一种小型化1064nm高功率隔离器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种小型化1064nm高功率隔离器，包括：封装盒体，盒体的两端分别设置有进端准直器与出端准直器，进端准直器与出端准直器的进出端呈同一水平线，所述封装盒体内还设置有波片，波片的中部与进端准直器、出端准直器的进出端呈同一水平线，波片的两端设置有磁性反射块，两个磁性发射块远离波片的另一侧还设置有YVO4晶体，通过多折射的方式改变传统的TGG晶体与磁铁的配合方式，通过折射与磁场配合实现激光的45°旋光，降低了单次的旋光度数，因此磁铁的大小只需要传统大小的三分之一大小，从而达到缩小体积的目的，使得激光可以在较小的空间内走完所需要的行程。

A miniaturized 1064nm high power isolator

【技术实现步骤摘要】
一种小型化1064nm高功率隔离器
本技术涉及光纤领域，尤其是涉及一种小型化1064nm高功率隔离器。
技术介绍
光纤激光器发展至今，已经深深的运用在我们的生活中。同时，市场上反馈也迫切的希望光纤激光器往小型化走。光纤激光器泵浦LD，有源光纤、合束器、光隔离器、光滤波器以及机电部分组成。这些组成件里，光纤激光器的尺寸主要受限于光隔离器的大小。所以迫切的有一款小封装的高可靠性的隔离器能替代目前的大封装隔离器。其中现有技术中的隔离器大多如图3所示：由进端准直器(7)、两个YVO4晶体(8)、两个折射块(9)，波片、出端准直器组成安装与封装盒体(6)内，其中折射块由磁铁与TGG晶体组成，其中隔离器的尺寸主要是由TGG晶体和匹配的磁铁共同决定，现有隔离器是通过增加磁铁的大小来增加磁铁的磁场强度，使TGG在磁铁的作用下旋光总45°，因此为保证旋光的角度，磁铁的体积都较大，因此使得隔离器的体积随之增大。
技术实现思路
本技术为克服上述情况不足，旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。一种小型化1064nm高功率隔离器，包括：封装盒体，盒体的两端分别设置有进端准直器与出端准直器，进端准直器与出端准直器的进出端呈同一水平线，所述封装盒体内还设置有波片，波片的中部与进端准直器、出端准直器的进出端呈同一水平线，波片的两端设置有磁性反射块，两个磁性发射块远离波片的另一侧还设置有YVO4晶体。作为本技术进一步的方案：所述磁性发射块由磁铁与TGG晶体组成,TGG晶体设置于磁铁的中部，TGG晶体的进射点与进端准直器、出端准直器的进出端呈同一水平线。作为本技术进一步的方案：所述TGG晶体两侧设置有折射镜，其中一侧的折射镜位于TGG晶体侧端的顶部，另一侧的折射镜位于TGG晶体侧端的底部，而两个TGG晶体为镜像设置。作为本技术进一步的方案：所述封装盒体为不透光金属盒体。作为本技术进一步的方案：所述封装盒体内壁为哑光面。与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过多折射的方式改变传统的TGG晶体与磁铁的配合方式，通过折射与磁场配合实现激光的45°旋光，降低了单次的旋光度数，因此磁铁的大小只需要传统大小的三分之一大小，从而达到缩小体积的目的，使得激光可以在较小的空间内走完所需要的行程。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术结构示意图。图2是本技术中磁性反射块的结构示意图。图3是现有技术的结构示意图。具体实施方式下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1～2，本技术实施例中，一种小型化1064nm高功率隔离器，包括：封装盒体6，盒体的两端分别设置有进端准直器1与出端准直器5，进端准直器1与出端准直器5的进出端呈同一水平线，所述封装盒体6内还设置有波片4，波片4的中部与进端准直器1、出端准直器5的进出端呈同一水平线，波片4的两端设置有磁性反射块3，两个磁性发射块远离波片4的另一侧还设置有YVO4晶体2。所述磁性发射块由磁铁31与TGG晶体33组成,TGG晶体33设置于磁铁31的中部，TGG晶体33的进射点与进端准直器1、出端准直器5的进出端呈同一水平线。所述TGG晶体33两侧设置有折射镜32，其中一侧的折射镜32位于TGG晶体33侧端的顶部，另一侧的折射镜32位于TGG晶体33侧端的底部，而两个TGG晶体33为镜像设置，激光进入到TGG晶体33时，会预先射入到其中一个折射镜32中，通过折射镜32射入到另一个发射镜中，一个TGG晶体33会让进入到其中的激光进行两次折射，三次行程，两个TGG晶体33可以让激光进行四次折射，六次行程，总折射角度为45°，降低了单次的旋光度数，因此磁铁31的大小只需要传统大小的三分之一大小，从而达到缩小体积的目的，使得激光可以在较小的空间内走完所需要的行程。所述封装盒体6为不透光金属盒体，所述封装盒体6内壁为哑光面，有效防止进入到封装盒体6内的激光在封装盒体6内部反复折射影响激光的强度。本技术的工作原理是：激光从进端准直器1进入，穿过YVO4晶体2进入到第一个TGG晶体33中进行两次折射，三次行程而后射出经过波片4，而后进入到第二个TGG晶体33中再次进行两次折射，三次行程，而后射出经过YVO4晶体2从出端准直器5射出。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种小型化1064nm高功率隔离器，其特征在于，包括：封装盒体，盒体的两端分别设置有进端准直器与出端准直器，进端准直器与出端准直器的进出端呈同一水平线，所述封装盒体内还设置有波片，波片的中部与进端准直器、出端准直器的进出端呈同一水平线，波片的两端设置有磁性反射块，两个磁性发射块远离波片的另一侧还设置有YVO4晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种小型化1064nm高功率隔离器，其特征在于，包括：封装盒体，盒体的两端分别设置有进端准直器与出端准直器，进端准直器与出端准直器的进出端呈同一水平线，所述封装盒体内还设置有波片，波片的中部与进端准直器、出端准直器的进出端呈同一水平线，波片的两端设置有磁性反射块，两个磁性发射块远离波片的另一侧还设置有YVO4晶体。


2.根据权利要求1所述的一种小型化1064nm高功率隔离器，其特征在于，所述磁性发射块由磁铁与TGG晶体组成,TGG晶体设置于磁铁的中部，TGG晶体的进射点与进端准直器、出...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德平，徐迎彬，曹丁象，段誉，黄建雄，叶文东，刘宏胜，巨兴斌，赵海峰，巨轮，王碧明，何世保，田密，曾娓，林列拓，张莉，
申请(专利权)人：珠海光焱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44