一种提高效率的电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高效率的电路结构，包括控制IC、MOS管Q1、MOS管Q2、分立谐振电感Ls、变压器漏感L、变压器T、二极管D1、二极管D2、输入电容Cin、输出电容Cout、串联谐振电容Cs、并联谐振电容Cp’1和Cp’2，所述控制IC分别与所述MOS管Q1的G极连接和所述MOS管Q2的G极连接，所述MOS管Q1的D极与所述输入电容Cin的正极连接，所述输入电容Cin的负极接地，所述MOS管Q1的S极分别与所述分立谐振电感Ls的一端和所述MOS管Q2的D极连接，所述MOS管Q2的S极接地，所述分立谐振电感Ls的另一端与所述变压器漏感L的一端连接。有益效果：有效地降低了变压器的铜损耗，提高了效率。

An efficient circuit structure

【技术实现步骤摘要】
一种提高效率的电路结构
本技术涉及LED电源
，具体来说，涉及一种提高效率的电路结构。
技术介绍
在LED电源设计中，为了满足宽范围的电压电流输出，并要求满足不闪灯的要求，以前流行的LLC谐振拓扑存在工作电压电流范围窄，易进入跳频模式导致闪灯的缺点，因此对宽范围要求比较高的LED电源都在逐渐采用LCC谐振拓扑，它由3个谐振器件组成，串联谐振电感，并联谐振电容，串联谐振电容，由于串联谐振电感Ls一般要求感量比较大，很难与变压器集成，因此一般Ls为独立的电感，其电路结构如图3所示，工作时序如图4所示，包括第1段：三元件谐振，上管导通，下管关断，Ls储能，Cs和Cp被充电，电压上升，副边二极管无电流，无能量传递；第2段：二元件谐振，上管导通，下管关断，Ls储能，Cs继续充电，Cp被钳位，副边二极管流过电流，开始能量传递；死区：二元件谐振，上管关断，下管关断，电流走下管二极管续流，实现下管零电压开通，Ls释能，Cs继续充电，Cp被钳位，副边二极管流过电流，能量继续传递；第3段，二元件谐振，上管关断，下管关断，Ls释能完成，Cs被充到最高电压，Cp本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高效率的电路结构，其特征在于，包括控制IC、MOS管Q1、MOS管Q2、分立谐振电感Ls、变压器漏感L、变压器T、二极管D1、二极管D2、输入电容Cin、输出电容Cout、串联谐振电容Cs、并联谐振电容Cp’1和Cp’2；/n其中，所述控制IC分别与所述MOS管Q1的G极连接和所述MOS管Q2的G极连接，所述MOS管Q1的D极与所述输入电容Cin的正极连接，所述输入电容Cin的负极接地，所述MOS管Q1的S极分别与所述分立谐振电感Ls的一端和所述MOS管Q2的D极连接，所述MOS管Q2的S极接地，所述分立谐振电感Ls的另一端与所述变压器漏感L的一端连接，所述变压器漏感L的另一端与所述...

【技术特征摘要】
1.一种提高效率的电路结构，其特征在于，包括控制IC、MOS管Q1、MOS管Q2、分立谐振电感Ls、变压器漏感L、变压器T、二极管D1、二极管D2、输入电容Cin、输出电容Cout、串联谐振电容Cs、并联谐振电容Cp’1和Cp’2；
其中，所述控制IC分别与所述MOS管Q1的G极连接和所述MOS管Q2的G极连接，所述MOS管Q1的D极与所述输入电容Cin的正极连接，所述输入电容Cin的负极接地，所述MOS管Q1的S极分别与所述分立谐振电感Ls的一端和所述MOS管Q2的D极连接，所述MOS管Q2的S极接地，所述分立谐振电感Ls的另一端与所述变压器漏感L的一端连接，所述变压器漏感L的另一端与所述变压器T的第一输入端连接，所述变压器T的第二输入端与所述串联谐振电容Cs的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志科，
申请(专利权)人：深圳瓦特智汇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44