【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】浸出含铜矿石
本专利技术涉及浸出含铜矿石。本专利技术特别地,尽管不排他地,涉及浸出以下中的任何一种或更多种:(a)含铜矿石(其可以呈矿石碎片的团聚物(agglomerate)的形式)、(b)所述矿石的精矿(concentrates)、和(c)所述矿石或精矿的尾矿(tailing),所述尾矿例如通过矿石或精矿的浮选或者其他下游加工来生产。本专利技术特别地,尽管不排他地,涉及浸出含铜硫化矿石(sulfidicore),所述含铜硫化矿石诸如包含铜矿物的硫化矿石诸如黄铜矿(CuFeS2)和/或硫砷铜矿(Cu3AsS4)。硫化矿石可以包含其他铜矿物。本专利技术特别地,尽管不排他地,涉及使用添加剂以增强所述矿石中铜的溶解来浸出含铜矿石特别是含铜硫化矿石的方法。
技术介绍
在含铜矿石(包括含铜硫化矿石,诸如黄铜矿和/或硫砷铜矿或其他含铜的硫化物矿物(copper-containingsulfidemineral))的浸出中,所述矿石的颗粒尺寸(particlesize)通常例如通过压碎和研磨操作从原矿(run-of ...
【技术保护点】
1.一种浸出含铜矿石或所述矿石的精矿或者所述矿石或精矿的尾矿的方法,所述含铜矿石诸如含铜硫化矿石,所述含铜硫化矿石诸如包含铜矿物的硫化矿石诸如黄铜矿和/或硫砷铜矿,所述方法包括在添加剂的存在下用浸出液来浸出含铜矿石或精矿或者所述矿石或精矿的尾矿,所述添加剂通过在(a)已经源自所述矿石中的铜矿物的硫和(b)所述添加剂之间形成络合物来增强铜从所述矿石和精矿中的铜矿物的溶解。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180509 AU 2018901583;20180718 AU 20189026011.一种浸出含铜矿石或所述矿石的精矿或者所述矿石或精矿的尾矿的方法,所述含铜矿石诸如含铜硫化矿石,所述含铜硫化矿石诸如包含铜矿物的硫化矿石诸如黄铜矿和/或硫砷铜矿,所述方法包括在添加剂的存在下用浸出液来浸出含铜矿石或精矿或者所述矿石或精矿的尾矿,所述添加剂通过在(a)已经源自所述矿石中的铜矿物的硫和(b)所述添加剂之间形成络合物来增强铜从所述矿石和精矿中的铜矿物的溶解。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述络合物包含来自所述铜矿物的硫和所述添加剂,其中所述添加剂破坏钝化层或减少所述层的形成,并且因此允许在所述方法期间更容易从铜矿物中浸出铜。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述添加剂包含含氮络合剂,所述含氮络合剂包括至少两个被两个碳原子隔开的氮原子,以允许所述添加剂在已经源自所述矿石中的铜矿物的硫和所述添加剂之间形成络合物。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述添加剂是包含以下分子支架的化合物或包含通过聚合物重复的所述分子支架的聚合物:
其中,两个氮原子各自独立地被取代或未被取代,每个氮原子选自由伯胺基团、仲胺基团、叔胺基团组成的组;
两个碳原子可以各自被取代或未被取代;
所述支架中所述氮原子和碳原子之间的键可以是单键或多重键;且
所述支架中所述两个碳原子之间的键可以是单键或多重键。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述添加剂是式(II)的化合物或者由两种或更多种式(II)的单体形成的聚合物:
其中,在式(II)和式(III)中,
R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自孤对电子、H、烷基基团(诸如C1至C5烷基基团)、烯基基团(诸如C2至C5烯基基团)、炔基基团(诸如C2至C5炔基基团)和烷基氨基基团(诸如C1至C5烷基氨基基团),或者在两个氮中的每一个上的取代基一起形成连接所述两个氮以形成环的烷基基团或炔基基团(例如,取代基一起形成连接所述氮以形成环的一个或两个碳连接基);
R7、R8、R9和R10各自独立地选自H、烷基(诸如C1至C5烷基)、烯基(诸如C2至C5烯基)、炔基(诸如C2至C5炔基)、OH、烷氧基基团(诸如C1至C5烷氧基基团)、烯氧基基团(诸如C2至C5烯氧基基团)、炔氧基基团(诸如C2至C5炔氧基基团)、C(=O)R(其中R是烷基、烯基或炔基)、C(O)OH、C(O)OR(其中R是烷基、烯基或炔基)、OC(=O)R(其中R是烷基、烯基或炔基)、氨基、烷基氨基(诸如C1至C5烷基)、烯基氨基(诸如C2至C5烯基氨基)、炔基氨基(诸如C2至C5炔基氨基)、C(O)NH2、C(O)NHR(其中R是烷基、烯基或炔基)、C(O)NR2(其中R是烷基、烯基或炔基),或者R7和R8一起和/或R9和R10一起可以选自=O、=NH或=NR(其中R是烷基、烯基或炔基);
并且在式(III)中,
R1或R2各自独立地选自上文关于R1和R2所定义的基团,或者被连接至另一种式(III)的单体。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述添加剂的浓度为在所述浸出液中高达10g/L、高达5g/L、高达2.5g/L、高达1.5g/L、高达1.25g/L或高达1g/L。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中浸出包括将温度控制为低于100℃、低于65℃、低于60℃、低于55℃或低于50℃。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中浸出包括将浸出温度控制为至少5℃、至少20℃、至少30℃或至少50℃。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中浸出包括在活性浸出阶段期间将所述浸出液的氧化电位控制为小于900mV、小于800mV、在500mV至800mV的范围内或在600mV至750mV的范围内,其中所述氧化电位相对于标准氢电极来确定。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中浸出包括将所述浸出液...
【专利技术属性】
技术研发人员:拉尔夫·彼得·哈克尔,保罗·莱斯利·布朗,丹尼尔·亚瑟·凯特蒂,波林·默里·纳贾尔,安娜·桑内尔维德,詹森·莫里斯·杨,
申请(专利权)人:技术资源有限公司,
类型:发明
国别省市:澳大利亚;AU
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