像素结构及像素电路制造技术

本发明专利技术提供了一种像素结构及像素电路，该像素结构包括：第一金属层，包括扫描线、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第三薄膜晶体管的栅极、以及栅极公共电极线；第二金属层，包括数据线、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第三薄膜晶体管的源极和漏极；像素电极层，设置在第二金属层远离第一金属层的一侧，包括主像素电极和次像素电极；其中，主像素电极与第一薄膜晶体管的漏极连接，次像素电极与第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极连接，第三薄膜晶体管的漏极通过过孔与公共电极线连接。避免了现有像素结构中共享电极线的存在，影响开口率、产生白雾、易与数据线发生短接、不易检修等一系列问题。

Pixel structure and circuit

【技术实现步骤摘要】
像素结构及像素电路
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构及像素电路。
技术介绍
垂直配向型液晶显示面板相对其他种类的液晶显示面板具有极高的对比度，在大尺寸显示领域具有非常广的应用。但是目前垂直配向型液晶显示面板在大视角下显示存在视觉色差或视觉色偏。为了改善垂直配向型液晶显示面板在大视角下的视觉色差或视觉色偏，现有技术在阵列基板侧采用3T(三个薄膜晶体管)结构的像素设计，如图1所示，将一个像素结构分为主像素区和次像素区两部分，并通过共享薄膜晶体管101来降低次像素区的电压，从而控制主像素区和次像素区的液晶旋转量差，改善在显示面板在广视角下的视觉色偏现象。降低的次像素电压通过共享电极线102漏出去的，然而共享电极线102的设置会使得位于其下的栅极公共电极线103线宽增加，降低显示面板的开口率；共享电极线102制备工艺的影响，使得显示面板极易产生白雾现象；共享电极线102与数据线104之间的距离较小，极易造成短接的风险；一条共享电极线102连接一列共享薄膜晶体管，不易检修，极容易造成整列像素共享失效的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构及像素电路，以改进现有液晶显示面板的像素结构中共享电极线的存在影响开口率、产生白雾、易与数据线发生短接、造成整列像素共享失效等一系列的技术问题。为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种像素结构，其包括：第一金属层，包括扫描线、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第三薄膜晶体管的栅极、以及栅极公共电极线，所述栅极公共电极线包括第一栅极公共电极线和第二栅极公共电极线；第二金属层，包括数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极、所述第三薄膜晶体管的源极和漏极；像素电极层，设置在所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧，所述像素电极层包括主像素电极和次像素电极；其中，所述主像素电极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述次像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏极、所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接。在本专利技术提供的像素结构中，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一栅极公共电极线连接。在本专利技术提供的像素结构中，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二栅极公共电极线连接。在本专利技术提供的像素结构中，所述扫描线与所述栅极公共电极线彼此绝缘；所述数据线与所述第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极连接。在本专利技术提供的像素结构中，所述第一金属层还包括第一存储电容的第一电极板、第二存储电容的第一电极板，所述第二金属层还包括第一存储电容的第二电极板、第二存储电容的第二电极板；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容的第二电极板连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容的第二电极板连接。在本专利技术提供的像素结构中，所述像素结构还包括有源层、绝缘层，所述有源层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述绝缘层设置在所述第一金属层和所述有源层之间。在本专利技术提供的像素结构中，所述绝缘层上设置有过孔，所述第三薄膜晶体管的漏极通过所述过孔与所述公共电极线连接。在本专利技术提供的像素结构中，所述像素结构还包括有源层、第一绝缘层、第二绝缘层，所述有源层设置在所述第一金属层远离所述第二金属层的一侧，所述第一绝缘层设置在所述第一金属层和所述有源层之间，所述第二绝缘层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间。在本专利技术提供的像素结构中，所述第二绝缘层上设置有过孔，所述第三薄膜晶体管的漏极通过所述过孔与所述公共电极线连接。同时，本专利技术提供一种像素电路，其包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容、第一液晶电容、第二存储电容、以及第二液晶电容；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容、所述第一液晶电容连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容、所述第二液晶电容和所述第三薄膜晶体管的源极连接；所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第三薄膜晶体管的栅极连接同一扫描线，接入同一扫描电信号；所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极连接同一数据线，接入同一数据电信号；所述第三薄膜晶体管的源极接入栅极公共信号。本专利技术提供了一种像素结构及像素电路，该像素结构包括：第一金属层，第一金属层包括扫描线、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第三薄膜晶体管的栅极、以及栅极公共电极线，栅极公共电极线包括第一栅极公共电极线和第二栅极公共电极线；第二金属层，第二金属层包括数据线、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第三薄膜晶体管的源极和漏极；像素电极层，设置在第二金属层远离第一金属层的一侧，像素电极层包括主像素电极和次像素电极；其中，主像素电极与第一薄膜晶体管的漏极连接，次像素电极与第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极连接，第三薄膜晶体管的漏极通过过孔与公共电极线连接。该像素结构避免了现有像素结构中共享电极线的存在，影响开口率、产生白雾、易与数据线发生短接、不易检修等一系列问题；同时进一步缓解了现有像素结构中，将第三薄膜晶体管的漏极与彩膜基板上的公共电极线连接，影响显示面板开口率的问题。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为现有技术的像素结构的平面结构示意图。图2为本专利技术实施例提供的像素结构的第一种平面结构示意图。图3为本专利技术实施例提供的像素结构的第二种平面结构示意图。图4为本专利技术实施例提供的像素结构的第二种平面结构示意图。图5为本专利技术实施例提供的像素结构的第一种剖面结构示意图。图6为本专利技术实施例提供的像素结构的第二种剖面结构示意图。图7为本专利技术实施例提供的像素电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术的具体实施方案，对本专利技术实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本专利技术一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本专利技术中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本专利技术保护范围。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。针对现有像素结构存在的共享电极线影响开口率、产生白雾、易与数据线发生短接、不易检修等一系列问题，本专利技术提供一种像素结构可以缓解这个问题。在一种实施例中，如图2所示，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：/n第一金属层，包括扫描线、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第三薄膜晶体管的栅极、以及栅极公共电极线，所述栅极公共电极线包括第一栅极公共电极线和第二栅极公共电极线；/n第二金属层，包括数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极、所述第三薄膜晶体管的源极和漏极；/n像素电极层，设置在所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧，所述像素电极层包括主像素电极和次像素电极；/n其中，所述主像素电极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述次像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏极、所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
第一金属层，包括扫描线、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第三薄膜晶体管的栅极、以及栅极公共电极线，所述栅极公共电极线包括第一栅极公共电极线和第二栅极公共电极线；
第二金属层，包括数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极、所述第三薄膜晶体管的源极和漏极；
像素电极层，设置在所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧，所述像素电极层包括主像素电极和次像素电极；
其中，所述主像素电极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述次像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏极、所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接。


2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一栅极公共电极线连接。


3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二栅极公共电极线连接。


4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述扫描线与所述栅极公共电极线彼此绝缘；所述数据线与所述第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极连接。


5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一金属层还包括第一存储电容的第一电极板、第二存储电容的第一电极板，所述第二金属层还包括第一存储电容的第二电极板、第二存储电容的第二电极板；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容的第二电极板连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玲，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44