一种改进的低功耗差共模复合滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改进的低功耗差共模复合滤波器，其特征在于：由压敏电阻ZNR、电容C1‑C3、电阻R1‑R4、放电芯片IC1‑IC2和差共模复合电感L1连接而成；压敏电阻ZNR跨接在电源输入端L

An improved low power difference common mode composite filter

【技术实现步骤摘要】
一种改进的低功耗差共模复合滤波器
本技术涉及一种改进的低功耗差共模复合滤波器，适用于微波炉的电源电路。属于家电设备

技术介绍
目前，微波炉使用变频电源当升压电源，由于微波炉在启动时会产生大量的电磁干扰，容易影响其他电器使用，因此需要在微波炉电源中设置滤波器以求消除电磁干扰。现有技术的滤波器消除干扰主要是用差电感扰与共模电感分别与电容配合消除干扰，存在体积大、成本高等问题，而且，由于现有市场的滤波器都在电容后接入放电电阻，这就导致了滤波器输入端通电后，放电电阻一直在放电，存在恒定的功率损耗，造成待机或空载状态下功率损耗。如图2所示现有技术的滤波器电路存在如下问题：(1)该电路差模与共模电感分别与电容配合以达到消除干扰的目的，但成本高、体积大。(2)在待机或空载状态下，电阻R1与R2一直在放电，造成无用功耗。(3)接入的X2电容(安规电容C1、C4)取值越高，则无用功耗越高，存在安全隐患。
技术实现思路
本技术的目的,是为了解决现有技术的滤波器电路存在体积大、成本较高和无用功耗大的问题，提供一种改进的低功耗差共模复合滤波器，具有结构简单、体积小、制造成本低、无用功耗小等实质性特点和进步。本技术的目的可以通过采取如下技术方案达到：一种改进的低功耗差共模复合滤波器，其结构特点在于：由压敏电阻ZNR、电容C1-C3、电阻R1-R4、放电芯片IC1-IC2和差共模复合电感L1连接而成；压敏电阻ZNR跨接在电源输入端Lin和电源输入端Nin之间、以抑制雷击浪涌电压；电容C1并联在压敏电阻ZNR的两端，形成输入干扰抑制结构；差共模复合电感L1输入端的接头之一通过电阻R1、接头之二通过电阻R2各连接放电芯片IC1的一个I/O端；该差共模复合电感L1的输出端的接头之一通过电阻R4、接头之二通过电阻R3各连接放电芯片IC2的一个I/O端；电容C2与C3串联后跨接在差共模复合电感L1的输出端的二个接头之间，构成共模干扰抑制结构；电容C2与C3的连接点接电源的保护接地；放电芯片IC2的I/O端之一通过电阻R3连接电源输出端Lout、I/O端之一通过电阻R4连接电源输出端Nout；形成低功耗差共模复合滤波器结构。本技术的目的还可以通过采取如下技术方案达到：进一步地，所述差共模复合电感L1由共模电感和差模电感组合成一体结构而成。进一步地，电容C1与压敏电阻ZNR并联连接，构成输入干扰抑制结构。进一步地，电容C2与C3串联后与电容C4并联并跨接在差共模复合电感L1的输出端的二个接头之间，构成差共模干扰抑制结构。进一步地，差共模复合电感L1与输入干扰抑制电容C1共同构成差模抑制电路进一步地，电容C2与C3串联组并联电容C4，该电容C4构成平滑电容，以把经过差共模电感后的脉动电压变得平滑、减少脉动成份，使输出平稳。进一步地，在电容C1与电源输入端Lin的连接处设有保险管FUSE，所述保险管FUSE一端与电源输入端Lin相连、另一端与电容C1相连，电容C1另一端与电源输入端Nin相连。进一步地，所涉及的部分元件参数，抑制电容C1为0.1μF-6mF，差共模抑制电容C2、C3为0.001μF-0.1μF，平滑电容C4为0.1μF-6mF，差共模复合电感L1为0.5mH-30mH。进一步地，放电芯片IC1、IC2的型号为CAP200DG、MAX8731或者充/放电芯片BQ24735。本技术具如下实质性特点和进步：1、本技术由压敏电阻ZNR、电容C1-C3、电阻R1-R4、放电芯片IC1-IC2和差共模复合电感L1连接而成；压敏电阻ZNR跨接在电源输入端Lin和电源输入端Nin之间、以抑制雷击浪涌电压；电容C1并联在压敏电阻ZNR的两端，形成输入干扰抑制结构；差共模复合电感L1输入端的接头之一通过电阻R1、接头之二通过电阻R2各连接放电芯片IC1的一个I/O端；该差共模复合电感L1的输出端的接头之一通过电阻R4、接头之二通过电阻R3各连接放电芯片IC2的一个I/O端；电容C2与C3串联后跨接在差共模复合电感L1的输出端的二个接头之间，构成共模干扰抑制结构；因此能够解决现有技术的滤波器电路存在体积大、成本较高和无用功耗大的问题，具有结构简单、体积小、制造成本低、无用功耗小等实质性特点和进步。2、本技术通过差共模复合电感结构替代现有技术的差模电感与共模电感，能够有效减低成本，减小滤波器的体积。2、本技术的X电容结构可自动放电，消除待机或空载时的功率损耗，因此，具有降低电能损耗、节约能源的效果。附图说明图1是本技术一个具体实施例的电路结构示意图。图2是现有技术的电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述。具体实施例1：参见图1，本具体实施例1由压敏电阻ZNR、电容C1-C3、电阻R1-R4、放电芯片IC1-IC2和差共模复合电感L1连接而成；压敏电阻ZNR跨接在电源输入端Lin和电源输入端Nin之间、以抑制雷击浪涌电压；电容C1并联在压敏电阻ZNR的两端，形成输入干扰抑制结构；差共模复合电感L1输入端的接头之一通过电阻R1、接头之二通过电阻R2各连接放电芯片IC1的一个I/O端；该差共模复合电感L1的输出端的接头之一通过电阻R4、接头之二通过电阻R3各连接放电芯片IC2的一个I/O端；电容C2与C3串联后跨接在差共模复合电感L1的输出端的二个接头之间，构成共模干扰抑制结构；电容C2与C3的连接点接电源的保护接地；放电芯片IC2的I/O端之一通过电阻R3连接电源输出端Lout、I/O端之一通过电阻R4连接电源输出端Nout；形成低功耗差共模复合滤波器结构。本实施例中：所述差共模复合电感L1由共模电感和差模电感组合成一体结构而成。电容C1与压敏电阻ZNR并联连接，构成输入干扰抑制电路。电容C2与C3串联后与电容C4并联并跨接在差共模复合电感L1的输出端的二个接头之间，构成差共模干扰抑制结构。差共模复合电感L1与输入干扰抑制电容C1共同构成差模抑制电路电容C2与C3串联组并联电容C4，该电容C4构成平滑电容，以把经过差共模电感后的脉动电压变得平滑、减少脉动成份，使输出平稳。在电容C1与电源输入端Lin的连接处设有保险管FUSE，所述保险管FUSE一端与电源输入端Lin相连、另一端与电容C1相连，电容C1另一端与电源输入端Nin相连。所述各元件的参数，抑制电容C1为0.1μF-6mF，差共模抑制电容C2、C3为0.001μF-0.1μF，平滑电容C4为0.1μF-6mF，差共模复合电感L1为0.5mH-30mH。抑制电容C1、平滑电容C4采用常规技术的安规X2电容；差共模抑制电容C2、C3采用常规技术的Y型电容。差共模复合电感L1可以采用常规技术的一体式差共模复合电感。放电芯片IC1、IC2的型号为CAP200DG。下面详细描述本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改进的低功耗差共模复合滤波器，其特征在于：由压敏电阻ZNR、电容C1-C3、电阻R1-R4、放电芯片IC1-IC2和差共模复合电感L1连接而成；压敏电阻ZNR跨接在电源输入端L

【技术特征摘要】
1.一种改进的低功耗差共模复合滤波器，其特征在于：由压敏电阻ZNR、电容C1-C3、电阻R1-R4、放电芯片IC1-IC2和差共模复合电感L1连接而成；压敏电阻ZNR跨接在电源输入端Lin和电源输入端Nin之间、以抑制雷击浪涌电压；电容C1并联在压敏电阻ZNR的两端，形成输入干扰抑制结构；差共模复合电感L1输入端的接头之一通过电阻R1、接头之二通过电阻R2各连接放电芯片IC1的一个I/O端；该差共模复合电感L1的输出端的接头之一通过电阻R4、接头之二通过电阻R3各连接放电芯片IC2的一个I/O端；电容C2与C3串联后跨接在差共模复合电感L1的输出端的二个接头之间，构成共模干扰抑制结构；电容C2与C3的连接点接电源的保护接地；放电芯片IC2的I/O端之一通过电阻R3连接电源输出端Lout、I/O端之一通过电阻R4连接电源输出端Nout；形成低功耗差共模复合滤波器结构。


2.根据权利要求1所述的一种改进的低功耗差共模复合滤波器，其特征在于：所述差共模复合电感L1由共模电感和差模电感组合成一体结构而成。


3.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗差共模复合滤波器，其特征在于：电容C1与压敏电阻ZNR并联连接，构成输入干扰抑制电路。


4.根据权利要求1或2所述的一种改进的低功耗差共模复合滤波器，其特征在于：电容C2与C3串联...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩镕蔚，
申请(专利权)人：广东尚研电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44