【技术实现步骤摘要】
一种防离子轰击的离子源装置
本专利技术涉及离子源
，具体而言，涉及一种防离子轰击的离子源装置。
技术介绍
离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备中不可缺少的部件。传统的离子源是磁体通过极靴形成磁场面扑捉电子对惰性气体进行轰击，从而产生等离子体，在阳极的加速下离子轰击产品的过程中，极靴会被离子束刻蚀，如此，不能有效的保护极靴，同时还会对环境造成污染。
技术实现思路
本专利技术提供了一种防离子轰击的离子源装置，将第一极靴设置在壳体的第一凹槽内，进一步地，第一极靴的两端设置有磁铁，导磁件设置于第一极靴与磁铁所形成的第二凹槽内，阳极设置于导磁件的内腔，第二极靴设置于导磁件与磁铁形成的承载平台上，石墨阴极包裹于第二极靴。如此，离子在阳极的加速下轰击产品时，石墨阴极能够阻挡从阳极件发射的离子对第二极靴进行轰击，从而有效的保护第二极靴，同时避免对环境造成污染。
【技术保护点】
1.一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，包括：壳体（1）、磁铁（3）、导磁件（4）、阳极件（5）、石墨阴极（6）、第一极靴（21）和第二极靴（22）；/n所述壳体（1）开设有第一凹槽；/n所述第一极靴（21）设置于所述第一凹槽内，所述磁铁（3）设置于所述第一极靴（21）的两端并贴合于所述第一凹槽的内壁；/n所述导磁件（4）设置于所述第一极靴（21）与所述磁铁（3）所形成的第二凹槽内；/n所述阳极件（5）设置于所述导磁件（4）的内腔；/n所述第二极靴（22）设置于所述导磁件（4）与所述磁铁（3）形成的承载平台上；/n所述石墨阴极（6）包裹于所述第二极靴（22）；/n所述石...
【技术特征摘要】
1.一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，包括：壳体（1）、磁铁（3）、导磁件（4）、阳极件（5）、石墨阴极（6）、第一极靴（21）和第二极靴（22）；
所述壳体（1）开设有第一凹槽；
所述第一极靴（21）设置于所述第一凹槽内，所述磁铁（3）设置于所述第一极靴（21）的两端并贴合于所述第一凹槽的内壁；
所述导磁件（4）设置于所述第一极靴（21）与所述磁铁（3）所形成的第二凹槽内；
所述阳极件（5）设置于所述导磁件（4）的内腔；
所述第二极靴（22）设置于所述导磁件（4）与所述磁铁（3）形成的承载平台上；
所述石墨阴极（6）包裹于所述第二极靴（22）；
所述石墨阴极（6）用于阻挡从所述阳极件（5）发射的离子对所述第二极靴（22）进行轰击。
2.根据权利要求1所述的一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，所述第二极靴（22）为两个，两个第二极靴（22）的位置相对；包裹于每个第二极靴（22）的石墨阴极（6）之间存在间隙。
3.根据权利要求2所述的一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，所述间隙与所述阳极件（5）相对。
4.根据权利要求3所述的一种防...
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，卢成，
申请(专利权)人：成都国泰真空设备有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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