用于制造光学装置的方法制造方法及图纸

本申请涉及用于制造光学装置的方法和光学装置。本申请提供了能够使在通过点涂过程制造光学装置时可能出现的点涂不均匀性最小化或消除的制造方法。特别地，即使当存在大的单元间隙或者应用聚合物基底作为基底使得无法进行高温热处理时，本申请的这样的方法也可以通过改善点涂不均匀性来提供具有改善的取向的配向膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光学装置的方法本申请要求基于2017年9月29日提交的韩国专利申请第10-2017-0127825号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本申请涉及用于制造光学装置的方法和光学装置。
技术介绍
已知能够通过在基底之间设置光调制层来调节透光率或颜色等的光学装置。例如，在专利文献1中，已知其中施加有液晶主体和二色性染料客体的混合物的所谓的GH单元(宾主单元)。用于制造光学装置的方法是公知的。其中一种方法是这样的方法：将光调制材料点涂在具有形成在其表面上的配向膜的基底上并将相对的基底压制到点涂的光调制材料上，使得光调制材料在基底之间的间隙中散布并同时填充间隙(也称为VALC(vacuumassemblyLC，真空组合件LC)或ODF(onedropfilling，一滴填充))(在下文中，可以称为点涂过程(dottingprocess))。图1是示意性地示出这样的点涂过程的进程的图。如图1所示，点涂过程可以通过以下来进行：将光调制材料301点涂在基底201A上的合适位置上，然后用辊302等压制另一个基底201B，并使其结合在一起使得点涂的光调制材料在基底之间均匀散布。然而，图1所示的过程是点涂过程的实例，其中可以基于图1所示的方法对实际的点涂过程进行各种改变。这样的方法可以减少液晶消耗，原因是与其他方法相比，可以精确地仅使用必要量的液晶，并且即使在面积增大等的情况下，也可以通过减少TAT(turnaroundtime，周转时间)来大大改善生产率。然而，上述方法由于点涂有光调制材料和在压制期间散布的区域中的取向缺陷而经常引起点涂不均匀性(dottingunevenness)。
技术实现思路
技术问题本申请涉及用于制造光学装置的方法和光学装置。本申请的一个目的是提供用于制造具有优异的性能而没有点涂不均匀性的装置的方法和以这样的方式制造的光学装置。技术方案本申请涉及用于制造光学装置的方法，在一个实例中，其涉及用于通过应用点涂过程来制造光学装置的方法。在术语光学装置的范畴中，可以包括形成为能够在两个或更多个不同的光学状态(例如，高透射率和低透射率状态，高透射率、中间透射率和低透射率状态，实现不同颜色的状态等)之间切换的所有种类的装置。所述制造方法可以包括在特定条件下对形成在基础层上的配向膜进行摩擦的过程。即，通常，光学装置通过以下来制造：将表面上形成有配向膜的两个基底的配向膜相对设置，并在相对设置的配向膜之间形成光调制层，其中用于保持单元间隙的间隔物形成在两个基底中的任一者上。本专利技术的专利技术人已经确定，当进行用于向这样的两个基底赋予取向的摩擦处理时，可以通过改变摩擦强度来制造光学装置而没有点涂不均匀性。通常，使用摩擦鼓(rubbingdrum)以与图2所示相同的方式进行配向膜的摩擦处理，其中摩擦强度由以下方程式1确定。[方程式1]RS＝2×N×M×π×rn×r/(v-1)在方程式1中，RS为摩擦强度，N为摩擦次数的数，M为摩擦深度(单位：mm)，r为摩擦鼓的半径(单位：mm)，n为摩擦鼓的旋转速度(单位：rpm)，以及v为基底相对于摩擦鼓的相对移动速度(单位：mm)。此外，在本说明书中，除非另有说明，否则符号π为圆周率。在此，摩擦次数(N)表示摩擦鼓通过基底的次数。在此，摩擦次数是表示摩擦鼓在基底的表面上移动的次数的数目，其通常在1至10、1至9、1至8、1至7、1至6、1至5、1至4、1至3或1至2左右的范围内。在以上方程式1中，摩擦深度(M)(单位：mm)通常可以为0mm至2mm左右。在一个实例中，摩擦深度可以为约0.005mm或更大左右，还可以为1mm或更小左右。在以上方程式1中，摩擦鼓的半径(r)的范围也可以为典型范围，例如，可以在约50mm至300mm、约50mm至250mm、约50mm至200mm、约50mm至150mm或约50mm至100mm左右的范围内。在以上方程式1中，摩擦鼓的旋转速度(n)通常可以在500rpm至2000rpm的范围内，基底相对于摩擦鼓的相对移动速度(v)通常可以在约500mm/秒至2000mm/秒的范围内。在本申请中，可以进行所述过程使得可以确保上述摩擦强度在这样的典型范围内。即，如图2所示，通常在旋转摩擦鼓A并使其上形成有配向膜的基底B移动以与旋转的摩擦鼓接触的同时进行摩擦过程，在该摩擦过程中，通过以上方程式1确定摩擦强度的方法是已知的。在图2中，示出了摩擦鼓A的半径和摩擦深度M。本专利技术的专利技术人已经确定，在分别对作为其上形成有配向膜和间隔物的基础层的基底(在下文中，第一基底)和作为其上形成有配向膜而没有形成间隔物的基础层的基底(第二基底)的配向膜进行摩擦时，可以通过控制由以上方程式1确定的摩擦强度来制造光学装置而没有点涂不均匀性。即，光学装置的制造方法包括以下步骤：对第一基底的摩擦配向膜进行摩擦，所述第一基底包括基础层以及形成在基础层上的间隔物和配向膜；对第二基底的摩擦配向膜进行摩擦，所述第二基底包括基础层和形成在基础层上的配向膜，其中不存在间隔物；以及在第一基底和第二基底的配向膜之间形成光调制层，其中在对第一基底配向膜进行摩擦时由以上方程式1确定的摩擦强度(RS1)和在对第二基底配向膜进行摩擦时由以上方程式1确定的摩擦强度(RS2)满足以下方程式2。[方程式2]RS1<RS2在本申请的制造方法中，只要各摩擦强度(RS1、RS2)满足上述条件，其具体范围就没有特别限制，可以对其进行控制使得可以确保适当的取向能力。在一个实例中，在对第一基底配向膜进行摩擦时的摩擦强度(RS1)可以在约2.5至100的范围内。在该范围内，可以确保适当的取向能力并且可以防止点涂不均匀性。在另一个实例中，摩擦强度(RS1)可以为约3或更大。在另一个实例中，摩擦强度(RS1)也可以在约95或更小、90或更小、85或更小、80或更小、75或更小、70或更小、65或更小、60或更小、55或更小、50或更小、45或更小、40或更小、35或更小、30或更小、25或更小、20或更小、15或更小、10或更小、或者5或更小左右的范围内。在对第一基底配向膜进行摩擦时的摩擦强度(RS1)和在对第二基底配向膜进行摩擦时的摩擦强度(RS2)的平均值(算术平均值)可以在约12至250或更小的范围内。在该范围内，可以确保适当的取向能力并且可以防止点涂不均匀性。在另一个实例中，平均值也可以在约240或更小、230或更小、220或更小、210或更小、200或更小、190或更小、180或更小、170或更小、160或更小、150或更小、140或更小、130或更小、120或更小、110或更小、100或更小、90或更小、80或更小、70或更小、60或更小、50或更小、40或更小、30或更小、20或更小、或者15或更小的范围内。在制造方法中应用的基底的类型没有特别限制，并且通常可以应用其上以已知方式在已知的基础层上形成有配向膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造光学装置的方法，包括以下步骤：对第一基底的摩擦配向膜进行摩擦，所述第一基底包括基础层以及形成在所述基础层上的间隔物和配向膜；以及对第二基底的摩擦配向膜进行摩擦，所述第二基底包括基础层和形成在所述基础层上的配向膜，其中不存在间隔物，/n其中在对第一基底配向膜进行摩擦时由以下方程式1确定的摩擦强度(RS1)和在对第二基底配向膜进行摩擦时由以下方程式1确定的摩擦强度(RS2)满足以下方程式2，所述摩擦强度(RS1)在2.5至100的范围内，以及所述摩擦强度(RS1和RS2)的平均值在12至250的范围内：/n[方程式1]/nRS1或RS2＝2×N×M×π×n×r/(v-1)/n[方程式2]/nRS1<RS2/n其中，RS1为在对所述第一基底配向膜进行摩擦时的摩擦强度，RS2为在对所述第二基底配向膜进行摩擦时的摩擦强度，N为摩擦次数的数，M为摩擦深度(单位：mm)，r为摩擦鼓的半径(单位：mm)，n为所述摩擦鼓的旋转速度(单位：rpm)，以及v为所述基底相对于所述摩擦鼓的相对移动速度(单位：mm/秒)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 KR 10-2017-01278251.一种用于制造光学装置的方法，包括以下步骤：对第一基底的摩擦配向膜进行摩擦，所述第一基底包括基础层以及形成在所述基础层上的间隔物和配向膜；以及对第二基底的摩擦配向膜进行摩擦，所述第二基底包括基础层和形成在所述基础层上的配向膜，其中不存在间隔物，
其中在对第一基底配向膜进行摩擦时由以下方程式1确定的摩擦强度(RS1)和在对第二基底配向膜进行摩擦时由以下方程式1确定的摩擦强度(RS2)满足以下方程式2，所述摩擦强度(RS1)在2.5至100的范围内，以及所述摩擦强度(RS1和RS2)的平均值在12至250的范围内：
[方程式1]
RS1或RS2＝2×N×M×π×n×r/(v-1)
[方程式2]
RS1<RS2
其中，RS1为在对所述第一基底配向膜进行摩擦时的摩擦强度，RS2为在对所述第二基底配向膜进行摩擦时的摩擦强度，N为摩擦次数的数，M为摩擦深度(单位：mm)，r为摩擦鼓的半径(单位：mm)，n为所述摩擦鼓的旋转速度(单位：rpm)，以及v为所述基底相对于所述摩擦鼓的相对移动速度(单位：mm/秒)。


2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一基底和所述第二基...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳正善，高铜浩，李孝珍，文寅周，金南圭，李玹准，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR