一种防离子轰击的离子源装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及离子源技术领域，具体而言，涉及一种防离子轰击的离子源装置，包括：壳体、磁铁、导磁件、阳极件、石墨阴极、第一极靴和第二极靴。壳体开设有第一凹槽；第一极靴设置于第一凹槽内，磁铁设置于第一极靴的两端并贴合于第一凹槽的内壁，导磁件设置于第一极靴与磁铁所形成的第二凹槽内，阳极件设置于导磁件的内腔，第二极靴设置于导磁件与磁铁形成的承载平台上，石墨阴极包裹于第二极靴，石墨阴极用于阻挡从阳极件发射的电子对第二极靴进行轰击。如此，离子在阳极的加速下轰击产品时，石墨阴极能够阻挡从阳极件发射的离子对第二极靴进行轰击，从而有效的保护第二极靴，同时避免对环境造成污染。

An ion source device against ion bombardment

【技术实现步骤摘要】
一种防离子轰击的离子源装置
本专利技术涉及离子源
，具体而言，涉及一种防离子轰击的离子源装置。
技术介绍
离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备中不可缺少的部件。传统的离子源是磁体通过极靴形成磁场面扑捉电子对惰性气体进行轰击，从而产生等离子体，在阳极的加速下离子轰击产品的过程中，极靴会被离子束刻蚀，如此，不能有效的保护极靴，同时还会对环境造成污染。
技术实现思路
本专利技术提供了一种防离子轰击的离子源装置，将第一极靴设置在壳体的第一凹槽内，进一步地，第一极靴的两端设置有磁铁，导磁件设置于第一极靴与磁铁所形成的第二凹槽内，阳极设置于导磁件的内腔，第二极靴设置于导磁件与磁铁形成的承载平台上，石墨阴极包裹于第二极靴。如此，离子在阳极的加速下轰击产品时，石墨阴极能够阻挡从阳极件发射的离子对第二极靴进行轰击，从而有效的保护第二极靴，同时避免对环境造成污染。本专利技术提供了一种防离子轰击的离子源装置，包括：壳体、磁铁、导磁件、阳极件、石墨阴极、第一极靴和第二极靴；所述壳体开设有第一凹槽；所述第一极靴设置于所述第一凹槽内，所述磁铁设置于所述第一极靴的两端并贴合于所述第一凹槽的内壁；所述导磁件设置于所述第一极靴与所述磁铁所形成的第二凹槽内；所述阳极件设置于所述导磁件的内腔；所述第二极靴设置于所述导磁件与所述磁铁形成的承载平台上；所述石墨阴极包裹于所述第二极靴；所述石墨阴极用于阻挡从所述阳极件发射的离子对所述第二极靴进行轰击。在一种可替代的实施方式中，所述第二极靴为两个，两个第二极靴的位置相对；包裹于每个第二极靴的石墨阴极之间存在间隙。在一种可替代的实施方式中，所述间隙与所述阳极件相对。在一种可替代的实施方式中，所述石墨阴极、所述导磁件和所述阳极件之间形成反应腔。在一种可替代的实施方式中，所述磁铁为两个，所述导磁件将两个所述磁铁的N极和S极连通形成磁通。在一种可替代的实施方式中，其中一个磁铁的N极与所述第一极靴连接、S极与所述第二极靴连接，另一个磁铁的S极与所述第一极靴连接、N极与所述第二极靴连接。在一种可替代的实施方式中，所述石墨阴极与所述第二极靴通过连接件固定。在一种可替代的实施方式中，所述连接件为螺钉。在一种可替代的实施方式中，所述壳体的底部开设有用于容纳冷却液的冷却腔。在一种可替代的实施方式中，所述阳极件卡设于所述导磁件的内腔。本专利技术与现有技术相比，具有的有益效果为：本专利技术提供了一种防离子轰击的离子源装置，将第一极靴设置在壳体的第一凹槽内，进一步地，第一极靴的两端设置有磁铁，导磁件设置于第一极靴与磁铁所形成的第二凹槽内，阳极设置于导磁件的内腔，第二极靴设置于导磁件与磁铁形成的承载平台上，石墨阴极包裹于第二极靴，如此，离子在阳极的加速下轰击产品时，石墨阴极能够阻挡从阳极件发射的离子对第二极靴进行轰击，从而有效的保护第二极靴，同时避免对环境造成污染。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例所提供的一种防离子轰击的离子源装置的结构示意图。图中：1-壳体；21-第一极靴；22-第二极靴；3-磁铁；4-导磁件；5-阳极件；6-石墨阴极；7-反应腔；8-冷却腔。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。实施例：请结合参阅图1，为本专利技术实施例所提供的一种防离子轰击的离子源装置，包括：壳体1、磁铁3、导磁件4、阳极件5、石墨阴极6、第一极靴21和第二极靴22。进一步地，壳体1开设有第一凹槽，第一极靴21设置于1第一凹槽内，磁铁3设置于第一极靴21的两端并贴合于第一凹槽的内壁，导磁件4设置于第一极靴21与磁铁3所形成的第二凹槽内，阳极件5设置于导磁件4的内腔，可以理解，阳极件5可以卡设于导磁件4的内腔。更进一步地，第二极靴22设置于导磁件4与磁铁3形成的承载平台上，石墨阴极6包裹于第二极靴22，石墨阴极6用于阻挡从阳极件5发射的离子对第二极靴22进行轰击。可以理解，石墨阴极6包裹于第二极靴22，可以避免第二极靴22被离子束刻蚀，也可以避免因金属刻蚀后飞溅到产品上从而影响产品的质量，同时还可以避免导电金属材料飞溅到导电接头处从而引起短路。可以理解，通过设置上述结构，当在阳极件5的加速下离子轰击产品时，石墨阴极6能够阻挡从阳极件5发射的离子对第二极靴22进行轰击，从而有效的保护第二极靴22，同时避免对环境造成污染。请结合参阅图1，第二极靴22为两个，两个第二极靴22的位置相对，包裹于每个第二极靴22的石墨阴极6之间存在间隙，其中，间隙与阳极件5相对，间隙用于释放在阳极件5的加速下用于轰击产品的离子束。进一步地，石墨阴极6、导磁件4和阳极件5之间形成反应腔7，其中反应腔7用于磁体通过极靴形成磁场面扑捉电子从而对惰性气体的进行轰击。在一种可替换的实施方式中，磁铁3为两个，导磁件4将两个磁铁3的N极和S极连通形成磁通，其中一个磁铁3的N极与第一极靴21连接、S极与第二极靴22连接，另一个磁铁3的S极与第一极靴21连接、N极与第二极靴22连接，而磁场主在存在于间隙处，如此，可以防止磁场外泄。在本实施例中，石墨阴极6与第二极靴22可以通过连接件固定，其中，连接件为螺钉，属于可拆卸式连接，从而方便拆卸和维护。可以理解，石墨可以为一种不导磁、耐高温、耐离子刻蚀和导电的材料。在一种可替换的实施方式中，壳体1的底部还可以开设有用于容纳冷却液的冷却腔8。当在阳极件5的加速下离子轰击产品时，会导致反应腔7的温度升高，从而会引起第二极靴变形。通过在冷却腔8中注入冷水，进而降低反应腔7内的温度，同时还可以有效的保护第二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，包括：壳体（1）、磁铁（3）、导磁件（4）、阳极件（5）、石墨阴极（6）、第一极靴（21）和第二极靴（22）；/n所述壳体（1）开设有第一凹槽；/n所述第一极靴（21）设置于所述第一凹槽内，所述磁铁（3）设置于所述第一极靴（21）的两端并贴合于所述第一凹槽的内壁；/n所述导磁件（4）设置于所述第一极靴（21）与所述磁铁（3）所形成的第二凹槽内；/n所述阳极件（5）设置于所述导磁件（4）的内腔；/n所述第二极靴（22）设置于所述导磁件（4）与所述磁铁（3）形成的承载平台上；/n所述石墨阴极（6）包裹于所述第二极靴（22）；/n所述石墨阴极（6）用于阻挡从所述阳极件（5）发射的离子对所述第二极靴（22）进行轰击。/n

【技术特征摘要】
1.一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，包括：壳体（1）、磁铁（3）、导磁件（4）、阳极件（5）、石墨阴极（6）、第一极靴（21）和第二极靴（22）；
所述壳体（1）开设有第一凹槽；
所述第一极靴（21）设置于所述第一凹槽内，所述磁铁（3）设置于所述第一极靴（21）的两端并贴合于所述第一凹槽的内壁；
所述导磁件（4）设置于所述第一极靴（21）与所述磁铁（3）所形成的第二凹槽内；
所述阳极件（5）设置于所述导磁件（4）的内腔；
所述第二极靴（22）设置于所述导磁件（4）与所述磁铁（3）形成的承载平台上；
所述石墨阴极（6）包裹于所述第二极靴（22）；
所述石墨阴极（6）用于阻挡从所述阳极件（5）发射的离子对所述第二极靴（22）进行轰击。


2.根据权利要求1所述的一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，所述第二极靴（22）为两个，两个第二极靴（22）的位置相对；包裹于每个第二极靴（22）的石墨阴极（6）之间存在间隙。


3.根据权利要求2所述的一种防离子轰击的离子源装置，其特征在于，所述间隙与所述阳极件（5）相对。


4.根据权利要求3所述的一种防...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，卢成，
申请(专利权)人：成都国泰真空设备有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51