一种大电流低高度线圈制造技术

本实用新型专利技术涉及电子元件技术领域，具体涉及一种大电流低高度线圈。它包括：输入端、线圈部以及输出端；所述线圈部包括：若干个规格相同且不跨层的绕组以及设置在相邻两个绕组之间的连接块，相邻两个所述绕组之间相互平行且设置有间隔，相邻两个所述绕组通过连接块进行电连接；所述线圈部的高度为H＝n×M+(n‑1)×d，且2≦n<1+M/d，其中，n为绕组的数目，M为绕组的高度，d为相邻两个绕组的间距。本实施例的绕组之间相互平行且不跨层，消除了传统线圈部之间的倾斜段，通过控制绕组的数目，可以将线圈部的高度做到最低，从而减少了材料的使用，降低了生产成本。同时，由于线圈部的体积减小，从而增加了磁芯的窗口利用率。

A high current and low height coil

【技术实现步骤摘要】
一种大电流低高度线圈
本技术涉及电子元件
，具体涉及一种大电流低高度线圈。
技术介绍
电感器是最常用的电子元器件，种类繁多。最常见的电感都是圆形漆包铜线绕制成线圈部，线圈部里面或者外面装配磁芯。随着开关电源的工作频率不断提高，线圈部的电流越来越大，常规的漆包圆线绕制的线圈部已经不能满足更小体积和更高电流密度的要求，因此市场开发出了扁平漆包铜线线圈部，相比于圆形漆包线线圈部，提高了磁芯绕线空间的利用率，在电感外形尺寸不变的情况下，能够较大程度的增加电流。然而，现有的线圈部主要通过扁平漆包铜线通过立绕和平绕两种方式形成多层绕组，且由于线圈部跨层，不论在平绕还是立绕方式中线圈部实际圈数总是比线圈部的圈数多1圈，从而增大了线圈部的体积、并增加了线圈部生产成本。因此，需要一种减小线圈部体积、降低线圈部生产成本的的大电流低高度线圈。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种大电流低高度线圈，具有减小线圈部体积、降低线圈部生产成本的优势。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种大电流低高度线圈，它包括：输入端、线圈部以及输出端，所述输入端和输出端分别与线圈部的两端电连接；所述线圈部包括：若干个规格相同且不跨层的绕组以及设置在相邻两个绕组之间且用于连接相邻两个绕组的连接块，相邻两个所述绕组之间相互平行且设置有间隔，相邻两个所述绕组通过连接块进行电连接；所述线圈部的高度为H＝n×M+(n-1)×d，且2≦n<1+M/d，其中，n为绕组的数目，M为单个绕组的高度，d为相邻两个绕组的间距。优选的，所述绕组预先进行绝缘处理。优选的，所述线圈部还包括：设置在相邻两个绕组之间且用于连接相邻两个绕组的连接块，其中一个绕组通过连接块与另一个绕组电连接。优选的，所述连接块由相邻的两个绕组中一个绕组朝另一个绕组延伸成型。优选的，所述绕组和连接块由一条扁平漆包线绕制成型。优选的，所述绕组和连接块由一块铜片绕制成型。优选的，所述铜片在绕制成型绕组前预先镀锡处理。优选的，所述输入端和输出端设置为贴片安装结构或直插脚安装结构。采用上述技术方案后，本技术的有益效果为：本实施例的绕组之间相互平行且不跨层，消除了传统线圈部之间的倾斜段，通过控制绕组的数目，可以将线圈部的高度做到最低，从而减少了材料的使用，降低了生产成本。同时，由于线圈部的体积减小，从而增加了磁芯的窗口利用率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术的设置有贴片安装结构大电流低高度线圈的结构示意图；图2是本技术的设置有直插脚结构大电流低高度线圈的结构示意图；图3是本技术的设置有贴片安装结构线圈部的结构示意图；图4是本技术的设置有直插脚安装结构线圈部的结构示意图；附图标记：10、输入端；20、线圈部；21、绕组；22、连接块；30、输出端；40、磁芯；a、间隔。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。如图1-4所示，本技术涉及一种大电流低高度线圈，用于设置在磁芯40内部或外部组成电感器，其中，本实施例中用于设置在磁芯40内部。它包括：输入端10、线圈部20以及输出端30，输入端10和输出端30分别与线圈部20的两端电连接。线圈部20包括：若干个规格相同且不跨层的绕组21(不跨层是指每个绕组21仅构成线圈部20的一圈)以及设置在相邻两个绕组21之间的连接块22，相邻两个绕组21之间相互平行且相邻两个绕组21之间设置有间隔a，相邻两个绕组21通过连接块22进行电连接。线圈部20的高度为H＝n×M+(n-1)×d，且2≦n<1+M/d，其中，n为绕组21的数目，M为单个绕组21的高度，d为相邻两个绕组21的间距。基于以上结构，现有技术中线圈部20主要包括两种绕制方式：分别为立绕和平绕。其中立绕是指：绕线方向与导线(可以是扁平漆包线)的宽度面垂直，因此线圈部20立绕时：本实施例的线圈部20的高度为H＝n×M+(n-1)×d，此时M＝D，其中D为本实施例中扁平漆包线的厚度；而现有技术中线圈部20立绕的高度为H＝T×(n+1)，T为现有技术中扁平漆包线的厚度。因此，当D＝T时，2≦n<1+M/d，本实施例的线圈部20的高度低于现有技术中线圈部20的高度。其中平绕是指：绕线方向与导线的宽度面平行，因此线圈部20平绕时：本实施例的线圈部20的高度为H＝n×M+(n-1)×d，此时M＝L，其中L是本实施例中扁平漆包线的宽度；而现有技术中线圈部20的高度为H＝W×(n+1)，W是现有技术中扁平漆包线的宽度。当L＝W时，当2≦n<1+M/d时，本实施例的线圈部20高度低于现有技术中线圈部20的高度。其中，根据实际情况，d＝0.2-0.6mm,具体数据由表格所示：基于此，本实施例的绕组21之间相互平行且不跨层，消除了传统线圈部20之间的倾斜段，同时保证了绕组21之间间隔a可以将线圈部20的高度做到最低，从而减少了材料的使用，降低了生产成本。同时，由于线圈部20的体积减小，从而增加了磁芯的窗口利用率。为进一步对本实施例的线圈部20进行优化，本实施例的绕组21预先经过绝缘处理。基于以上结构，绕组21预先进行了绝缘处理，那么无需设置间隔a以防止线圈部20短路，因此可以将间隔a的大小设置为0,即d＝0。当绕组21由导线平绕成型时，本实施例的线圈部20的高度为H＝n×D+(n-1)×0＝n×D，普通产品的线圈部20高度为H＝T×(n+1)，当D＝T时，可以直接判断本实施例的线圈部20高度小于普通产品的线圈部20高度。当绕组21由导线立绕成型时，本实施例的线圈部20的高度为H＝n×L+(n-1)×0＝n×L，普通产品的线圈部20高度为H＝W×(n+1)，当L＝W时，可以直接判断本实施例的线圈部20高度小于普通产品的线圈部20高度。基于此，通过预先对绕组21进行绝缘处理，本实施例的线圈部20的高度始终现有技术的线圈部20的高度低(此时两种线圈部20的高度在进行大小对比时不需要考虑到n的取值)，由此，在制备本实施例的线圈部20时，无需对线圈部20的绕组21数目进行计算(因为需要考虑在绕组21数目以节省成本)，而是可以直接进行绕制，简化了线圈部20的制备过程。为便于对线圈部20的制备，本实施例的连接块22可以由相邻两个绕组21中一个绕组21朝另一个绕组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大电流低高度线圈，其特征在于，它包括：输入端(10)、线圈部(20)以及输出端(30)，所述输入端(10)和输出端(30)分别与线圈部(20)的两端电连接；/n所述线圈部(20)包括：若干个规格相同且不跨层的绕组(21)以及设置在相邻两个绕组(21)之间的连接块(22)，相邻两个所述绕组(21)之间相互平行且设置有间隔(a)，相邻两个所述绕组(21)通过连接块(22)进行电连接；/n所述线圈部(20)的高度为H＝n×M+(n-1)×d，且2≦n<1+M/d，其中，n为绕组(21)的数目，M为单个绕组(21)的高度，d为相邻两个绕组(21)的间距。/n

【技术特征摘要】
1.一种大电流低高度线圈，其特征在于，它包括：输入端(10)、线圈部(20)以及输出端(30)，所述输入端(10)和输出端(30)分别与线圈部(20)的两端电连接；
所述线圈部(20)包括：若干个规格相同且不跨层的绕组(21)以及设置在相邻两个绕组(21)之间的连接块(22)，相邻两个所述绕组(21)之间相互平行且设置有间隔(a)，相邻两个所述绕组(21)通过连接块(22)进行电连接；
所述线圈部(20)的高度为H＝n×M+(n-1)×d，且2≦n<1+M/d，其中，n为绕组(21)的数目，M为单个绕组(21)的高度，d为相邻两个绕组(21)的间距。


2.根据权利要求1所述的大电流低高度线圈，其特征在于，所述绕组(21)预先进行绝缘处理。
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘泳，
申请(专利权)人：刘泳，
类型：新型
国别省市：广东;44