用于MEMS转换器的至少一个膜单元的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种用于MEMS转换器的至少一个膜单元(1)的制造方法，其中在载体(2)上形成数个各具有至少一个电极层(4、5)和至少一个压电层(6)的压电式转换器单元(3)。根据本发明专利技术，从所述转换器单元(3)移除所述载体(2)，并且将所述转换器单元(3)中的至少一者布置在膜(10)上并与所述膜连接，以形成所述至少一个膜单元(1)。此外，本发明专利技术还涉及所述膜单元(1)。

【技术实现步骤摘要】
用于MEMS转换器的至少一个膜单元的制造方法
本专利技术涉及一种用于MEMS转换器的至少一个膜单元的制造方法，其中在载体上形成数个各具有至少一个电极层和至少一个压电层的压电式转换器单元。
技术介绍
由DE60313715T2已知一种制造MEMS转换器的方法。该方法是在衬底上施覆牺牲层。而后依次施覆膜层、下电极层、活性层和上电极层。这种制造方法的缺点是灵活度有限。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是能够将MEMS转换器的膜单元的制造方法设计得更灵活。这个目的通过本专利技术的制造方法而达成。本专利技术提出一种用于MEMS转换器的至少一个膜单元的制造方法。MEMS是一个缩写，代表的是微机电系统。借助MEMS转换器可将电信号转换成运动以及将运动转换成电信号。因此，MEMS转换器可用于产生和/或检测声波。MEMS转换器由此可用作扬声器和/或传声器。其中，MEMS转换器将包括音频信号的电信号转换成声音。然而，MEMS转换器也可以检测声音并将其转换成仍包括音频信号的电信号。其中，MEMS转换器将电信号转换成偏移，该偏移本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于MEMS转换器的至少一个膜单元(1)的制造方法，/n其中在载体(2)上形成数个各具有至少一个电极层(4、5)和至少一个压电层(6)的压电式转换器单元(3)，/n其特征在于，/n从所述转换器单元(3)移除所述载体(2)，并且将所述转换器单元(3)中的至少一者布置在膜(10)上并与所述膜连接，以形成所述至少一个膜单元(1)。/n

【技术特征摘要】
20181108 EP 18306463.31.一种用于MEMS转换器的至少一个膜单元(1)的制造方法，
其中在载体(2)上形成数个各具有至少一个电极层(4、5)和至少一个压电层(6)的压电式转换器单元(3)，
其特征在于，
从所述转换器单元(3)移除所述载体(2)，并且将所述转换器单元(3)中的至少一者布置在膜(10)上并与所述膜连接，以形成所述至少一个膜单元(1)。


2.根据上述权利要求所述的制造方法，其特征在于，将所述转换器单元(3)彼此分离地形成在所述载体(2)上，且/或，在移除所述载体(2)之前或之后将所述转换器单元(3)彼此分离。


3.根据上述权利要求中任一项或数项所述的制造方法，其特征在于，所述转换器单元(3)以某种方式彼此分离地形成且/或被彼此分离，从而形成至少一个单体化的转换器单元(3)且/或形成至少一个由至少两个转换器单元(3)构成的联合组(9)。


4.根据上述权利要求中任一项或数项所述的制造方法，其特征在于，在所述载体(2)上形成承载层(7)，将所述转换器单元(3)的所述至少一个电极层(4、5)和所述至少一个压电层(6)形成在所述承载层上，且/或，将所述至少一个电极层(4、5)、所述至少一个压电层(6)和/或所述承载层(7)上下叠置地形成在所述载体(2)上。


5.根据上述权利要求中任一项或数项所述的制造方法，其特征在于，在所述载体(2)上形成第一和第二电极层(4、5)，
且/或，
将所述压电层(6)形成在所述第一与第二电极层(4、5)之间。


6.根据上述权利要求中任一项或数项所述的制造方法，其特征在于，先形成所述第一电极层(4)，再形成所述压电层(6)，而后形成所述第二电极层(5)，且/或，首先形成所述承载层(7)。


7.根据上述权利要求中任一项或数项所述的制造方法，其特征在于，在所述载体(2)上整面地形成所述承载层(7)、所述至少一个电极层(4、5)和/或所述压电层(6)，且/或，在所述转换器单元(3)之间将所述承载层(7)、所述至少一个电极层(4、5)和/或所述压电层(6)至少部分地移除，从而将所述转换器单元(3)至少部分地彼此分离。


8.根据上述权利要求中任一项或数项所述的制造方法，其特征在于，分离所述转换器...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德里亚·韦斯高尼·克莱里西·贝尔特拉米，费鲁乔·博托尼，尼克·雷诺贝慈特，
申请(专利权)人：悠声股份有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT