，/n其中所述第一活性材料的密度小于所述第二活性材料的密度。/n
【技术特征摘要】
20181120 KR 10-2018-01438981.一种电极结构，包括：
基础层，包括第一活性材料；以及
多个活性材料板，提供在所述基础层的第一表面上并且彼此间隔开，所述多个活性材料板包括第二活性材料，
其中所述第一活性材料的密度小于所述第二活性材料的密度。
2.根据权利要求1所述的电极结构，还包括在所述基础层的第二表面上的电极集流体层，所述第二表面与所述基础层的所述第一表面相反。
3.根据权利要求2所述的电极结构，其中所述电极集流体层包括在20℃下具有103西门子每米至107西门子每米的电导率的金属。
4.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述第一活性材料和所述第二活性材料各自独立地包括锂金属氧化物或锂金属磷酸盐。
5.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述第一活性材料和所述第二活性材料在组成上不同。
6.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述第一活性材料具有与所述第二活性材料相同的组成。
7.根据权利要求1所述的电极结构，其中，基于所述基础层的总体积，所述第一活性材料的体积分数在从50体积百分比至90体积百分比的范围内。
8.根据权利要求1所述的电极结构，其中，基于所述多个活性材料板的总体积，所述第二活性材料的体积分数在从80体积百分比至100体积百分比的范围内。
9.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述基础层具有5微米至200微米的高度。
10.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述基础层包括所述第一活性材料和在20℃下具有103至107西门子每米的电导率的导电金属。
11.根据权利要求10所述的电极结构，其中所述导电金属包括铝、铜、镍、钴、铬、钨、钼、银、金、铂、铅或其组合。
12.根据权利要求10所述的电极结构，其中，基于所述第一活性材料和在20℃下具有103至107西门子每米的电导率的所述导电金属的总体积，所述导电金属的体积分数是0.1体积百分比至30体积百分比。
13.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述多个活性材料板中的活性材料板包括从所述基础层起堆叠的多个活性材料层。
14.根据权利要求13所述的电极结构，其中所述多个活性材料层中的活性材料层的活性材料密度在远离所述基础层的方向上增加。
15.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述多个活性材料板限定宽度方向、长度方向和高度方向，以及
所述多个活性材料板在所述宽度方向上彼此间隔开。
16.根据权利要求15所述的电极结构，其中相邻的活性材料板之间的距离大于0微米且等于或小于50微米。
17.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述多个活性材料板限定宽度方向、长度方向和高度方向，以及
所述多个活性材料板在所述长度方向上彼此间隔开。
18.根据权利要求15所述的电极结构，其中所述多个活性材料板中的至少一个具有与另一个活性材料板的长度不同的长度。
19.根据权利要求15所述的电极结构，其中所述多个活性材料板中的活性材料板的宽度等于或大于10微米。
20.根据权利要求15所述的电极结构，其中所述多个活性材料板中的活性材料板的高度大于所述多个活性材料板中的活性材料板的宽度。
21.根据权利要求20所述的电极结构，其中所述多个活性材料板中的活性材料板的高度在从20微米至1,000微米的范围内。
22.根据权利要求15所述的电极结构，还包括在所述多个活性材料板中的活性材料板之间的通道，其中所述通道延伸到所述基础层的所述第一表面或在所述基础层中延伸到预定深度。
23.根据权利要求15所述的电极结构，其中垂直于所述多个活性材料板中的活性材料板的表面的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴辉烈，郑熙树，金敬焕，孙精国，李俊亨，任成镇，许晋硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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