【技术实现步骤摘要】
一种铁电畴定义的MoTe2面内PN结及制备方法
本专利技术涉及一种二维半导体光伏器件，具体指一种铁电畴定义的MoTe2面内PN结及制备方法。
技术介绍
过去十几年中，二维材料由于其独特性能在各个领域受到广泛关注和研究。以石墨烯、黑磷以及二硫化钼为代表的二维材料在生物、医学、化学以及物理等不同领域都有重大突破。由于二维材料种类丰富，能带结构多样，且表面不存在悬挂键，因此可不受限于晶格匹配的限制而形成各种不同的异质结。PN结作为一种重要的异质结是现代电子和光电器件的基础元件，并广泛应用于二极管，双极型晶体管，发光二极管，太阳能电池，光电探测器等等。传统PN结结区通常通过化学掺杂的方式形成，而很多二维材料本身具有双极性，例如WSe2,MoTe2,黑磷等，因此可以通过静电掺杂在同一块二维材料内形成PN结，即通过栅电极施加不同电压使一块二维材料内的载流子是电子或者空穴，从而形成面内PN结。两个距离很近的栅电极分别施加不同电压，加负电压一侧使WSe2的费米能级向价带顶移动，从而实现空穴注入，另一侧加正电压使费米能级向导带底移动，...
【技术保护点】
1.一种铁电畴定义的MoTe
【技术特征摘要】
1.一种铁电畴定义的MoTe2面内PN结，包括绝缘衬底(1)，金属底电极(2)、铁电功能层(3)、过渡金属硫族化合物双极性半导体MoTe2(4)、源漏电极(5)，其特征在于：
所述的PN结结构自下而上依次为：绝缘衬底(1)，金属底电极(2)、铁电功能层(3)、过渡金属硫族化合物双极性半导体MoTe2(4)源漏电极(5)，
其中：
所述的绝缘衬底(1)为表面覆盖有二氧化硅的硅衬底；
所述的金属底电极(2)为立方体电极，由下至上依次是铬和金，铬厚度为10纳米，金厚度为20纳米；
所述的铁电功能层(3)聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜，厚度为50纳米；
所述的过渡金属硫族化合物双极性半导体MoTe2(4)为双极性过渡金属化合物MoTe2，厚度为6-12纳米；<...
【专利技术属性】
技术研发人员：王建禄，伍帅琴，吴广健，王旭东，沈宏，林铁，孟祥建，褚君浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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