一种填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，包括电镀槽、第一阳极、第二阳极、第一电源及第二电源，第一阳极和第二阳极放置于电镀槽内，且布设于玻璃转接板的两侧，第一电源的正极与第一阳极连接，第二电源的正极与第二阳极连接，第一电源及第二电源的负极均与玻璃转接板连接，本发明专利技术通过设置双阳极双电源电镀，对通孔两端同时进行电镀填充，从而达到对通孔的高效率填充，特别是针对通孔为斜孔的情形，调节第一电源与第二电源的电流大小来分别改变转接板斜孔两侧的电流密度，进而调节转接板斜孔两侧的电镀速率，从而达到对斜孔的高效率无孔洞填充。

A double power supply and double anode electroplating device and method for filling through hole of glass transfer plate

【技术实现步骤摘要】
一种填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置及方法
本专利技术属于半导体制造加工
，尤其涉及一种填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置及方法。
技术介绍
随着集成电路制造业的飞速发展，对微系统的小型化、集成化需求日益迫切。具有高速互连、高密度集成等优点的三维封装成为了研究热点。硅基TSV转接板对2.5D、3D封装结构的发展起到了重要作用。随着集成电路向高频高速发展以及5G技术的发展，对信号完整性的需求逐渐加大，与硅基转接板相比，玻璃转接板具有高电阻率的特点，可提高信号完整性，并且硅是半导体，TGV基板需要对通孔侧壁沉积绝缘层，玻璃转接板不需要对通孔侧壁沉积绝缘层，可以简化工艺。玻璃转接板通孔的电镀质量将直接影响玻璃转接板的可靠性，在生产中实现通孔的高效率无孔洞填充成为了技术难点。目前玻璃转接板通孔电镀大多采用单阳极板电镀，由于通孔两端距阳极的距离不同，因此较难实现对通孔的高效率填充。特别是对于通孔为斜孔的情形，由于斜孔两端的孔径不同，斜孔两端距阳极的距离也不同，更难实现对斜孔的高效率填充。玻璃转接板通孔的电镀工艺尚不成熟，从而制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，其特征在于，包括电镀槽、第一阳极、第二阳极、第一电源及第二电源；/n所述电镀槽内盛装有电镀液；/n所述第一阳极和所述第二阳极放置于所述电镀槽内，且所述第一阳极和所述第二阳极布设于所述玻璃转接板的两侧；/n所述第一电源的正极与所述第一阳极连接，所述第二电源的正极与所述第二阳极连接，所述第一电源及所述第二电源的负极均与所述玻璃转接板连接，在对所述玻璃转接板的通孔进行电镀填充时，所述第一电源与所述第二电源的电流大小均可调。/n

【技术特征摘要】
1.一种填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，其特征在于，包括电镀槽、第一阳极、第二阳极、第一电源及第二电源；
所述电镀槽内盛装有电镀液；
所述第一阳极和所述第二阳极放置于所述电镀槽内，且所述第一阳极和所述第二阳极布设于所述玻璃转接板的两侧；
所述第一电源的正极与所述第一阳极连接，所述第二电源的正极与所述第二阳极连接，所述第一电源及所述第二电源的负极均与所述玻璃转接板连接，在对所述玻璃转接板的通孔进行电镀填充时，所述第一电源与所述第二电源的电流大小均可调。


2.根据权利要求1所述的填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，其特征在于，还包括挂镀单元，所述挂镀单元包括挂镀夹具、连接杆及底座，所述连接杆的一端与所述底座相连，所述连接杆的另一端与所述挂镀夹具相连，所述挂镀夹具用于夹持所述玻璃转接板。


3.根据权利要求1所述的填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，其特征在于，所述第一电源与所述第二电源均采用反向脉冲电源。


4.根据权利要求3所述的填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，其特征在于，在对所述玻璃转接板的通孔进行电镀填充时，所述第一电源的电流大小设置为4A/dm2，所述第二电源的电流大小设置为3A/dm2，且所述第一电源与所述第二电源的单个正向脉冲电镀时间均为15～25s，所述第一电源与所述第二电源的单个反向脉冲电镀时间均为1～3s。


5.根据权利要求1所述的填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，其特征在于，所述电镀液中含有添加剂，所述添加剂包括加速剂、抑制剂及整平剂。


6.根据权利要求1所述的填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，其特征在于，所述第一阳极和所述第二阳极均采用铜板。


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【专利技术属性】
技术研发人员：谢怡彤，吴珊珊，李明，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31