【技术实现步骤摘要】
无线耳机
本专利技术是有关于一种无线耳机,且特别是有关于一种可改善天线操作带宽以及辐射效率的无线耳机。
技术介绍
现有的无线耳机以轻巧方便为主要研发方向,然而无线耳机内部的有限空间,会使天线的走线受到限制,然而天线的操作带宽与辐射效率,与天线尺寸、天线接地面相关。过小的天线尺寸与天线接地面将会导致辐射性能的恶化。现今透过软性电路板的弯折成形已可达到符合标准的天线接地面大小,然而软性电路板中电感性的电子走线不利于天线辐射,故造成信号传递时的衰减。射频信号的衰减将造成无线耳机与电子装置的连接状况不稳定,而影响无线耳机的使用质量。
技术实现思路
本专利技术提供一种无线耳机,透过软性电路板与硬性电路板的结合可产生耦合电容,用以改善无线耳机的天线操作带宽与天线的辐射效率。本专利技术的无线耳机,包括一上盖、一下盖、两硬性电路板、一软性电路板以及一天线。下盖连接于上盖,且上盖与下盖共同构成一内部空间。两硬性电路板相互间隔地配置于内部空间中。软性电路板具有一第一连接部与一第二连接部。第一连接部的两端分别耦接两硬性电路板。第二连接部贴合两硬性电路板的至少其中一个。天线耦接相对应的硬性电路板,用以辐射一射频信号。其中,第二连接部与硬性电路板的平行交叠区域形成一耦合电容。基于上述,本专利技术的无线耳机将一软性电路板配置在上下两个硬性电路板之间。使软性电路板延伸并接触至少一硬性电路板并与之绝缘。软性电路板与硬性电路相互接触的平行交叠区域将形成一耦合电容,用以补偿软性电路板之电性回路的电感效应,具有改善天线 ...
【技术保护点】
1.一种无线耳机,包括:/n一上盖;/n一下盖,连接于所述上盖,且所述上盖与所述下盖共同构成一内部空间;/n两硬性电路板,相互间隔地配置于所述内部空间中;/n一软性电路板,具有一第一连接部与一第二连接部,所述第一连接部的两端分别耦接所述两硬性电路板,所述第二连接部贴合所述两硬性电路板的至少其中一个;以及/n一天线,耦接相对应的所述硬性电路板,用以辐射一射频信号,/n其中,所述第二连接部与所述硬性电路板的平行交叠区域形成一耦合电容。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20191112 TW 1081409641.一种无线耳机,包括:
一上盖;
一下盖,连接于所述上盖,且所述上盖与所述下盖共同构成一内部空间;
两硬性电路板,相互间隔地配置于所述内部空间中;
一软性电路板,具有一第一连接部与一第二连接部,所述第一连接部的两端分别耦接所述两硬性电路板,所述第二连接部贴合所述两硬性电路板的至少其中一个;以及
一天线,耦接相对应的所述硬性电路板,用以辐射一射频信号,
其中,所述第二连接部与所述硬性电路板的平行交叠区域形成一耦合电容。
2.根据权利要求1所述的无线耳机,其特征在于,所述第二连接部包括一中央支段及一下支段,所述中央支段部分连接所述第一连接部且朝向所述下盖延伸,所述下支段自所述中央支段垂直延伸且平行于相对应的所述硬性电路板,且所述下支段部分交叠于所述硬性电路板的一上表面或一下表面。
3.根据权利要求2所述的无线耳机,其特征在于,所述下支段具有一绝缘膜层与一第一金属层,所述绝缘膜层配置在所述第一金属层外,所述硬性电路板具有一第二金属层,所述绝缘膜层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间以形成所述耦合电容。
4.根据权利要求2所述的无线耳机,其特征在于,还包括一绝缘膜层,配置在所述硬性电路板的一第二金属层上以覆盖所述第二金属层,所述下支段具有一第一金属层,所述绝缘膜层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间以形成所述耦合电容。
5.根据权利要求2所述的无线耳机,其特征在于,还包括两绝缘膜层,分别配置在所述下支段的一第一金属层及所述硬性电路板的一第二金属层上以覆盖所述第一金属层及所述第二金属层,所述两绝缘膜层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间以形成所述耦合电容。
6.根据权利要求1所述的无线耳机,其特征在于,所述第二连接部包括一中央支段及一上支段,所述中央支段部分连接所述第一连接部且朝向所述上盖延伸,所述上支段自所述中央支段垂直延伸且平行于相应的所述硬性电路板,且所述上支段部分交叠于所述硬性电路板的一上表面或一下表面。
7.根据权利要求6所述的无线耳机,其特征在于,所述上支段具有一绝缘膜层与一第一金属层,所述绝缘膜层配置在所述第一金属层外,所述硬性电路板具有一第二金属层,所述绝缘膜层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间以形成所述耦合电容。
8.根据权利要求6所述的无线耳机,其特征在于,还包括一绝缘膜层,配置在所述硬性电路板的一第二金属层上以覆盖所述第二金属层,所述上支段具有一第一金属层,所述绝缘膜层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间以形成所述耦合电容。
9.根据权利要求6所述的无线耳机,其特征在于,还包括两绝缘膜层,分别配置在所述上支段的一第一金属层及所述硬性电路板的一第二金属层上以覆盖所述第一金属层及所述第二金属层,所述两绝缘膜层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间以形成所述耦合电容。
技术研发人员:曾昱楷,
申请(专利权)人:美律电子深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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