【技术实现步骤摘要】
半导体材料生产系统及生产方法
本专利技术涉及晶体生长设备
，特别是涉及一种半导体材料生产系统及生产方法。
技术介绍
第三代半导体材料是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌为代表的宽禁带半导体材料，其带隙能可达3.3～5.5eV,与传统的第一代半导体材料第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电子器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器等方面展现出巨大的应用潜力。第三代半导体材料中关于氮化镓的研究较为广泛。氮化镓单晶的生长方法有氢化物气相外延法、高压氮气溶液法、氨热法、Na助熔剂法等，但是单晶生长技术目前并不成熟，还未达到广泛应用。上述方法之中氨热法易于获得较大尺寸的单晶，可以批量化生产氮化镓单晶。氨热法的工艺流程主要分为充氨、填料、生长和清洗等四部分，当反应釜为小尺寸研发级别时，可使用人工搬运反应釜，将反应釜搬运至执行不同工艺流程的设备处，但当需要进行工业化批量生长氮化镓单晶时反应釜尺寸较大，人工...
【技术保护点】
1.一种半导体材料生产系统，其特征在于，包括：清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置、多个反应釜和多组输送管道；/n所述输送管道包括清洗管道和供应管道，所述清洗装置通过所述清洗管道输送清洗液至所述反应釜，所述清洗管道包括清洗主管道和连接于所述清洗主管道上的多个清洗管道支路，每个所述清洗管道支路的出口与所述反应釜的开口一一对应；/n所述充氨装置、所述干燥装置和所述抽真空装置连接至所述供应管道，所述供应管道包括供应主管道和连接于所述供应主管道上的多个供应管道支路，每个所述供应管道支路的出口与所述反应釜的开口一一对应。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体材料生产系统，其特征在于，包括：清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置、多个反应釜和多组输送管道；
所述输送管道包括清洗管道和供应管道，所述清洗装置通过所述清洗管道输送清洗液至所述反应釜，所述清洗管道包括清洗主管道和连接于所述清洗主管道上的多个清洗管道支路，每个所述清洗管道支路的出口与所述反应釜的开口一一对应；
所述充氨装置、所述干燥装置和所述抽真空装置连接至所述供应管道，所述供应管道包括供应主管道和连接于所述供应主管道上的多个供应管道支路，每个所述供应管道支路的出口与所述反应釜的开口一一对应。
2.根据权利要求1所述的半导体材料生产系统，其特征在于，所述清洗装置包括纯水槽和溶液槽；
所述清洗管道包括第一组管道和第二组管道，所述第一组管道包括第一清洗主管道和连接所述第一清洗主管道的多个第一清洗管道支路，每个所述第一清洗管道支路的出口与每个所述反应釜一一对应，所述第二组管道包括第二清洗主管道和连接所述第二清洗主管道的多个第二清洗管道支路，每个所述第二清洗管道支路的出口与每个所述反应釜的开口一一对应；
所述纯水槽通过所述第一组管道连接至所述每个所述反应釜，所述溶液槽通过所述第二组管道连接至每个所述反应釜。
3.根据权利要求2所述的半导体材料生产系统，其特征在于，所述第一清洗主管道上还设置有进水泵，每个所述第一清洗管道支路上设置有进水阀。
4.根据权利要求3所述的半导体材料生产系统，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔焜，高明哲，林岳明，
申请(专利权)人：上海玺唐半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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