【技术实现步骤摘要】
写操作辅助电路
本专利技术涉及SRAM
，尤其涉及一种写操作辅助电路。
技术介绍
随着先进工艺的发展，工艺带来的工艺参数的变化，如随机掺杂波动等效应使得SRAM的设计愈发具有挑战性，其中，写操作的稳定性是SRAM设计中的一大难点。为提升写操作时的抗噪声能力，现有的一种方案是通过增加写辅助电路将SRAM的位线拉低至负值电压，依次来提高写操作的速度，增加写操作的稳定性。现有技术中，写操作辅助电路通过电荷泵拉低位线的电压，电荷泵的驱动信号通常由外部的相应时序的驱动信号来驱动，对时序的要求较为严格。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种不依赖外部驱动信号的写操作辅助电路。为实现上述目的，本专利技术实施例提供一种写操作辅助电路，包括：预充电电路、驱动信号电路、可编程延时电路、电荷泵、写驱动电路以及列选择器，其中：所述预充电电路，预充电信号输出端与所述驱动信号电路的预充电信号输入端耦接，第一电压输出端与第一位线耦接，第二电压输出端与第二位线耦接；所述驱动信号电路，第一输入端与所...
【技术保护点】
1.一种写操作辅助电路，其特征在于，包括：预充电电路、驱动信号电路、可编程延时电路、电荷泵、写驱动电路以及列选择器，其中：/n所述预充电电路，预充电信号输出端与所述驱动信号电路的预充电信号输入端耦接，第一电压输出端与第一位线耦接，第二电压输出端与第二位线耦接；/n所述驱动信号电路，第一输入端与所述第一位线耦接，第二输入端与所述第二位线耦接，第一输出端与所述可编程延时电路的第一输入端耦接，第二输出端与所述可编程延时电路的第二输入端耦接；/n所述可编程延时电路，输出端与所述电荷泵的第一端耦接；/n所述电荷泵，第二端与所述写驱动电路的地端耦接；/n所述写驱动电路，第一输入端输入第...
【技术特征摘要】
1.一种写操作辅助电路，其特征在于，包括：预充电电路、驱动信号电路、可编程延时电路、电荷泵、写驱动电路以及列选择器，其中：
所述预充电电路，预充电信号输出端与所述驱动信号电路的预充电信号输入端耦接，第一电压输出端与第一位线耦接，第二电压输出端与第二位线耦接；
所述驱动信号电路，第一输入端与所述第一位线耦接，第二输入端与所述第二位线耦接，第一输出端与所述可编程延时电路的第一输入端耦接，第二输出端与所述可编程延时电路的第二输入端耦接；
所述可编程延时电路，输出端与所述电荷泵的第一端耦接；
所述电荷泵，第二端与所述写驱动电路的地端耦接；
所述写驱动电路，第一输入端输入第一电平，第二输入端输入第二电平，第一输出端与所述列选择器的第一输入端耦接，第二输出端与所述列选择器的第二输入端耦接；所述第一电平与所述第二电平反相；
所述列选择器，第一输出端与所述第一位线耦接，第二输出端与所述第二位线耦接。
2.如权利要求1所述的写操作辅助电路，其特征在于，所述预充电电路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管以及第三PMOS管，其中：
所述第一PMOS管，源极与电压源耦接，栅极与所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极耦接均耦接，漏极与所述第三PMOS管的源极耦接；
所述第二PMOS管，源极与所述电压源耦接，栅极与所述第三PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的栅极均耦接，漏极与所述第三PMOS管的漏极耦接；
所述第三PMOS管，源极与所述第一PMOS管的漏极耦接，栅极与所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极均耦接，漏极与所述第二PMOS管的漏极耦接。
3.如权利要求1所述的写操作辅助电路，其特征在于，所述驱动信号电路包括：第一传输门、第二传输门、第一反相器以及第二反相器，其中：
所述第一传输门，输入端与第一位线耦接，输出端与所述可编程延时电路的第一输入端耦接，第一电压输入端与所述第一反相器的输出端耦接，第二电压输入端与所述第二反相器的输出端耦接；
所述第二传输门，输入端与第二位线耦接，输出端与所述可编程延时电路的第二输入端耦接，第一电压输入端与所述第一反相器的输出端耦接，第二电压输入端与所述第二反相器的输出端耦接；
所述第一反相器，输入端与所述预充电电路的预充电信号输出端耦接，输出端与所述第二反相器的输入端耦接；
所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：佘一奇，
申请(专利权)人：展讯通信上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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