热电变换元件及其发电方法、热电变换系统及其发电方法技术方案

本发明专利技术提供热电变换元件及其发电方法、热电变换系统及其发电方法。热电变换元件包括p型半导体、n型半导体以及位于所述p型半导体与所述n型半导体的pn结界面的耗尽层。所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一方为简并半导体。

Thermoelectric conversion elements and generating methods, thermoelectric conversion system and generating methods

【技术实现步骤摘要】
热电变换元件及其发电方法、热电变换系统及其发电方法
本专利技术涉及热电变换元件、热电变换系统、热电变换元件的发电方法以及热电变换系统的发电方法。
技术介绍
在汽车以及航空器等内燃机中，利用了通过矿物燃料的燃烧而得到的能量。现状是内燃机的能量效率不过是大约30％，多半被作为热能释放出来。为了有效利用该热能，正在研究利用了塞贝克效应(Seebeckeffect)的各种热电材料。利用了这样的塞贝克效应的热电材料是利用基于温度差的电动势的不同来进行发电的材料，但在使用这样的热电材料来组装发电模块的情况下，温度差会因热传导等而变小，发电量有可能会降低。因此，需要用于维持温度差的冷却装置等，模块会复杂化。对此，在国际公开第2015/125823中，提出了即使在各半导体部之间没有温度差也能够发电的半导体单晶。该国际公开第2015/125823的半导体单晶为：具有n型半导体部、p型半导体部和它们之间的本征半导体部，并且，本征半导体部具有比n型半导体部以及p型半导体部小的带隙(bandgap)。另外，在国际公开第2015/125823中，作为具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热电变换元件，其特征在于，包括：/np型半导体；/nn型半导体；以及/n耗尽层，其位于所述p型半导体和所述n型半导体的pn结界面，/n所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一方为简并半导体。/n

【技术特征摘要】
20181119 JP 2018-2164591.一种热电变换元件，其特征在于，包括：
p型半导体；
n型半导体；以及
耗尽层，其位于所述p型半导体和所述n型半导体的pn结界面，
所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一方为简并半导体。


2.根据权利要求1所述的热电变换元件，其中，
所述p型半导体和所述n型半导体双方为简并半导体。


3.根据权利要求1或2所述的热电变换元件，其中，
构成所述p型半导体、所述n型半导体以及所述耗尽层的材料自身的带隙大致相同。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的热电变换元件，其中，
所述p型半导体是用p型掺杂剂进行了掺杂的硅，并且所述n型半导体是用n型掺杂剂进行了掺杂的硅。


5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本和大，宗藤伸治，古君修，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，国立大学法人九州大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP