【技术实现步骤摘要】
一种离子液体改性的半导体复合膜的光阳极及其制备方法
本专利技术涉及改性的半导体复合膜，尤其是涉及一种离子液体改性的半导体复合膜(针对304不锈钢)的光阳极及其制备方法。
技术介绍
二氧化钛属于n型半导体，当光照时二氧化钛表面富集电子，如果电子能够传递到304不锈钢表面，则就对304产生了阴极保护效果。二氧化钛半导体材料具有化学和热力学稳定性能好、环境友好、不消耗电能等优点，是当前最具开发潜能的绿色经济环保型光催化剂之一，广泛应用与光催化降解有机物，光催化裂解氢气，光之阴极保护等领域。但现在的一些制备TiO2的方法都存在一定的缺陷，如：模板法，所制备的纳米材料内径一般都比较大，形貌会收到模板形貌的限制。制备过程也比较复杂，不易实现样品的大量生产；水热合成法，对设备的要求比较高，需要耐高温，高压腐蚀的内衬，需要在密闭容器中进行，不利于观察材料的生长过程，安全性能也不是很好，且该方法对温度等外部条件比较敏感，使得制备出来的TiO2纳米管阵列无序不整齐，结构比较乱。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种离子...
【技术保护点】
1.一种离子液体改性的半导体复合膜的光阳极的制备方法，其特征在于：以清洗后基材作为阳极在氟化铵溶液中反复进行氧化处理，获得TiO
【技术特征摘要】
1.一种离子液体改性的半导体复合膜的光阳极的制备方法，其特征在于：以清洗后基材作为阳极在氟化铵溶液中反复进行氧化处理，获得TiO2纳米阵列管，而后将TiO2纳米阵列管于TMGL溶液中浸渍2-3h，进而获得沉积TMGL@TiO2膜光阳极。
2.按权利要求1所述的离子液体改性的半导体复合膜的光阳极的制备方法，其特征在于：所述反复进行氧化处理为将基体在氟化铵溶液中反复进行阳极氧化，而后煅烧，即获得表面附有TiO2纳米管阵列膜的基材；其中，两次阳极氧化之间采用盐酸对基体进行清洗。
3.按权利要求1所述的离子液体改性的半导体复合膜的光阳极的制备方法，其特征在于：采用浸渍的方法将所述表面附有TiO2纳米管阵列膜的基材表面浸渍TMGL，而后煅烧，即获得TMGL改性的TiO2纳米管阵列膜。
4.按权利要求1或2所述的离子液体改性的半导体复合膜的光阳极的制备方法，其特征在于：所述基材为依次用丙酮、无水乙醇、蒸馏水超声冲洗后的纯钛片。
5.按权利要求1或2所述的离子液体改性的半导体复合膜的光阳极的制备方法，其特征在于：以清...
【专利技术属性】
技术研发人员：马秀敏，马峥，侯保荣，
申请(专利权)人：中国科学院海洋研究所，
类型：发明
国别省市：山东;37
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