一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片及制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳电池领域，公开了一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片及制备方法，原硅片通过溶液a进行清洗后，在通过溶液b进行各向异性腐蚀，得到大金字塔绒面，再通过溶液c进行二次制绒后，使原有的大金字绒面上形成尺寸较小的小金字塔绒面，且大金字塔的表面从上到下依次叠加的有小金字塔，从而形成金字塔单元，因金字塔单元覆盖在硅片的表面，且是叠加的，所以该单晶硅片不仅具备了大金字塔与导电栅线接触好、焊接拉力高的优点，也具备了小金字塔反射率低、短路电流高的优点。本发明专利技术的单晶硅片绒面为不同大小的金字塔叠加结构，不仅具备了大金字塔与导电栅线接触好、焊接拉力高的优点，也具备了小金字塔反射率低、短路电流高的优点。

A kind of monocrystalline silicon wafer with pyramid superposition structure and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片及制备方法
本专利技术涉及太阳电池领域，具体是指一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片及制备方法。
技术介绍
单晶硅太阳电池的制造过程中，通过槽式湿法制绒可以在硅片表面形成金字塔形貌的陷光结构，太阳光在金字塔表面发生二次反射，从而增加硅片对光的吸收率，提高太阳电池的电流密度和光电转换效率。这种有陷光作用的绒面是利用硅片在碱液中的各向异性腐蚀形成的，硅片表面的晶面指数为(100)，在含有制绒添加剂的碱液中发生各向异性化学反应时，晶面指数为(100)的表面逐渐消失，出现由晶面指数为(111)的表面组成的金字塔形貌。常规的单晶硅片绒面结构为大小不一的金字塔紧密排列，布满整个硅片表面，金字塔底边长度一般为0.2-20μm。不同金字塔大小的绒面具有不同的光学特性和电学特性，一般而言，金字塔尺寸大的硅片对光线的反射率较高，做成的电池片的短路电流(Isc)较小；相反地，金字塔尺寸小的硅片对光线的反射率较低，做成的电池片的短路电流较高。但是金字塔尺寸小的硅片存在其它问题，例如丝网印刷导电栅线时，小金字塔绒面与导电栅线的接触不充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片，包括硅片，其特征在于：所述硅片制绒后其表面覆盖有金字塔单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片，包括硅片，其特征在于：所述硅片制绒后其表面覆盖有金字塔单元。


2.根据权利要求1所述的一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片，其特征在于：所述金字塔单元包括大金塔，所述大金字塔的表面从上到下依次叠加设有小金字塔。


3.根据权利要求2所述的一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片，其特征在于：所述小金字塔的底边长度小于大金字塔的二分之一。


4.根据权利要求1所述的一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片，其特征在于：所述金字塔单元的底面积为1～500平方微米。


5.根据权利要求4所述的一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片，其特征在于：所述金字塔单元内包含的金字塔数量为5～500个。


6.权利要求1～4任意一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜俊霖，韩安军，孙林，付昊鑫，
申请(专利权)人：中威新能源成都有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51