一种正反转电机控制保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电机保护技术领域，公开了一种正反转电机控制保护电路，包括接收电路，接收电路电连接有多个串联的可控硅控制光耦隔离器，每个可控硅控制光耦隔离器的输出端均并联有分压电阻；接收电路通过串联的可控硅控制光耦隔离器后接地电位，与接收电路电连接的可控硅控制光耦隔离器的输出端通过第一限流电阻电连接有驱动可控硅的一受控端；接地电位的可控硅控制光耦隔离器的输出端与驱动可控硅的控制端电连接，并通过钳位电阻与驱动可控硅的另一受控端电连接，多个分压电阻串联后并联在驱动可控硅的两个受控端之间。让低压220V的可控硅控制光耦隔离器能适用在高压380V三相的电气环境下，无需昂贵的高压控制芯片，降低电路成本。

A control and protection circuit of forward and reverse motor

【技术实现步骤摘要】
一种正反转电机控制保护电路
本技术涉及电机保护
，尤其是涉及一种正反转电机控制保护电路。
技术介绍
数控机床是数字控制机床的简称，是一种装有程序控制系统的自动化机床。该控制系统能够逻辑地处理具有控制编码或其他符号指令规定的程序，并将其译码，用代码化的数字表示，通过信息载体输入数控装置。经运算处理由数控装置发出各种控制信号，控制机床的动作，按图纸要求的形状和尺寸，自动地将零件加工出来。目前电机使用220V电源的数控机床会采用单个可控硅控制光耦隔离器以及单个可控硅组合形成的单线控制电路。上述中的现有技术方案存在以下缺陷：若数控机床电机采用三相电机，且其控制电压为380V，传统的可控硅控制电路将不能胜任，目前市场上没有支持380V三相高压的可控硅控制光耦，因此需要专门的电压控制芯片来控制，成本高。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的之一是提供一种双光耦分压驱动可控硅、成本低的正反转电机控制保护电路。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种正反转电机控制保护电路，包括用于接收外界控制信号的接收电路，接收电路电连接有多个串联的可控硅控制光耦隔离器，可控硅控制光耦隔离器的输入端为发光二极管，可控硅控制光耦隔离器的输出端为光敏可控硅，相邻可控硅控制光耦隔离器的发光二极管串联，相邻可控硅控制光耦隔离器的光敏可控硅串联，每个可控硅控制光耦隔离器的输出端均并联有分压电阻；接收电路通过多个串联的可控硅控制光耦隔离器的输入端后接地电位，与接收电路电连接的可控硅控制光耦隔离器的输出端通过第一限流电阻电连接有驱动可控硅的一受控端；接地电位的可控硅控制光耦隔离器的输出端与驱动可控硅的控制端电连接，并通过钳位电阻与驱动可控硅的另一受控端电连接，多个分压电阻串联后并联在驱动可控硅的两个受控端之间。通过采用上述技术方案，通过在可控硅控制光耦隔离器的输出端并联分压电阻，多个可控硅控制光耦隔离器串联后，分压电阻也串联后进行分压，通过分压电阻分去可控硅控制光耦隔离器上得到的电压值，做到两个光耦运行时电压的合理分配，让低压220V的可控硅控制光耦隔离器能适用在高压380V三相的电气环境下，无需昂贵的高压控制芯片，降低电路成本。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：驱动可控硅的两个受控端之间电连接有串联的滤波电阻和滤波电容。通过采用上述技术方案，滤波电阻与滤波电容配合，能够让驱动可控硅上接收到的电压信号更加稳定，提高可控硅控制光耦隔离器控制效果。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：接收电路包括与外界控制信号电连接的第一接收电阻，第一接收电阻通过第二接收电阻接地电位，第二接收电阻并联有接收电容。通过采用上述技术方案，第一接收电阻与第二接收电阻对外界控制信号进行分压，分出的电压信号经过接收电容滤波后再传输至可控硅控制光耦隔离器。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：第一接收电阻与外界控制信号电连接的一端连接有第二限流电阻，第二限流电阻通过LED接地电位。通过采用上述技术方案，第二限流电阻与LED配合，能够通过光信号向外展示外界控制信号的状态，让状态可视化。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述分压电阻的阻值不低于10M欧姆，所述分压电阻的精度不低于1%。通过采用上述技术方案，使用高精密分压电阻，做到相邻可控硅控制光耦隔离器运行时电压的平均分配。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：接收电路、至少两个可控硅控制光耦隔离器以及控制可控硅呈一组驱动模块设置，380V电机三相中的两相各电连接有两组驱动模块，剩余一相电连接有一组驱动模块。通过采用上述技术方案，为380V三相电机的转动控制提供硬件电路基础。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：380V电机三相中的两相电连接的两组驱动模块组成H桥驱动电路。通过采用上述技术方案，H桥驱动电路为380V三相电机实现正反转提供硬件电路基础。综上所述，本专利技术包括以下至少一种有益技术效果：(1)通过在可控硅控制光耦隔离器的输出端并联分压电阻，并使用高精密的电阻作为分压电阻，使用高精密分压电阻，做到相邻可控硅控制光耦隔离器运行时电压的平均分配，多个可控硅控制光耦隔离器串联后，分压电阻也串联后进行分压，通过分压电阻分去可控硅控制光耦隔离器上得到的电压值，让低压220V的可控硅控制光耦隔离器能适用在高压380V三相的电气环境下，无需昂贵的高压控制芯片，降低电路成本；(2)通过设置滤波电阻与滤波电容，滤去杂波，让驱动可控硅上接收到的电压信号更加稳定，提高可控硅控制光耦隔离器控制效果。附图说明图1为本技术的电路图；图2为本技术H桥的电路图；图3为图2的A部放大示意图。附图标记：1、接收电路；2、可控硅控制光耦隔离器；3、分压电阻；4、驱动可控硅。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术进行详细描述。参照图1与图2，为本技术公开的一种正反转电机控制保护电路，包括用于接收外界控制信号的接收电路1，接收电路1包括与外界控制信号电连接的第一接收电阻R116，第一接收电阻R116通过第二接收电阻R265接地电位，第二接收电阻R265并联有接收电容C83。第一接收电阻R116与第二接收电阻R265对外界控制信号进行分压，分出的电压信号经过接收电容C83滤波后再传输出去。第一接收电阻R116与外界控制信号电连接的一端连接有第二限流电阻R104，第二限流电阻R104通过LED接地电位。第二限流电阻R104与LED配合，能够通过光信号向外展示外界控制信号的状态，让电信号状态可视化。接收电路1上电连接有多个相互串联的可控硅控制光耦隔离器2，本技术方案中以两个可控硅控制光耦隔离器2串联为例，为可控硅控制光耦隔离器2U58与可控硅控制光耦隔离器2U25。可控硅控制光耦隔离器2U58的输入端为发光二极管U58D1，可控硅控制光耦隔离器2U58的输出端为光敏可控硅U58D2，可控硅控制光耦隔离器2U25的输入端为发光二极管U25D1，可控硅控制光耦隔离器2U25的输出端为光敏可控硅U25D2。发光二极管U58D1与发光二极管U25D1串联，光敏可控硅U58D2与光敏可控硅U25D2串联，光敏可控硅U58D2的输出端并联有分压电阻3R261，光敏可控硅U25D2的输出端并联有分压电阻3R266。分压电阻3R261与分压电阻3R266的电气参数一致，阻值不低于10M欧姆，阻值的精度不低于1%。使用高精密分压电阻3，做到相邻可控硅控制光耦隔离器2运行时电压的平均分配。接收电路1通过串联的发光二极管U58D1与发光二极管U25D1接地电位，光敏可控硅U25D2远离光敏可控硅U85D2的一端通过第一限流电阻R117电连接有驱动可控硅4U29的一受控端。驱动可控硅4U29的两个受控端之间电连接有串联的滤波电阻R122和滤波电容C21。滤波电阻R122本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正反转电机控制保护电路，包括用于接收外界控制信号的接收电路（1），其特征在于，接收电路（1）电连接有多个串联的可控硅控制光耦隔离器（2），可控硅控制光耦隔离器（2）的输入端为发光二极管，可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端为光敏可控硅，相邻可控硅控制光耦隔离器（2）的发光二极管串联，相邻可控硅控制光耦隔离器（2）的光敏可控硅串联，每个可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端均并联有分压电阻（3）；/n接收电路（1）通过多个串联的可控硅控制光耦隔离器（2）的输入端后接地电位，与接收电路（1）电连接的可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端通过第一限流电阻电连接有驱动可控硅（4）的一受控端；接地电位的可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端与驱动可控硅（4）的控制端电连接，并通过钳位电阻与驱动可控硅（4）的另一受控端电连接，多个分压电阻（3）串联后并联在驱动可控硅（4）的两个受控端之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种正反转电机控制保护电路，包括用于接收外界控制信号的接收电路（1），其特征在于，接收电路（1）电连接有多个串联的可控硅控制光耦隔离器（2），可控硅控制光耦隔离器（2）的输入端为发光二极管，可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端为光敏可控硅，相邻可控硅控制光耦隔离器（2）的发光二极管串联，相邻可控硅控制光耦隔离器（2）的光敏可控硅串联，每个可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端均并联有分压电阻（3）；
接收电路（1）通过多个串联的可控硅控制光耦隔离器（2）的输入端后接地电位，与接收电路（1）电连接的可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端通过第一限流电阻电连接有驱动可控硅（4）的一受控端；接地电位的可控硅控制光耦隔离器（2）的输出端与驱动可控硅（4）的控制端电连接，并通过钳位电阻与驱动可控硅（4）的另一受控端电连接，多个分压电阻（3）串联后并联在驱动可控硅（4）的两个受控端之间。


2.根据权利要求1所述的正反转电机控制保护电路，其特征在于，驱动可控硅（4）的两个受控端之间电连接有串联的滤波电阻和滤波电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋卫兵，
申请(专利权)人：上海滨捷机电有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31